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EEPW首頁 >> 主題列表 >> ?nand flash

三星、東芝競擴產NAND Flash報價恐跌三成

  • 　　全球NANDFlash(儲存型快閃記憶體)供給成長持續(xù)大于需求，預估NANDFlash今年底報價將較去年跌掉三成，且跌勢恐將一直延續(xù)至2018年。 　　市調機構IHSiSuppli最新報告預測，NANDFlash今年底報價將跌至0.49美元每GB，遠低于去年的0.71美元，預估2018年將進一步跌至0.14美元，其間年復合成長率為負的28%。 　　NANDFlash產出過多是導致價格崩跌的主因，若以1GB等量單位計算，IHSiSuppl估計，2018年NANDFlash產出將自2013年的
  • 關鍵字： 東芝  NAND   

上海海爾：向通用MCU進發(fā)

  • 　　今年上半年，上海海爾集成電路公司推出十幾款單片機產品，有其自主知識產權內核的HR7P155~170、201、192、196等系列，還有新的觸摸按鍵芯片等，容量涵蓋0.5~64kB，管腳數(shù)從10pin至80pin。豐富的資源為客戶的方案設計提供了多樣選擇。 　　專注于專用MCU的上海海爾，為何此次在如此多的通用產品上發(fā)力?在芯片本土化的熱潮下，上海海爾的愿景是什么? 　　處于從專用向通用MCU升級的開端 　　MCU(單片機，微控制器)一般有通用和專用兩類。很多歐美大公司喜歡推出通用單片機，而日本、
  • 關鍵字： 海爾  MCU  Flash  201408  

基于LVDS的高速圖像數(shù)據(jù)存儲器的設計與實現(xiàn)

  • 電子產品世界,為電子工程師提供全面的電子產品信息和行業(yè)解決方案,是電子工程師的技術中心和交流中心,是電子產品的市場中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網(wǎng)絡家園
  • 關鍵字： LVDS  FPGA  Flash  

Spansion全新閃存設備不懼熱力來襲

  • 　　并非所有的嵌入式應用都“生而平等”。在設計者們繼續(xù)尋求途徑改善用戶體驗和性能等方面的過程中，一個必須考慮的重要因素是嵌入式應用的運行環(huán)境。從北極地區(qū)冰冷刺骨的戶外天線，到美國德州油氣公司極度炙熱的井下鉆機，嵌入式應用所需支持的環(huán)境千差萬別。嵌入式系統(tǒng)及其組件不僅須支持高溫環(huán)境下功能運作，還必須保持其交流和直流參數(shù)以及其它規(guī)格要求。如果在極端溫度范圍內無法滿足所有規(guī)格要求，必須做出得失權衡，就必須記錄下這一信息，并在設計過程中進行共享。在汽車、消費、工業(yè)、游戲、網(wǎng)絡或通信應用中，
  • 關鍵字： Spansion  NAND  FL1-K  

Marvell推出最新一代SATA SSD控制器，憑借開創(chuàng)性LDPC技術支持TLC NAND閃存

  • 　　全球整合式芯片解決方案的領導廠商美滿電子科技(Marvell，納斯達克代碼：MRVL)今日宣布，推出革命性的第五代6Gb/s SATASSD控制器Marvell 88SS1074。這款業(yè)界領先的產品采用了Marvell第三代NANDEdge? 糾錯、低密度奇偶校驗(LDPC)技術，使消費類及企業(yè)級SSD便于采用15nm TLC NAND閃存。先進的Marvell 88SS1074 SATA SSD控制器顯著降低了存儲系統(tǒng)的總體成本，功耗更低，并提供無與倫比的性能。　　Marvell公司總裁、聯(lián)合創(chuàng)始人
  • 關鍵字： Marvell  控制器  NAND  

半導體是電子工業(yè)發(fā)展的基石(下)

  • 　　科研投資 　　日本資深專業(yè)人士泉谷涉還說：2012年日本國內半導體產值約5萬億日元，占GDP的5%，但它對應用半導體的服務業(yè)、硬件業(yè)以及通過IT業(yè)以提高生產力的下游產業(yè)來計算，半導體產生的經(jīng)濟效益約為100萬億日元 ，兩者之比達到1：20，如此給力，誰不動心?!但是，半導體業(yè)又一向被稱為“食金蟲”產業(yè)，沒有國家的大力支持，沒有生產設備和科研經(jīng)費的巨大投入，那是美夢難圓的。 　　半導體設備投資也是引導世界經(jīng)濟增長的要素之一，它每年投資計劃的發(fā)表還常關聯(lián)到生產設備、材料公司的股
  • 關鍵字： 半導體  NAND  IC  201405  

競逐eMMC商機　Flash控制芯片廠陷混戰(zhàn)

  • 2013年eMMC需求在智能手機市場帶動下大幅成長，2014年，平板電腦應用需求亦值得期待，尤其在中國大陸銷售的平板電腦中，有90%尚未采用eMMC，這可能進一步擴大eMMC市場規(guī)模，引來業(yè)內廠商混戰(zhàn)一片......
  • 關鍵字： Flash  控制芯片  

半導體是電子工業(yè)發(fā)展的基石(上)

  • 　　智慧之石　　作為電子工業(yè)發(fā)展基礎的電子器件，已經(jīng)歷了三個巨大變革時代：1.?電子管時代――1905～1947(42年);2.?晶體管時代――1947～1958(11年);3.?集成電路時代――1958～…(到2014年已有56年)?！　‰娮庸艿陌l(fā)明拉開了電子時代的序幕，為當時蓬勃發(fā)展的無線電報事業(yè)提供了核心器件，在它存在的40多年的時間里，推動了收音機、電視機、雷達、計算機的發(fā)明和應用。美國是電子工業(yè)發(fā)展的代表，1920年即開始廣播，也是30年代最早開始電視廣播的國家之一
  • 關鍵字： NAND  DRAM  PC  201404  

FPGA中Flash驅動模塊的設計及驗證

  • 　　隨著FPGA的功能日益強大和完善，F(xiàn)PGA在項目中的應用也越來越廣泛，其技術關鍵在于控制日益廣泛而豐富的外圍器件。本文以Flash存儲器件為FPGA的外圍，敘述了FPGA中SPI總線接口的Flash驅動模塊的設計，其接口基本符合Avalon總線的規(guī)范要求，并且通過實際的讀寫操作驗證
  • 關鍵字： Flash  驅動  FPGA  

基于SRAM芯片立體封裝大容量的應用

  • 　　靜態(tài)隨機存儲器(static?RAM)，簡稱SRAM。在電子設備中，常見的存儲器有SRAM(靜態(tài)隨機訪問存儲器)、FLASH(閃速存儲器)、DRAM(動態(tài)存儲器)等。其中不同的存儲器有不同的特性，SRAM無需刷新電路即能保存它內部存儲的數(shù)據(jù)。而DRAM每隔一段時間，要刷新充電一次，否則內部的數(shù)據(jù)即會消失。與SDRAM相比，SRAM不需要時鐘信號，即可保持數(shù)據(jù)不丟失?！　?、VDMS16M32芯片介紹　　VDSR16M32是一款工作電壓3.3V，16Mbit，32位數(shù)據(jù)總線的立體封裝SRAM模
  • 關鍵字： SRAM  FLASH  DRAM  VDSR16M32  

2013年第四季NAND品牌供應商營收下滑4.5%

  • 　　全球市場研究機構TrendForce 旗下記憶體儲存事業(yè)處DRAMeXchange 表示，在NAND Flash業(yè)者原先對于 2013年第四季終端裝置出貨過于樂觀，導致產出成長高于后續(xù)實際需求而讓市況呈現(xiàn)供過于求，以及SK海力士(Hynix)火災影響 NAND 產能調配等因素下，2013年第四季 NAND Flash 品牌供應商營收較第三季下滑4.5%，來到61億6,800萬美元。 　　2013年全年整體市況與供需產銷較2012年改善不少，因此第四季營收較 2012年同期增加16%;DRAMeXch
  • 關鍵字： NAND  DRAM  

基于FPGA的SPI Flash控制器的設計方案

  • 本文提出一個基于FPGA的SPI Flash讀寫硬件實現(xiàn)方案，該方案利用硬件對SPI Flash進行控制，能夠非常方便地完成Flash的讀寫、擦除、刷新及預充電等操作，同時編寫的SPI Flash控制器IP核能夠進行移植和復用，作為SOC芯片的功能模塊。
  • 關鍵字： FPGA  Flash  SOC  CPU  VHDL  

基于FPGA的速率自適應圖像抽取算法

  • 載荷圖像可視化是深空探測任務中的重要需求，但受信道帶寬的限制，無法實時傳輸所有載荷數(shù)據(jù)，因此星載復接存儲器中圖像的抽取下傳是實現(xiàn)任務可視化的關鍵。
  • 關鍵字： 存儲器  FPGA  載荷圖像  VCDU  FLASH  

基于SPI FLASH的FPGA多重配置

  • 通過FPGA的多重配置可以有效地精簡控制結構的設計，同時可以用邏輯資源較少的FPGA器件實現(xiàn)需要很大資源才能實現(xiàn)的程序。以Virtex5系列開發(fā)板和配置存儲器SPI FLASH為基礎，從硬件電路和軟件設計兩個方面對多重配置進行分析，給出了多重配置實現(xiàn)的具體步驟，對實現(xiàn)復雜硬件設計工程有一定的參考價值。
  • 關鍵字： FPGA  Virtex5  FLASH  ICAP  IPROG  寄存器  

布局存儲器封測 臺廠競爭卡位

  • 　　存儲器大廠美光擴大委外封裝合作，東芝新廠可望今年量產。日月光、力成、南茂、華東等臺廠積極布局，今年存儲器封測競爭卡位，勢必激烈。 　　展望今年，國際存儲器大廠集中資源開發(fā)前端制程，包括動態(tài)隨機存取存儲器(DRAM)和快閃存儲器(Flash)后段封測可能擴大委外，封測臺廠考量自身發(fā)展，積極與國際大廠洽商合作。 　　美光(Micron)去年以20億美元買下日本存儲器大廠爾必達(Elpida)，提高美光全球DRAM市占率約1倍。 　　為進一步集成DRAM封測業(yè)務，去年下半年美光著手洽商DRAM后段封測
  • 關鍵字： 存儲器  NAND  
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?nand flash介紹

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