- 臺積電董事長張忠謀日前表示,臺灣企業(yè)五年內成本將面臨三大挑戰(zhàn),包括美元弱勢引起的新臺幣匯率挑戰(zhàn),石油等原物料價格上漲引發(fā)的通膨,還有減碳增加的環(huán)保稅負成本。
張忠謀只提到美元弱勢,并沒有說新臺幣有升值壓力,張忠謀認為,全球經濟都在復蘇中,復蘇力道緩慢,盡管景氣慢慢復蘇,但張忠謀認為,企業(yè)近中程的三大挑戰(zhàn)相當嚴峻,所謂近中程大概是五年內,所以嚴峻因為是過去兩年、甚至十年沒遇見過。
第一個挑戰(zhàn)是匯率。張忠謀說,臺灣過去20年沒有遭遇很大的匯率挑戰(zhàn),但美元愈來愈弱,這會是一個趨勢,相對地新臺幣波
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臺積電 芯片代工 DRAM NAND
- 12月上旬的存儲器合約價格中,DRAM合約價意外持平開出,南亞科副總經理白培霖表示,主要是個人計算機(PC)廠急單涌入之故;而 NAND Flash合約價格則反應市場需求不佳,16Gb芯片價格下滑5~10%,32Gb芯片下跌2~6%,目前合約價格貼近現貨價格水平,下游存儲器業(yè)者都盡量減少庫存水位,以免營運被跌價的NAND Flash芯片庫存燙傷。
近期DRAM現貨價格持續(xù)反彈,1Gb容量DDR2價格從2美元反彈至2.5美元,屬于觸底反彈,然整個市場的交易量是相當有限,反倒是原本各界預期12月上旬
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南亞科 NAND DRAM
- 12月9日消息,臺積電董事長張忠謀昨日表示,臺灣企業(yè)五年內成本將面臨三大挑戰(zhàn),包括美元弱勢引起的新臺幣匯率挑戰(zhàn),石油等原物料價格上漲引發(fā)的通膨,還有減碳增加的環(huán)保稅負成本。
張忠謀只提到美元弱勢,并沒有說新臺幣有升值壓力,張忠謀認為,全球經濟都在復蘇中,復蘇力道緩慢,盡管景氣慢慢復蘇,但張忠謀認為,企業(yè)近中程的三大挑戰(zhàn)相當嚴峻,所謂近中程大概是五年內,所以嚴峻因為是過去兩年、甚至十年沒遇見過。
第一個挑戰(zhàn)是匯率。張忠謀說,臺灣過去20年沒有遭遇很大的匯率挑戰(zhàn),但美元愈來愈弱,這會是一個趨勢
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臺積電 芯片代工 DRAM NAND
- 據報道,為了更加快速的追趕臺積電,三星計劃將以后每年的代工芯片產能提高一倍直至達到臺積電的規(guī)模。
根據iSuppli的統(tǒng)計,去年全球芯片代工市場的產值為190億美元,而臺積電獨自占據了其中的100億美元。
三星是全球第二大芯片制造商,在DRAM內存和NAND閃存市場處于領先地位,但是他們在代工市場的收入卻只有可憐的幾億美元。三星發(fā)言人近日表示,三星已經決定擴大其代工產能,目標直指臺積電。
三星目前在韓國器興(Giheung)有一座占地350英畝的晶圓廠,專門用于代工業(yè)務。三星一直強調
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臺積電 芯片代工 DRAM NAND
- 三星近日宣布將開始量產兩款30nm制程NAND閃存芯片產品。其中一種閃存產品采用類似DDR內存的雙倍傳輸技術,據三星公司宣稱,這種產品的讀取帶寬 是傳統(tǒng)閃存芯片的3倍左右,單顆這樣的DDR MLC閃存芯片數據傳輸峰值帶寬可達133Mbps,而舊款閃存芯片則只能達到40Mbps的水平。
即便將這種芯片應用到閃存卡中,也能夠保持60Mbps的持續(xù)讀取速率,同樣比傳統(tǒng)閃存芯片的17Mbps快三倍左右。這種閃存芯片產品既適合智能手機,便攜多媒體播放器等產品,也同樣適用于SSD硬盤等設備。
另外一款
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三星 30nm NAND
- 2009年12月4日,西爾特最新推出MTK(聯(lián)發(fā)科)手機平臺NAND Flash 編程解決方案。
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西爾特 MTK NAND Flash
- 北京時間12月2日消息,據國外媒體報道,《韓國先驅報》援引匿名消息人士的話報道稱,三星2010年計劃投資約7萬億韓元(約合60億美元)擴大芯片業(yè)務。
消息稱,其中約5萬億韓元(約合43億美元)將用于擴大DRAM芯片業(yè)務,2萬億(約合17億美元)韓元將用于擴大NAND閃存和邏輯芯片業(yè)務。
三星2010年芯片投資將比2009年的4萬億韓元(約合34億美元)高75%。10月份發(fā)布第三季度財報時,三星曾表示明年芯片投資將超過5.5萬億韓元(約合47億美元)。
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三星 NAND 邏輯芯片 DRAM
- 近日,有某匿名廠商指控蘋果在NAND閃存市場上“欺行霸市”,威逼閃存廠商。該廠商指蘋果經常向韓系三星,海力士等廠商超額訂貨。《韓國時報》還報道稱蘋果經常采取等待閃存由于供過于求而出現價格下降時,才采購少量閃存的采購策略,這很容易導致閃存廠商的庫存再次出現積壓現象。
由于海力士與三星兩家廠商的閃存業(yè)務對蘋果依賴甚大,因此他們對蘋果的這種策略可謂敢怒不敢言,只好被迫接受蘋果將簽訂的長期訂貨協(xié)約價下調4%。這家未具名廠商的高管指這種行為“極為不合理”。
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三星 NAND
- 三星近日宣布將開始量產兩款30nm制程NAND閃存芯片產品。其中一種閃存產品采用類似DDR內存的雙倍傳輸技術,據三星公司宣稱,這種產品的讀取帶寬是傳統(tǒng)閃存芯片的3倍左右,單顆這樣的DDR MLC閃存芯片數據傳輸峰值帶寬可達133Mbps,而舊款閃存芯片則只能達到40Mbps的水平。
即便將這種芯片應用到閃存卡中,也能夠保持60Mbps的持續(xù)讀取速率,同樣比傳統(tǒng)閃存芯片的17Mbps快三倍左右。這種閃存芯片產品既適合智能手機,便攜多媒體播放器等產品,也同樣適用于SSD硬盤等設備。
另外一款三
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三星 30nm NAND
- 據悉,包括三星、LG、諾基亞等手機大廠第四季將上市銷售的手機,已將MicroSD等NAND記憶卡列為標準內建配備,加上消費者擴充手機記憶卡的需求也明顯轉強,帶動第四季記憶卡銷售量大增。力成董事長蔡篤恭表示,MicroSD記憶卡封測產能吃緊現象將延續(xù)到明年1、2月。
NAND晶片大廠三星下半年開始跨足記憶卡市場,并與創(chuàng)見合作銷售,新帝(SanDisk)也傳出介入貼牌白卡市場,只是手機用小型記憶卡需采用較先進的基板打線封裝(COB)制程,但兩家大廠自有封測廠產能已多年未曾擴充,因此8、9月后已大量將
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SanDisk NAND 封測
- 臺灣DigiTimes報道,數家內存廠商最近聚集在臺北探索建立對大陸和臺灣的固態(tài)存儲產業(yè)共同標準,與會者們預計隨著制程逐漸過渡到20nm,NAND閃存價格將出現大幅下跌,最終實現一個可負擔的水平,不過這一時間點被認為是2011年以后。
此外,來自大陸的工業(yè)代表敦促盡快發(fā)展和規(guī)范SSD的規(guī)格,以解決來自國際供應商控制的核心技術。
去年Fusion-io公司首席科學家Steven Wozniak曾表示,他并不認為SSD硬盤會很快就能替換普通硬盤。不過由于SSD硬盤功耗更低,同時性能更高,也不需
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NAND SSD
- 由于傳出大客戶蘋果(Apple)開始減少下單,加上原本三星電子(Samsung Electronics)供應NAND Flash數量相當有限,12月供應量控制亦開始松動,以及白牌記憶卡在市面上流通數量增加,使得淡季需求明顯反映在現貨及合約價上,近2個月NAND Flash價格從高檔連續(xù)緩跌,累計回檔幅度相當深。不過,多數存儲器業(yè)者認為,由于價格跌幅已大,預計后續(xù)再大跌機率不大,25日NAND Flash 11月下旬合約價開出,便呈現持平到小跌局面。
存儲器業(yè)者表示,蘋果對于NAND Flash供
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蘋果 NAND SSD
- 市場研究機構水清木華日前發(fā)布“2009年手機內存行業(yè)研究報告”指出,NOR閃存在512Mb是個門檻。高于350Mb,NOR閃存的成本飛速增加。同時,NOR閃存的應用領域單一,應用廠家很少;而NAND閃存則容量越大,成本優(yōu)勢越明顯,應用領域更廣泛,應用廠家也多。手機市場變化迅速,現在每一款手機的生命周期通常都小于5年,NOR最強大的優(yōu)勢“長壽”也不復存在。盡管NOR閃存的成本在進入65納米后也大幅度下降,但是專心NOR領域的只有Spansion。而NAND
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手機 NAND NOR
- 盡管IC產業(yè)在步入2009年的時候還是前景迷茫,但在歲末之際,曾深受經濟危機影響的存儲產業(yè)終于看到了復蘇的曙光。面對市場可預期的需求增長,恒憶 (Numonyx) 通過兩方面的舉措響應市場需求,擴充產能。一是通過從高節(jié)點技術向低節(jié)點技術的制程升級,進一步擴大位級產能;二是充分發(fā)揮“靈活資產(Asset Smart)”策略的優(yōu)勢,與合資晶圓廠、代工伙伴一起增加產能。
展望2010年的市場前景,主管恒憶亞洲區(qū)嵌入式業(yè)務及渠道的銷售副總裁龔翊表示:“作為全球存儲器解
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Numonyx NAND NOR閃存 PCM
- 盡管 IC 產業(yè)在步入 2009 年的時候還是前景迷茫,但在歲末之際,曾深受經濟危機影響的存儲產業(yè)終于看到了復蘇的曙光。面對市場可預期的需求增長,恒憶 (Numonyx) 通過兩方面的舉措響應市場需求,擴充產能。一是通過從高節(jié)點技術向低節(jié)點技術的制程升級,進一步擴大位級產能;二是充分發(fā)揮“靈活資產(Asset Smart)”策略的優(yōu)勢,與合資晶圓廠、代工伙伴一起增加產能。
展望2010年的市場前景,主管恒憶亞洲區(qū)嵌入式業(yè)務及渠道的銷售副總裁龔翊表示:“作為全球
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Numonyx NAND NOR閃存
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