- 鎂光公司NAND閃存市場開發(fā)部門的經理Kevin Kilbuck近日透露鎂光計劃明年將其NAND閃存芯片制程轉向25nm以下級別，他表示鎂光今年年中將開始批量生產25nm制程NAND閃存芯片，并將于明年轉向更高級別的制程。他并表示鎂光也計劃開發(fā)自己的電荷捕獲型(charge trap flash (CTF))閃存技術，以取代現(xiàn)有的浮柵型( floating-gate)NAND閃存技術。
Killbuck還向Digitimes網(wǎng)站表示，鎂光的新款NAND閃存芯片將遵循新的EZ-NAND規(guī)范。目
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鎂光 NAND 25nm
- 2010年全球存儲器可能出現(xiàn)供應缺貨，而且非?？赡軙永m(xù)下去。為什么?可能有三個原因，1)，存儲器市場復蘇;2)，前幾年中存儲器投資不足;3)，由ASML供應的光刻機交貨期延長。
巴克菜投資公司的分析師 Tim Luke在近期的報告中指出，通過存儲器的食物供應鏈看到大量的例證，認為目前存儲器供應偏緊的局面將持續(xù)2010整年，甚至延伸到2011年。
據(jù)它的報告稱，2010年全球NAND閃存的位增長可達70%，而2009增長為41%。2010年全球DRAM的位增長達52%。
Luke認為
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存儲器 NAND 光刻機
- 消息人士周三透露，東芝未來三年內將投入8000億日元(約合89.4億)美元，在日本三重縣(Mie Prefecture)修建一座閃存芯片制造廠。
報道稱，東芝的這一計劃將使該公司的NAND閃存芯片制造能力提高大約一倍。東芝原本打算在2008年修建該工廠，但受經濟衰退致產品需求下滑的影響，東芝隨后取消了該建廠計劃。
市場調研公司iSuppli此前發(fā)布報告稱，全球NAND閃存市場去年第三季度營收較第二季度的31億美元，增長了25.5%，達39.4億美元。東芝第三季度表現(xiàn)強于市場，其NAND閃存
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東芝 NAND 閃存芯片
- 南韓Hynix公司本周二宣布，繼半年前成功開發(fā)出基于32nm制程的NAND閃存芯片產品，并于去年8月份開始量產這種閃存芯片之后，他們已經于日前成 功開發(fā)出了基于26nm制程的NAND閃存芯片。他們并稱將于今年7月份開始量產基于26nm制程的64GB容量NAND閃存芯片產品.
按閃存芯片市占率計算，Hynix公司去年在閃存芯片市場上的市占率排在第三位，僅次于排在前兩位的三星與東芝公司。據(jù)此前的報道顯示，三星公司和由Intel和鎂光公司合資成立的IM Flash公司均計劃于今年第二季度推出基于25n
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Hynix 26nm NAND 閃存芯片
- 業(yè)界傳言鎂光公司目前仍在考慮收購Numonyx公司事宜，并稱其仍對NOR閃存市場抱有興趣。一位市場分析師稱：”我聽說鎂光有可能會收購 Numonyx公司，這說明他們似乎在考慮要成為一家為諾基亞等廠商提供閃存產品服務的一站式廠商。“
此前鎂光已經與Intel公司合資成立了專門生產NAND閃存的IM Flash公司，而Numonyx公司則原來也是Intel內部負責NOR閃存的部門，不過后來Intel將這家公司從Intel分離出來，并成立了Numonyx，他們把這家公司的49%
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Numonyx NAND NOR閃存
- 在最近舉辦的一次會議上，Intel公司屬下NAND閃存集團的新任老總Tom Rampone透露了有關Intel閃存業(yè)務的一個驚人規(guī)劃，他們計劃在閃存技術和SSD產品市場上取得領先地位，但他們并不準備在散片NAND閃存市場 上扮演領軍人的角色?？雌饋硭麄儾⒉辉敢庠陲L水輪流轉的NAND閃存散片市場和三星，現(xiàn)代以及東芝這些廠商一爭高下，但于此同時,他們又表現(xiàn)出想把三星從SSD業(yè) 務排名第一的寶座上拉下來的意圖。
Intel不準備在NAND閃存散片市場稱雄的決定令人稍感驚奇，過去他們一旦進入某個市場，那
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Intel NAND 閃存
- 據(jù)報道，韓國檢方近日逮捕了兩名美國半導體設備供應商應用材料Applied Materials高管，罪名則是這兩名高管偷取三星DRAM、NAND芯片處理技術等機密并出售給了競爭對手海力士。
美國證券交易委員會的報告顯示，Applied已經確認此事，并透露說其中一人是前應用材料韓國(AMK)高管、現(xiàn)任應用材料副總裁，另一名則是應用材料韓國子工廠的高管。
應用材料在一封電子郵件中表示，由于韓國檢方目前還未公布兩人的姓名，他們也不方便透露兩者的信息。作為應用材料的一大客戶，三星的利益顯然受到了傷害
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應用材料 DRAM NAND
- 32位MCU強勢增長
從全球范圍內的微控制器(MCU)的市場情況看(如圖1)，08年出貨量是119億美元，到09年降低到86億美元。從增長曲線看，32位微控制器在過去5年增長了一倍。目前可以看到8位和32位的深V型增長。從銷售額來看，在2009年的前10個月里有7個月32位高過8位，到10月底時，32位總體下降了近23%，而8位MCU下降了近27%。從數(shù)量上看，8位的下降是26%，而32位只下降10%，因此從單位數(shù)量來說，32位下降較少，NXP(恩智浦)認為32位還是有比較強勁的增長勢頭，這
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MCU NAND NOR Android
- 據(jù)日本經濟新聞報導，東芝計劃今年關閉其國內2個NAND閃存工廠之一,而把存儲芯片封裝工作全部集中于另一工廠。
即將關閉的工廠隸屬于Toshiba LSI Package Solution Corp，位于福岡縣宮若市,該廠生產設備以及約400名員工將被轉移到東芝三重縣四日市的工廠。
為降低生產成本，東芝會將日本本部作為其研發(fā)及測試中心，并加速將量產工作移往海外。
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東芝 NAND
- 英特爾公司和美光科技公司今天宣布推出世界上首個25納米NAND技術——該技術能夠增加智能手機、個人音樂與媒體播放器(PMP)等流行消費電子產品，以及全新高性能固態(tài)硬盤(SSD)的存儲容量，提供更高的成本效益。
NAND閃存可用于存儲消費電子產品中的數(shù)據(jù)和其它媒體內容，即使在電源關閉時也能保留信息。NAND制程尺寸的縮小，推動了該技術持續(xù)發(fā)展并不斷出現(xiàn)新的用途。25納米制程不僅是當前尺寸最小的NAND技術，也是全球最精密的半導體技術——這項技術成就將
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英特爾 25納米 NAND
- 蘋果(Apple)新產品iPad正式亮相，內建16GB、32GB和64GB等3種容量的固態(tài)硬碟(SSD)，可望為低迷許久的NAND Flash市場注入強心針!根據(jù)外資和市調機構估計，2010年iPad出貨量將介于600萬~1,000萬臺不等，占NAND Flash需求量上看4%，同時也為產業(yè)開創(chuàng)新應用領域。惟近期NAND Flash報價波動相當平靜，并未反映蘋果效應，下游廠指出，大陸在農歷年前又開始嚴查走私，因此當?shù)匦枨箐J減，預計年后才會發(fā)動補貨行情。
蘋果推出的平板計算機(Tablet PC)
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Apple SSD NAND
- 由Intel、美光合資組建的IM Flash Technologies, LLC(IMFT)公司今天宣布，已經開始使用25nm工藝晶體管試產MLC NAND閃存芯片，并相信足以領先其他競爭對手長達一年之久。IMFT公司在閃存工藝上一向非常激進，每12-15個月便升級一次：成立之初是72nm，2008年是50nm，去年則率先達到了34nm，在業(yè)內領先六個月左右，也讓Intel提前搶先發(fā)布了34nm第二代X25-M固態(tài)硬盤，美光也即將推出RealSSD C300系列。IMFT生產的閃存芯片有49%供給In
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Intel NAND 25nm
- 2010年1月農歷春節(jié)前的補貨行情落空，DRAM價格大跌，所幸NAND Flash價格比預期強勢，存儲器模塊廠1月營收可望維持平穩(wěn)，與2009年12月相較，呈現(xiàn)小漲或小跌的局面，整體第1季營收受到2月農歷過年工作天數(shù)減少影響，而呈現(xiàn)下滑，但整體行情不看淡;模塊廠認為，DDR3目前仍是缺貨，往下修正的幅度有限，一方面DDR3利潤較高，另一方面DDR3短期會被DDR2價格帶下來，但整體第1季DDR3供貨仍相對吃緊。
存儲器模塊廠2009年交出豐厚的成績單，創(chuàng)見、威剛都賺足1個股本，但2010年1月立
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DRAM NAND DDR3
- 韓聯(lián)社(Yonhap)引述首爾大學說法指出，1組韓國工程師已改良手機用芯片技術，可大幅提升手機性能。
首爾大學表示，該團隊研發(fā)的NOR芯片，可克服過去的諸多缺點。負責人表示，盡管NOR芯片能快速回溯資料，但卻因為NOR芯片的容量上限僅有1GB，且更較耗能，而被NAND芯片擊敗。相較之下，NAND Flash可儲存32GB的資料，占據(jù)更大優(yōu)勢。NAND芯片可用于MP3、攝影機和USB存儲器等裝置上。
一般的NOR芯片通常并不特別，不過首爾大學工程師所開發(fā)的芯片卻有重要特點。該團隊負責教授表示
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Samsung NAND NOR芯片
- 英特爾公司和美光科技計劃下周公布閃存芯片的新進展。
兩家公司有一個生產NAND閃存芯片的合資企業(yè)，這種芯片應用于手機，音樂播放器和其他驅動器上。
2009年，兩家公司表示，它們正開發(fā)提高閃存芯片性能的技術，在芯片的存儲單元上存儲三位數(shù)據(jù)。大多數(shù)NAND芯片單元儲存一位或兩位數(shù)據(jù)。
這樣，兩家公司就能以更高的存儲性能，更低的成本生產芯片。
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英特爾 NAND 閃存芯片
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