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手機內存：NAND優(yōu)勢愈加明顯，NOR風光不再

  • 　　市場研究機構水清木華日前發(fā)布"2009年手機內存行業(yè)研究報告"指出,NOR閃存在512Mb是個門檻.高于350Mb,NOR閃存的成本飛速增加.同時,NOR閃存的應用領域單一,應用廠家很少;而NAND閃存則容量越大,成本優(yōu)勢越明顯,應用領域更廣泛,應用廠家也多.手機市場變化迅速,現(xiàn)在每一款手機的生命周期通常都小于5年,NOR最強大的優(yōu)勢"長壽"也不復存在.盡管NOR閃存的成本在進入65納米后也大幅度下降,但是專心NOR領域的只有Spansion.而NAND領域,三
  • 關鍵字： 三星  NAND  NOR  RAM  

IEEE：NAND閃存技術將在十年之內遭遇技術極限

  • 　　《IEEE Transactions on Magnetics》上最近發(fā)表了卡內基梅隆大學教授Mark Kryder、博士生Chang Soo kim的一篇研究文章。師徒倆研究了13種非易失性存儲技術，看它們到2020年的時候能否在單位容量成本上超越機械硬盤，結果選出了兩個最有希望的候選 者：相變隨機存取存儲(PCRAM)、自旋極化隨機存取存儲(STTRAM)。 　　PCRAM我們偶爾會有所耳聞。它基于硫系玻璃的結晶態(tài)和非結晶態(tài)相變屬性，單元尺寸較小，而且每個單元內能保存多個比特，因此存儲密度和成本
  • 關鍵字： NAND  閃存  相變存儲  

TIMC與DRAM產業(yè)再造計劃

  • 　　2008年DRAM產業(yè)跌落谷底，臺灣DRAM廠開門做生意平均每天虧新臺幣1億元，且龐大的負債成為臺灣科技產業(yè)的巨大問題，因此經濟部為挽救臺灣內存演產業(yè)，宣布要進行產業(yè)再造，成立臺灣內存公司(Taiwan Memory Company;TMC)，之后因為此名字已被其它公司注冊，因此改名為Taiwan Innovation Memory Company，簡稱為TIMC。 　　TIMC正式于2009年7月31日登記成立，董事長為聯(lián)電榮譽副董事長宣明智，帶領臺灣內存產業(yè)再造的任務，目的在于協(xié)助臺灣DRAM產
  • 關鍵字： TIMC  DRAM  NAND Flash  

美光推出NAND與低功率DRAM多芯片封裝產品

  • 　　美光科技股份有限公司日前宣布，該公司將業(yè)界一流的34納米4Gb單層單元NAND閃存與50納米2Gb LPDDR相結合，生產出了市場上最先進的NAND-LPDDR多芯片封裝組合產品。美光新推出的4Gb NAND-2Gb LPDDR多芯片封裝產品以智能手機、個人媒體播放器和新興的移動互聯(lián)網設備為應用目標。較小的外形尺寸、低成本和節(jié)能是這類應用的核心特色。 　　美光公司目前向客戶推出4Gb NAND-2Gb LPDDR多芯片封裝試用產品，預計于2010年初投入量產。4Gb NAND-2Gb LPDDR組合
  • 關鍵字： 美光  NAND  34納米  智能手機  

三星：2010存儲芯片將出現(xiàn)小規(guī)模短缺情況

  • 　　10月28日消息，據國外媒體報道，全球最大的記憶體芯片制造商韓國三星電子周三表示，該公司目標要在三年內將半導體業(yè)務營收提高逾50%，并對2010年記憶體市場發(fā)表樂觀的看法。 　　三星電子將在周五公布第三季財報。該公司估計，今年半導體業(yè)務營收為166億美元，并稱目標要在2012年達到255億美元營收。 　　三星指出，明年動態(tài)隨機存取記憶體(DRAM)和NAND快閃記憶體(閃存)芯片將出現(xiàn)小規(guī)模短缺情況。 　　韓國三星半導體事業(yè)群總裁勸五鉉在一項高層主管會議上發(fā)表上述預估，公司發(fā)言人士也確認了這項消
  • 關鍵字： 三星  NAND  存儲  

Intel宣布一項技術突破 內存加工工藝可縮小到5納米

  • 　　英特爾和芯片技術公司Numonyx本周三發(fā)布了一項新技術.這兩家公司稱,這種新技術將使非易失性存儲器突破NAND閃存的20納米的極限,使加工工藝縮小到5納米,從而更加節(jié)省成本. 　　英特爾研究員和內存技術開發(fā)經理Al Fazio星期三向記者解釋說,這種技術產生的堆疊內存陣列有可能取代目前DRAM內存和NAND閃存的一些工作.這種技術甚至能夠讓系統(tǒng)設計師把一些DRAM內存和固態(tài)內存的一些存儲屬性縮小到一個內存類. 　　This image shows phase-change memory bu
  • 關鍵字： Intel  5納米  DRAM  NAND  

內存市場價量普漲，存儲廠商轉虧為盈

  • 　　最近幾個月來，DRAM價格連連上漲，同時也拉升了NAND Flash顆粒的價格。各大晶圓廠和模組廠也都連連傳出利好消息。雖然各大內存廠商的產品訂單和資金流相較2009年年初的金融海嘯時期已經有較大起色，但是這內存的價格上漲也波及到了電子賣場中的零售價格。那么究竟現(xiàn)在的內存產品是怎樣的一個局面呢，下面小編就給大家來個深度分析，給你講講這里面的道道。 　　9月DRAM價格猛增13% Flash亦漲4% 　　9月的1Gbit DDR2 DRAM的平均報價約為 1.70 美元，較上個月多出了近 13%。D
  • 關鍵字： NAND  DRAM  內存  存儲  

SanDisk Q3意外由虧轉盈 內存產業(yè)展望樂

  • 　　美國內存大廠SanDisk近日公布第3季財報，意外由虧損轉為強勁獲利，主要由于銷售額優(yōu)于預期，以及先前減記的庫存收入回補加持。這也反映了內存制造商持續(xù)受惠于閃存芯片市場好轉趨勢。 　　據國外媒體報道，SanDisk第3季由去年同期的虧損1.659億美元或每股74美分，改善為獲利2.313億美元或每股99美分。去除特殊項目后，每股獲利則為76美分，優(yōu)于分析師預期的每股26美分。 　　該季營收增長14%至9.352億美元，遠優(yōu)于公司今年7月份預估的介于7.25-7.75億美元，以及分析師預期的7.87
  • 關鍵字： SanDisk  NAND  閃存芯片  

力晶成立TFC 拋出NAND Flash深水炸彈規(guī)劃投入200億元

  • 　　“經濟部”「DRAM產業(yè)再造計畫」20日最后截止日期，卻出現(xiàn)戲劇性變化!臺塑集團旗下南亞科和華亞科宣布不送件，形同退出這次計畫;而力晶更是突然宣布成立TFC(Taiwan Flash Company)，并將這次臺灣存儲器產業(yè)整合規(guī)模推升到NAND Flash格局，反將了臺灣創(chuàng)新存儲器公司(TIMC)一軍。力晶董事長黃崇仁表示，2010年將投入40奈米制程量產NAND Flash，且100%為自有技術，比任何同業(yè)都符合“經濟部”所要求技術扎根條件，未來力晶
  • 關鍵字： 力晶  DRAM  存儲器  NAND   

鎂光34nm企業(yè)級MLC/SLC NAND閃存明年初量產

  • 　　鎂光34nm制程企業(yè)級MLC/SLC NAND閃存芯片已經進入試樣階段，MLC部分的存儲密度可達32Gb，寫入壽命達3萬次，是普通MLC產品的6倍;SLC部分存儲密度為16Gb，寫入壽命同樣為3萬次，是普通SLC產品的3倍. 　　鎂光這次開發(fā)成功的34nm MLC/SLC閃存芯片支持ONFI2.1接口規(guī)范(Open NAND Flash Interface)，數據傳輸率最高可達200MB/S，而且可以采用閃存封裝內部集成多片閃存芯片的封裝方案。 　　鎂光表示，明年初這兩種閃存芯片便可正式量產。
  • 關鍵字： 鎂光  NAND  閃存芯片  34nm  

市場供貨吃緊，NAND閃存合約價持續(xù)上揚

  • 　　研究機構集邦科技(DRAM eXchange)表示，10月上旬主流MLC NAND Flash合約均價上漲約8%~10%，主要原因是多數供貨商已接獲部份電子系統(tǒng)廠客戶10月到11月的旺季長單，同時近期記憶卡客戶的旺季備貨需求，因此NAND Flash市場供貨吃緊，在賣方主導市場下，10月上旬NAND Flash合約價持續(xù)地上揚。 　　   　　16Gb MLC NAND Flash合約價走勢圖 　　集邦科技指出，在10月到11月，多數NANDFlash供貨商份仍將優(yōu)先供貨給電子系
  • 關鍵字： NAND  存儲  閃存  

NAND Flash缺翻天　三星推品牌記憶卡與民爭食？

  • 　　2009年NAND Flash缺貨缺翻天，三星電子(Samsung Electronics)在享有最大獲利之余，不但對飽受缺貨之苦的存儲器模塊廠袖手旁觀，還要推出「SAMSUNG」自有品牌記憶卡產品來搶食客戶飯碗，到底葫蘆里是賣什么藥?業(yè)界相當好奇!而原本應該站在反對立場的大客戶創(chuàng)見，這次卻成為三星自有品牌記憶卡的代理商，究竟整起故事的來龍去脈為何?連同業(yè)都有霧里看花之感，只能說三星2009年真的是新人事、新作風，每一步都讓業(yè)界跌破眼鏡! 　　與三星做生意的客戶都知道，2009年不論在DRAM或是N
  • 關鍵字： 三星  NAND  Flash  

NAND Flash強勢不墜 模塊廠9月營收將再寫新高

  • 　　NAND Flash產業(yè)受到蘋果(Apple)備貨和智能型手機內嵌存儲器的帶動，32Gb容量的MLC型NAND Flash均價大漲至7.5美元，存儲器模塊廠9月營收在NAND Flash和DRAM芯片價格雙雙大漲的帶動下，預計可再次創(chuàng)下新高，同時第3季獲利也將雨露均沾;群聯(lián)9月營收續(xù)創(chuàng)歷史新高，創(chuàng)見也受惠歐洲市場買氣回籠，9月預計可達新臺幣30億~35億元水平，威剛更在PC OEM的DRAM模塊訂單涌入下，9月營收預估可達35億~40億元，勁永9月營收也將維持高檔不墜。 　　NAND Flash現(xiàn)貨
  • 關鍵字： Apple  NAND  智能手機  

三星DRAM芯片停止對臺供貨

  • 　　三星電子(Samsung Electronics)2009年隨著新經營團隊上任，營運策略出現(xiàn)不少重大轉變，將影響存儲器產業(yè)生態(tài)，三星日前決定全面停止對臺銷售DRAM芯片，一律只銷售DRAM模塊。存儲器廠表示，三星策略明顯側重OEM市場，減少與現(xiàn)貨客戶合作，就連NAND Flash芯片供貨策略，亦同樣以消費性電子大廠為優(yōu)先，尤其近期PC廠對于DRAM模塊需求強勁，三星供應臺灣DRAM模塊數量大減，市場日前甚至喊出 1條DDR2模塊40美元天價。 　　存儲器業(yè)者指出，三星2009年在全球供貨策略出現(xiàn)許多
  • 關鍵字： Samsung  DRAM  NAND  

NAND Flash強勢不墜　模塊廠9月營收將再寫新高

  • 　　NAND Flash產業(yè)受到蘋果(Apple)備貨和智能型手機內嵌存儲器的帶動，32Gb容量的MLC型NAND Flash均價大漲至7.5美元，存儲器模塊廠9月營收在NAND Flash和DRAM芯片價格雙雙大漲的帶動下，預計可再次創(chuàng)下新高，同時第3季獲利也將雨露均沾;群聯(lián)9月營收續(xù)創(chuàng)歷史新高，創(chuàng)見也受惠歐洲市場買氣回籠，9月預計可達新臺幣30億~35億元水平，威剛更在PC OEM的DRAM模塊訂單涌入下，9月營收預估可達35億~40億元，勁永9月營收也將維持高檔不墜。 　　NAND Flash現(xiàn)貨
  • 關鍵字： Apple  NAND  智能手機  
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