SK海力士推出全球首款DDR5 DRAM
SK海力士宣布推出全球首款DDR5 DRAM。DDR5是新一代DRAM標(biāo)準(zhǔn),此次SK海力士推出的DDR5 DRAM作為超高速、高容量產(chǎn)品,尤其適用于大數(shù)據(jù)、人工智能、機(jī)器學(xué)習(xí)等領(lǐng)域。
圖1. SK海力士推出1y納米級(jí)DDR5 DRAM
SK海力士于2018年11月成功開發(fā)全球首款16Gb DDR5 DRAM之后,向英特爾等核心客戶提供樣品,并完成了一系列測(cè)試與性能、兼容性驗(yàn)證等程序。此番成果意味著SK海力士在即將到來的DDR5市場(chǎng)隨時(shí)能夠銷售相關(guān)產(chǎn)品。
期間,SK海力士與SoC1)(System On Chip)開發(fā)公司等不同企業(yè)共同運(yùn)營現(xiàn)場(chǎng)分析研究室,并通過共同執(zhí)行系統(tǒng)級(jí)別測(cè)試(System Level Test)及各種模擬測(cè)試完成了新產(chǎn)品的性能驗(yàn)證。與此同時(shí),SK海力士還與諸多公司緊密合作,進(jìn)行了包括RCD2)(Register Clock Driver)、PMIC3)(Power Management IC)等構(gòu)成模組的主要部件的兼容性驗(yàn)證。
SK海力士推出的DDR5 DRAM的數(shù)據(jù)傳輸速率高達(dá)4,800 ~ 5,600Mbps,其速率相較前一代DDR4最多提升了1.8倍。5,600Mbps的傳輸速率意味著能夠在1秒內(nèi)傳輸九部全高清(Full-HD, FHD)電影。不僅如此,該產(chǎn)品的動(dòng)作電壓由前一代的1.2V降到了1.1V,成功減少了20%的功耗。
SK海力士DDR5 DRAM的另一個(gè)顯著特征是其芯片內(nèi)置型錯(cuò)誤糾正代碼(Error Correction Code, ECC);內(nèi)置ECC能夠依靠自身功能修復(fù)DRAM單元(cell)單字節(jié)單位的錯(cuò)誤。有助于該特性,采用SK海力士DDR5 DRAM的系統(tǒng)的可信賴度有望提升二十倍。若與硅通孔(Through Silicon Via, TSV)技術(shù)相結(jié)合,更能夠組成容量高達(dá)256GB的高容量模組。
SK海力士期待這種低功耗、高信賴度且綠色環(huán)保的DDR5 DRAM將幫助數(shù)據(jù)中心降低其功耗及運(yùn)營成本。
英特爾數(shù)據(jù)平臺(tái)部門(Data Platforms Group)的Carolyn Duran副總裁(Vice President)表示:“為了樹立基于JEDEC標(biāo)準(zhǔn)的初期結(jié)構(gòu)概念(early architecture concept)并完成DDR5標(biāo)準(zhǔn)規(guī)格的開發(fā),英特爾與SK海力士維持了緊密的合作關(guān)系。雙方為了確保產(chǎn)品性能,進(jìn)行了試制產(chǎn)品的設(shè)計(jì)、驗(yàn)證;這意味著兩家公司已經(jīng)做好了滿足客戶需求的準(zhǔn)備?!?/p>
吳鐘勛SK海力士副社長(zhǎng)兼首席營銷官(Chief Marketing Officer, CMO)則表示:“SK海力士成功推出世界首款DDR5 DRAM,得以在DRAM市場(chǎng)占據(jù)未來技術(shù)優(yōu)勢(shì)。我公司將重點(diǎn)瞄準(zhǔn)快速成長(zhǎng)的高端服務(wù)器市場(chǎng),進(jìn)一步鞏固在服務(wù)器DRAM領(lǐng)域擁有的領(lǐng)先地位。”
固態(tài)技術(shù)協(xié)會(huì)(Joint Electron Device Engineering Council,JEDEC)于2020年7月正式發(fā)布了DDR5 DRAM的標(biāo)準(zhǔn)規(guī)格。
而市場(chǎng)調(diào)研機(jī)構(gòu)Omdia分析指出,對(duì)DDR5的市場(chǎng)需求將從2020年開始逐步顯現(xiàn);其市占率將在2022年占整個(gè)DRAM市場(chǎng)的10%,2024年則將進(jìn)一步擴(kuò)大至43%。
新思科技(Synopsys),瑞薩(Renesas),瀾起科技(Montage Technology),Rambus等企業(yè)也紛紛表示將為了打造DDR5生態(tài)圈而保持緊密合作關(guān)系。
負(fù)責(zé)IP營銷與戰(zhàn)略的John Koeter新思科技高級(jí)副總裁指出:“通過與SK海力士的合作,新思科技將為需要超高速、高容量存儲(chǔ)器的高性能計(jì)算(High Performance Computing, HPC)SoC提供高信賴度的DDR5解決方案。新思科技通過SK海力士的DDR5 RDIMM模組,在最大傳輸速率6,400Mbps的環(huán)境下完成了‘DesignWare DDR5/4 IP’的驗(yàn)證,這意味著將設(shè)計(jì)者的風(fēng)險(xiǎn)最小化的同時(shí),能夠?qū)崿F(xiàn)數(shù)據(jù)密集型的高性能SoC?!?/p>
Rami Sethi瑞薩副總裁兼數(shù)據(jù)中心業(yè)務(wù)部門(Data Center Business Division)總經(jīng)理(General Manager)表示:“瑞薩在過去二十年作為倡導(dǎo)存儲(chǔ)器接口市場(chǎng)的企業(yè),對(duì)與諸多合作公司及客戶建立的合作關(guān)系感到十分自豪。通過此番與SK海力士的緊密合作,瑞薩成功完成了涉及服務(wù)器、客戶、內(nèi)置系統(tǒng)等諸多應(yīng)用領(lǐng)域的DDR5 DRAM產(chǎn)品的驗(yàn)證?!?/p>
負(fù)責(zé)銷售與經(jīng)營開發(fā)(Sales and Business Development)的Geof Findley瀾起科技副總裁則表示:“我們非常高興能夠與SK海力士為了打造DDR5存儲(chǔ)器生態(tài)圈而相互合作。瀾起科技在早期DDR存儲(chǔ)器萌芽之際就已經(jīng)與SK海力士展開了合作關(guān)系,我公司承諾持續(xù)提供高性能、低能耗的存儲(chǔ)器接口解決方案。目前,瀾起科技能夠提供涵蓋不同領(lǐng)域的全方位DRAM模組接口產(chǎn)品,很高興能夠再次與SK海力士合作,為DDR5市場(chǎng)的加速發(fā)展添一份力?!?/p>
Chien-Hsin Lee Rambus副總裁兼集成電路部門(Integrated Circuits)總經(jīng)理認(rèn)為:“我們非常高興在實(shí)現(xiàn)下一代新技術(shù)等領(lǐng)域與SK海力士合作,進(jìn)而為營造DDR5生態(tài)圈貢獻(xiàn)。我們相信,采用全新存儲(chǔ)器接口的DDR5 DRAM模組將幫助提升服務(wù)器性能,并滿足需要高容量、高帶寬存儲(chǔ)器的數(shù)據(jù)中心市場(chǎng)的需求。”
評(píng)論