光刻機 文章 進入光刻機技術(shù)社區(qū)
ASML或?qū)yper-NA EUV光刻機定價翻倍，讓臺積電、三星和英特爾猶豫不決
- ASML去年末向英特爾交付了業(yè)界首臺High-NA EUV光刻機，業(yè)界準(zhǔn)備從EUV邁入High-NA EUV時代。不過ASML已經(jīng)開始對下一代Hyper-NA EUV技術(shù)進行研究，尋找合適的解決方案，計劃在2030年左右提供新一代Hyper-NA EUV光刻機。據(jù)Trendforce報道，Hyper-NA EUV光刻機的價格預(yù)計達到驚人的7.24億美元，甚至可能會更高。目前每臺EUV光刻機的價格約為1.81億美元，High-NA EUV光刻機的價格大概為3.8億美元，是EUV光刻機的兩倍多
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三井化學(xué)將量產(chǎn)光刻薄膜新品，支持ASML下一代光刻機
- 日前，日本三井化學(xué)宣布將在其巖國大竹工廠設(shè)立碳納米管 (CNT) 薄膜生產(chǎn)線，開始量產(chǎn)半導(dǎo)體最尖端光刻機的零部件產(chǎn)品（保護半導(dǎo)體電路原版的薄膜材料“Pellicle”的新一代產(chǎn)品）。據(jù)悉，此種CNT薄膜可以實現(xiàn)92%以上的高EUV透射率和超過1kW曝光輸出功率的光阻能力。三井化學(xué)預(yù)期年產(chǎn)能力為5000張，生產(chǎn)線預(yù)計于2025年12月完工，可為ASML將推出的下一代高數(shù)值孔徑、高輸出EUV光刻機提供支持。
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可量產(chǎn)0.2nm工藝！ASML公布Hyper NA EUV光刻機：死胡同不遠了
- 6月16日消息，ASML去年底向Intel交付了全球第一臺High NA EUV極紫外光刻機，同時正在研究更強大的Hyper NA EUV光刻機，預(yù)計可將半導(dǎo)體工藝推進到0.2nm左右，也就是2埃米。ASML第一代Low NA EUV光刻機孔徑數(shù)值只有0.33，對應(yīng)產(chǎn)品命名NXE系列，包括已有的3400B/C、3600D、3800E，以及未來的4000F、4200G、4X00。該系列預(yù)計到2025年可以量產(chǎn)2nm，再往后就得加入多重曝光，預(yù)計到2027年能實現(xiàn)1.4nm的量產(chǎn)。High NA光刻機升級到了
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0.75 NA 突破芯片設(shè)計極限！Hyper-NA EUV 首現(xiàn) ASML 路線圖：2030 年推出，每小時產(chǎn) 400-500 片晶圓
- IT之家 6 月 14 日消息，全球研發(fā)機構(gòu) imec 表示阿斯麥（ASML）計劃 2030 年推出 Hyper-NA EUV 光刻機，目前仍處于開發(fā)的“早期階段”。阿斯麥前總裁馬丁?凡?登?布林克（Martin van den Brink）于今年 5 月，在比利時安特衛(wèi)普（Antwerp）召開、由 imec 舉辦 ITF World 活動中，表示：“從長遠來看，我們需要改進光刻系統(tǒng)，因此必須要升級 Hyper-NA。與此同時，我們必須將所有系統(tǒng)的生產(chǎn)率提高到每小時 400 到 500 片晶圓”
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美國芯片管控引ASML吐槽：倒逼中國廠商造出更先進光刻機
- 快科技6月7日消息，近日，ASML公司CEO公開表示，美國嚴(yán)厲的芯片管控規(guī)定，只會倒逼中國廠商進步更快。ASML CEO表示，多年來，公司都不用擔(dān)心設(shè)備的去向會受到政治限制，但突然之間，這卻變成了全世界最重要的話題之一。過去一段時間，美國一直在向荷蘭施壓，以阻止中國獲得關(guān)鍵的半導(dǎo)體技術(shù)。去年，荷蘭政府宣布了新的半導(dǎo)體設(shè)備出口管制措施，主要針對先進制程的芯片制造技術(shù)，阿斯麥?zhǔn)桩?dāng)其沖。根據(jù)ASML今年1月1日發(fā)布的聲明，荷蘭政府撤銷的是2023年頒發(fā)的NXT:2050i和NXT:2100i光刻系統(tǒng)的出口許可證
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ASML：EUV光刻機已近極限 追趕技術(shù)還是另辟蹊徑？
- ASML首席財務(wù)官達森（Roger Dassen）表示，EUV技術(shù)路線發(fā)展受歐美限制，且光刻機已接近技術(shù)極限，此一技術(shù)路線前景不明。積極尋求突破的中國廠商是持續(xù)投入資源突破現(xiàn)有限制進行技術(shù)跟隨？還是將資源另辟蹊徑尋找新的技術(shù)路徑？將面臨艱難的抉擇。 據(jù)《芯智訊》報導(dǎo)，臺積電已經(jīng)訂購了High NA EUV（高數(shù)值孔徑極紫外光）光刻機，ASML與臺積電的商業(yè)談判即將結(jié)束，預(yù)計在第2季度或第3季度開始獲得大量 2nm芯片制造相關(guān)設(shè)備訂單。ASML預(yù)測其設(shè)備的市場需求有望一路走強至2026年，這主要是受益于各國
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臺積電今年將拿到最新款光刻機
- 6月6日消息，據(jù)外媒報道稱，ASML將在今年向臺積電交付旗下最先進的光刻機，單臺造價達3.8億美元。報道中提到，ASML首席財務(wù)官Roger Dassen在最近的一次電話會議上告訴分析師，公司兩大客戶臺積電和英特爾將在今年年底前獲得所謂的高數(shù)值孔徑（高NA）極紫外（EUV）光刻系統(tǒng)。英特爾此前已經(jīng)訂購了最新的高NA EUV設(shè)備，第一臺設(shè)備已于12月底運往俄勒岡州的一家工廠。目前尚不清楚ASML最大的EUV客戶臺積電何時會收到設(shè)備。據(jù)悉，這些機器每臺造價3.5億歐元（3.8億美元），重量相當(dāng)于兩架空中客車A
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EUV光刻機“忙瘋了”
- 據(jù)市場消息，目前，ASML High NA EUV光刻機僅有兩臺，如此限量版的EUV關(guān)鍵設(shè)備必然無法滿足市場對先進制程芯片的需求，為此ASML布局步伐又邁一步。當(dāng)?shù)貢r間6月3日，全球最大的半導(dǎo)體設(shè)備制造商阿斯麥（ASML）宣布，攜手比利時微電子研究中心（IMEC），在荷蘭費爾德霍芬（Veldhoven）開設(shè)聯(lián)合High-NA EUV光刻實驗室（High NA EUV Lithography Lab），并由雙方共同運營。推動摩爾定律關(guān)鍵因素：High NA EUV技術(shù)據(jù)業(yè)界信息，High NA EUV技術(shù)是
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ASML今年將向臺積電交付最新款光刻機 單價3.8億美元
- 6月6日消息，荷蘭光刻機制造商ASML今年將向臺積電交付其最新款光刻機。據(jù)公司發(fā)言人莫尼克·莫爾斯（Monique Mols）透露，首席財務(wù)官羅杰·達森（Roger Dassen）在近期的分析師電話會議中表示，包括臺積電和英特爾在內(nèi)的ASML兩大客戶都將在今年年底前拿到高數(shù)值孔徑極紫外線（high-NA EUV）光刻機。英特爾已經(jīng)下單購買了這款最新的光刻機，并于去年12月底將第一臺機器運至其位于俄勒岡州的工廠。目前尚不清楚臺積電何時會收到這些設(shè)備。臺積電代表表示，公司一直與供應(yīng)商保持密切合作，但拒絕對此事
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臺積電CEO秘訪ASML，High-NA EUV光刻機競賽提前打響？
- 5月26日，臺積電舉辦“2024年技術(shù)論壇臺北站”的活動，臺積電CEO魏哲家罕見的沒有出席，原因是其秘密前往荷蘭訪問位于埃因霍溫的ASML總部，以及位于德國迪琴根的工業(yè)激光專業(yè)公司TRUMPF。ASML CEO Christophe Fouquet和其激光光源設(shè)備供應(yīng)商TRUMPF CEO Nicola Leibinger-Kammüller近日通過社交媒體透露了魏哲家秘密出訪的行蹤。Christophe Fouquet表示他們向魏哲家介紹了最新的技術(shù)和新產(chǎn)品，包括High-NA EUV設(shè)備將如何實現(xiàn)未來
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350nm，俄羅斯光刻機制造完成
- 5月25日消息，據(jù)外媒報道稱，俄羅斯首臺光刻機已經(jīng)制造完成并正在進行測試。俄羅斯聯(lián)邦工業(yè)和貿(mào)易部副部長瓦西里-什帕克指出，該設(shè)備可確保生產(chǎn)350nm（0.35μm）的芯片。圖片來源：塔斯社報道截圖公開資料顯示，350納米尺寸芯片在當(dāng)代較為落后，但是仍然可以應(yīng)用于汽車、能源和電信等多個行業(yè)。該光刻機的研制成功對于俄羅斯未來實現(xiàn)自主生產(chǎn)芯片具有里程碑意義。圖片來源：全球半導(dǎo)體觀察制圖目前，全球光刻機的主要玩家依舊以ASML、尼康、佳能三家為主。據(jù)外媒公開消息，俄羅斯目前主有兩家主要的晶圓廠，分別是Mikron
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俄羅斯首臺光刻機問世
- 據(jù)外媒報道，目前，俄羅斯首臺光刻機已經(jīng)制造完成并正在進行測試。俄羅斯聯(lián)邦工業(yè)和貿(mào)易部副部長瓦西里-什帕克（Vasily Shpak）表示，已組裝并制造了第一臺國產(chǎn)光刻機，作為澤廖諾格勒技術(shù)生產(chǎn)線的一部分，目前正在對其進行測試，該設(shè)備可確保生產(chǎn)350nm的芯片。什帕克還指出，到2026年將獲得130nm的國產(chǎn)光刻機，下一步將是開發(fā)90nm光刻機，并繼續(xù)向下邁進。此前，俄羅斯曾表示，計劃到2026年實現(xiàn)65nm的芯片節(jié)點工藝，2027年實現(xiàn)28nm本土芯片制造，到2030年實現(xiàn)14nm國產(chǎn)芯片制造。
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英特爾宣布世界首臺商用 High NA EUV 光刻機完成組裝，計劃明年投入研發(fā)使用
- IT之家 4 月 19 日消息，英特爾今日宣布其已在位于美國俄勒岡州希爾斯伯勒的 Fab D1X 研發(fā)晶圓廠完成世界首臺商用 High NA（0.55NA） EUV 光刻機的組裝工作，目前已進入光學(xué)系統(tǒng)校準(zhǔn)階段?！?圖源英特爾新聞稿這臺光刻機型號 TWINSCAN EXE:5000，為 ASML 的首代 High NA EUV 光刻機，價值約 3.5 億美元（IT之家備注：當(dāng)前約 25.38 億元人民幣）。就在不久前 ASML 宣布其在荷蘭埃因霍溫總部的另一臺 High NA EUV 光刻機成功
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美國施壓不準(zhǔn)向中國提供光刻機維修服務(wù)！ASML再回應(yīng)
- 4月19日消息，光刻機制造商ASML的CEO公開表示，沒有理由不為中國客戶提供售后服務(wù)。荷蘭芯片設(shè)備制造商阿斯麥（ASML）周三發(fā)布的財報顯示，第一季度凈預(yù)訂量從去年第四季度的92億歐元降至36億歐元。阿斯麥?zhǔn)紫攧?wù)官達森稱，中國客戶約占公司積壓訂單的20%。“中國的需求很強勁。其產(chǎn)能增加是合理的，并且符合本世紀(jì)后半段的全球需求?！薄澳壳?，沒有什么能阻止我們?yōu)橹袊蛻粢呀?jīng)購買的產(chǎn)品提供服務(wù)”，溫寧克稱。外媒表示，阿斯麥?zhǔn)菤W洲市值最高的科技公司，而它現(xiàn)在已經(jīng)成為美國政府用以遏制中國芯片產(chǎn)業(yè)發(fā)展的靶子。近日，
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光刻機介紹
國外半導(dǎo)體設(shè)備
我公司擁有國外半導(dǎo)體設(shè)備,包括臺灣3S公司生產(chǎn)的光刻機,涂膠臺,
金絲球焊機,電子束蒸發(fā)臺。
濺射臺及探針臺等各種設(shè)備,世界知名劃片機企業(yè)英國Loadpoint公司生產(chǎn)的6英寸--12英寸
精密劃片機，300毫米清洗機,。
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