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EEPW首頁 >> 主題列表 >> 光刻膠

三星大幅減少未來生產(chǎn)NAND所需光刻膠使用量

  • 據(jù)韓媒報道，稱三星電子在生產(chǎn) 3D NAND 閃存方面取得重大突破，在其中光刻工藝中大幅縮減光刻膠（PR）用量，降幅達(dá)到此前用量的一半。報道稱，此前每層涂層需要7-8cc的光刻膠，而三星通過精確控制涂布機(jī)的轉(zhuǎn)速（rpm）以及優(yōu)化PR涂層后的蝕刻工藝，現(xiàn)在只需4-4.5cc。此外，三星使用了更厚的氟化氪（KrF）光刻膠，通常情況下一次工藝形成1層涂層，而使用更厚的光刻膠，三星可以一次形成多個層，從而提高工藝效率，但同時也有均勻性問題。東進(jìn)半導(dǎo)體一直是三星KrF光刻膠的獨家供應(yīng)商，為三星第7代（11微米）和第
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國產(chǎn)光刻膠通過量產(chǎn)驗證

  • 據(jù)中國光谷官微消息，近日，武漢太紫微光電科技有限公司（以下簡稱“太紫微公司”）推出的T150 A光刻膠產(chǎn)品，已通過半導(dǎo)體工藝量產(chǎn)驗證，實現(xiàn)配方全自主設(shè)計，有望開創(chuàng)國內(nèi)半導(dǎo)體光刻制造新局面。據(jù)悉，該產(chǎn)品對標(biāo)國際頭部企業(yè)主流KrF光刻膠系列。相較于被業(yè)內(nèi)稱之為“妖膠”的國外同系列產(chǎn)品UV1610，T150 A在光刻工藝中表現(xiàn)出的極限分辨率達(dá)到120nm，且工藝寬容度更大，穩(wěn)定性更高，堅膜后烘留膜率優(yōu)秀，其對后道刻蝕工藝表現(xiàn)更為友好，通過驗證發(fā)現(xiàn)T150 A中密集圖形經(jīng)過刻蝕，下層介質(zhì)的側(cè)壁垂直度表現(xiàn)優(yōu)異。據(jù)了
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國產(chǎn)光刻膠通過量產(chǎn)驗證，武漢太紫微公司 T150 A 分辨率達(dá) 120nm

  • 10 月 15 日消息，據(jù)武漢東湖新技術(shù)開發(fā)區(qū)管理委員會（中國光谷）今日消息，光谷企業(yè)在半導(dǎo)體專用光刻膠領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)重大突破：武漢太紫微光電科技有限公司（以下簡稱“太紫微公司”）推出的 T150 A 光刻膠產(chǎn)品，已通過半導(dǎo)體工藝量產(chǎn)驗證，實現(xiàn)配方全自主設(shè)計，有望開創(chuàng)國內(nèi)半導(dǎo)體光刻制造新局面。中國光谷官方介紹稱：“該產(chǎn)品對標(biāo)國際頭部企業(yè)主流 KrF 光刻膠系列。相較于被業(yè)內(nèi)稱之為‘妖膠’的國外同系列產(chǎn)品 UV1610，T150 A 在光刻工藝中表現(xiàn)出的極限分辨率達(dá)到 120nm，且工藝寬容度更大，穩(wěn)定性更高，堅
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復(fù)旦大學(xué)研發(fā)半導(dǎo)體性光刻膠，實現(xiàn)特大規(guī)模集成度有機(jī)芯片制造

  • 復(fù)旦大學(xué)報道功能性半導(dǎo)體光刻膠。
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芯源微廣州子公司光刻膠泵及高純供液系統(tǒng)產(chǎn)業(yè)化項目開工

  • 4月25日，沈陽芯源微電子設(shè)備股份有限公司（以下簡稱“芯源微”）廣州子公司——廣州芯知科技有限公司半導(dǎo)體設(shè)備光刻膠泵及高純供液系統(tǒng)研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化項目開工儀式在廣州舉行。據(jù)官網(wǎng)介紹，芯源微成立于2002年，是由中科院沈陽自動化研究所發(fā)起創(chuàng)建的國家高新技術(shù)企業(yè)，專業(yè)從事半導(dǎo)體生產(chǎn)設(shè)備的研發(fā)、生產(chǎn)、銷售與服務(wù)，致力于提供半導(dǎo)體裝備與工藝整體解決方案。芯源微所開發(fā)的涂膠機(jī)、顯影機(jī)、噴膠機(jī)、去膠機(jī)、濕法刻蝕機(jī)、單片清洗機(jī)等產(chǎn)品，已形成完整的技術(shù)體系和豐富的產(chǎn)品系列，產(chǎn)品適應(yīng)不同工藝等級的客戶要求，廣泛應(yīng)用于半導(dǎo)體生產(chǎn)
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國產(chǎn)光刻膠新突破！

  • 近日，華中科技大學(xué)與湖北九峰山實驗室的研究團(tuán)隊在光刻膠技術(shù)領(lǐng)域取得重大進(jìn)展，成功突破“雙非離子型光酸協(xié)同增強(qiáng)響應(yīng)的化學(xué)放大光刻膠”技術(shù)。在半導(dǎo)體制造環(huán)節(jié)，光刻膠是不可或缺的材料，其質(zhì)量和性能是影響集成電路電性、成品率及可靠性的關(guān)鍵因素。但光刻膠技術(shù)門檻高，市場上制程穩(wěn)定性高、工藝寬容度大、普適性強(qiáng)的光刻膠產(chǎn)品屈指可數(shù)。當(dāng)半導(dǎo)體制造節(jié)點進(jìn)入到100nm甚至是10nm以下，如何產(chǎn)生分辨率高且截面形貌優(yōu)良、線邊緣粗糙度低的光刻圖形，成為光刻制造的共性難題。為此，華中科技大學(xué)與九峰山實驗室聯(lián)合研究團(tuán)隊通過巧妙的化
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我國科研團(tuán)隊完成新型光刻膠技術(shù)初步驗證：為EUV光刻膠開發(fā)做技術(shù)儲備

  • 4月2日消息，據(jù)湖北九峰山實驗室官微消息，九峰山實驗室、華中科技大學(xué)組成聯(lián)合研究團(tuán)隊，支持華中科技大學(xué)團(tuán)隊突破“雙非離子型光酸協(xié)同增強(qiáng)響應(yīng)的化學(xué)放大光刻膠”技術(shù)。據(jù)介紹，該研究通過巧妙的化學(xué)結(jié)構(gòu)設(shè)計，以兩種光敏單元構(gòu)建“雙非離子型光酸協(xié)同增強(qiáng)響應(yīng)的化學(xué)放大光刻膠”，最終得到光刻圖像形貌與線邊緣粗糙度優(yōu)良、space圖案寬度值正態(tài)分布標(biāo)準(zhǔn)差（SD）極?。s為0.05）、性能優(yōu)于大多數(shù)商用光刻膠。且光刻顯影各步驟所需時間完全符合半導(dǎo)體量產(chǎn)制造中對吞吐量和生產(chǎn)效率的需求。作為半導(dǎo)體制造不可或缺的材料，光刻膠質(zhì)量
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這家企業(yè)欲收購光刻膠龍頭關(guān)鍵股份

  • 日本芯片材料廠商Resonac的首席執(zhí)行官Hidehito Takahashi正在為日本分散的芯片材料行業(yè)的另一輪整合做準(zhǔn)備，并表示公司可能會出手收購JSR的關(guān)鍵股份。source：ResonacHidehito Takahashi表示，JIC（日本投資公司）斥60億美元收購全球最大光刻膠制造商JSR，這將促進(jìn)日本供應(yīng)鏈急需的變革。他說，Resonac是由Showa Denko （昭和電工）和Hitachi Chemical （日立化成）合并而成的化學(xué)品集團(tuán)，正在考慮如何在JSR的未來中發(fā)揮積極作
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JSR或1萬億日元被收購，全球光刻膠競爭加劇？

  • JSR捷時雅株式會社自1979年4月開始銷售光刻膠，至今向半導(dǎo)體行業(yè)供應(yīng)光刻材料、CMP材料和封裝材料等已有四十余載。日本JSR、東京日化、信越化工幾近掌握著全球EUV光刻膠的市場份額。此次JSR如若成功被收購，或?qū)θ蚬饪棠z市場帶來重要影響?？粗豃SR這塊香餑餑，JIC準(zhǔn)備收購6月24日，日經(jīng)新聞報道，日本政府支持的日本投資公司（JIC）正商談以1萬億日元收購JSR。日本投資公司計劃最早今年提出初步收購意向。如果進(jìn)展順利，JSR可能會在2024年被東京證交所摘牌。官方資料顯示，JSR成立于1957年，
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三星首次采用韓國本土EUV光刻膠 打破日企壟斷

  • 據(jù)報道，三星首次引入韓國本土公司東進(jìn)世美肯（Dongjin Semichem）研發(fā)的EUV光刻膠（EUV PR）進(jìn)入其量產(chǎn)線，這也是三星進(jìn)行光刻膠本土量產(chǎn)的首次嘗試。在2019年經(jīng)歷與日本的光刻膠等關(guān)鍵原料的供應(yīng)風(fēng)波之后，三星就在嘗試將關(guān)鍵原料的供應(yīng)本土化，經(jīng)過三年的努力，韓國實現(xiàn)了光刻膠本地化生產(chǎn)。在日本限制出口、三星嘗試重構(gòu)EUV光刻膠的供應(yīng)鏈之后，東進(jìn)世美肯就已開始研發(fā)EUV光刻膠，并在去年通過了三星的可靠性測試，隨后不到一年就被應(yīng)用于三星的大規(guī)模生產(chǎn)線。不過，EUV光刻膠可用于3-50道程序，目前
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三星首次引進(jìn)本土生產(chǎn)光刻膠，日本稱霸該市場

  • 12 月 4 日消息，據(jù) ETNews 消息，三星電子首次引入東進(jìn)世美肯半導(dǎo)體的光刻膠進(jìn)入其量產(chǎn)線，這也是三星進(jìn)行光刻膠本土量產(chǎn)的首次嘗試。不過考慮到三星與海外光刻膠供應(yīng)商的關(guān)系，目前具體產(chǎn)量尚不清楚，且三星是否會額外引進(jìn)其他品種的光刻膠也并沒有得到回應(yīng)。報道稱，三星電子已將韓國公司開發(fā)的用于高科技工藝的極紫外光刻膠（PR）引入其大規(guī)模生產(chǎn)線。2019 年 7 月，日本方面宣布限制向韓國出口包括含氟聚酰亞胺、光刻膠以及高純度氟化氫在內(nèi)的三項重要半導(dǎo)體及 OLED 面板原材料，經(jīng)過三年的努力，韓國實現(xiàn)了光刻
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日本光刻膠大廠旗下工廠發(fā)生爆炸事故

  • 3月3日消息，日媒報道，當(dāng)?shù)貢r間3月1日14時，位于日本宮崎縣延岡市水尻町的旭化成集團(tuán)“Kayak Japan”東海工廠突然發(fā)生爆炸和火災(zāi)。目前已確認(rèn)，事故造成至少一人受傷、一人失蹤。據(jù)旭化成延岡分公司透露，該工廠主要制造炸隧道、礦山等工程、國防用的火藥材料，爆炸發(fā)生實驗設(shè)施內(nèi)，具體愿意還在調(diào)查中。旭化成（Asahi Kasei）成立于1922年，總部位于日本東京，是日本排名前三位的綜合性化工企業(yè)集團(tuán)，集團(tuán)下設(shè)化學(xué)、建筑、電子、醫(yī)療四大業(yè)務(wù)板塊，年銷售額約合1200億元人民幣。目前旭化成是世界最大
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中國半導(dǎo)體行業(yè)10大光刻膠企業(yè)

  • 什么是光刻膠？為什么它在半導(dǎo)體領(lǐng)域如此之重要？光刻膠又叫光致抗蝕劑，制造一塊芯片往往要對硅片進(jìn)行數(shù)十次光刻，除了用到光刻機(jī)，還要添加光刻膠作為抗腐蝕涂層。這是一種高頻剛需的材料，光刻膠生產(chǎn)技術(shù)較為復(fù)雜，品種規(guī)格較多，在電子工業(yè)集成電路的制造中，對所使用光刻膠有嚴(yán)格的要求。說到材料就進(jìn)入了今天的主題，我們不得不接受一個殘酷的現(xiàn)實，中國大陸不僅造不出光刻機(jī)、光刻膠領(lǐng)域也被卡脖子了。今年五月份，日本對中國光刻膠提出了斷供，直接導(dǎo)致國內(nèi)多家晶圓廠將會面臨大缺貨的處境，按照工藝的先進(jìn)程度，光刻膠依次分為G線、I線、
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比芯片更讓人擔(dān)憂：光刻膠自給率不足5%，50nm工藝以下全靠進(jìn)口

  • 　　最近，關(guān)于日本光刻膠或斷供部分國內(nèi)芯片企業(yè)的消息，不時地傳出。原因在于日本的光刻膠產(chǎn)能沒有提升，且全球第五大光刻膠生產(chǎn)企業(yè)信越化學(xué)（日本企業(yè)）KrF光刻膠福島工廠關(guān)閉，產(chǎn)能受限，但全球芯片的產(chǎn)能在不斷的提升，于是光刻膠也開始供不應(yīng)求了。　　相應(yīng)的，這些光刻膠廠商肯定優(yōu)先供應(yīng)大客戶，中國的這些小客戶自然優(yōu)先級排在后面，所以也就有可能面臨斷供的風(fēng)險?！　『芏嗳吮硎?，斷供能夠逼著我們的光刻膠前進(jìn)，話是這樣沒錯，但說實話，目前國內(nèi)光刻膠技術(shù)與日本或者說國際領(lǐng)先水平差太遠(yuǎn)，一旦斷供，國產(chǎn)頂不上，影響還是很大的。
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中國芯片產(chǎn)業(yè)再破“卡脖子”，華為迎來新希望

  • 2019年5月份時，美國將華為列入到所謂的實體名單，之后在2020年，又對華為進(jìn)行了兩次無理的打壓，使得華為在芯片方面難以得到供應(yīng)，甚至連芯片代工也無法實現(xiàn)。正是因此，華為在2020年11月份，將榮耀整體出售，而華為的手機(jī)業(yè)務(wù)也受到很大的影響，因為芯片供應(yīng)短缺，使得華為的手機(jī)市場份額，已經(jīng)不再世界前五。不過我們看到，華為已經(jīng)找到了新的賽道，那就是智能電動汽車領(lǐng)域，華為給自己的定位，是成為該領(lǐng)域的增量部件提供商，這與手機(jī)業(yè)務(wù)的市場策略很不一樣。在智能手機(jī)上，華為的角色是一家整機(jī)廠商，其定位是產(chǎn)業(yè)鏈的下游；而
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光刻膠介紹

光刻膠-正文 　　又稱光致抗蝕劑，由感光樹脂、增感劑（見光譜增感染料）和溶劑三種主要成分組成的對光敏感的混合液體。感光樹脂經(jīng)光照后，在曝光區(qū)能很快地發(fā)生光固化反應(yīng)，使得這種材料的物理性能，特別是溶解性、親合性等發(fā)生明顯變化。經(jīng)適當(dāng)?shù)娜軇┨幚?，溶去可溶性部分，得到所需圖像（見圖）。光刻膠廣泛用于印刷電路和集成電路的制造以及印刷制版等過程。光刻膠的技術(shù)復(fù)雜，品種較多。根據(jù)其化學(xué)反應(yīng)機(jī)理和顯影原理， [ 查看詳細(xì) ]

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