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EEPW首頁 >> 主題列表 >> 功率器件

如何解決驅(qū)動單元設計中的電磁兼容問題

  • 電磁干擾一般通過空間輻射和通過導線傳導，在工程領域一直是人們要解決的難題和研究熱點。驅(qū)動單元作為大功率...
  • 關鍵字： 電磁兼容  電磁干擾  逆變  功率器件  

常用功率器件MOSFET的基礎知識介紹

  • 常用功率器件MOSFET的基礎知識介紹,我們都懂得如何利用二極管來實現(xiàn)開關，但是，我們只能對其進行開關操作，而不能逐漸控制信號流。此外，二極管作為開關取決于信號流的方向;我們不能對其編程以通過或屏蔽一個
  • 關鍵字： MOSFET  功率器件  

IR潘大偉：善用功率器件，為節(jié)能設計保駕護航

  • 在可以預見的未來，電能將會成為我們主要的消耗能源。大至高速列車，小至手機，都不能脫離電能而存在。無論什么類 ...
  • 關鍵字： IR  功率器件  節(jié)能設計  

揚州：電子制造業(yè)“三分天下”推動經(jīng)濟發(fā)展

  • 　　揚州電子信息產(chǎn)業(yè)近年來快速發(fā)展，從電線電纜獨大，到新能源和新光源產(chǎn)業(yè)崛起，“三分天下”格局初成。目前，電線電纜約占1/3，新光源和新能源各占20%強，電子信息制造業(yè)結(jié)構(gòu)趨于合理。未來將通過規(guī)劃引導、項目推動、創(chuàng)新突破等3大舉措，促進電子制造業(yè)加快發(fā)展。 　　布局3大產(chǎn)業(yè) 　　揚州電子制造業(yè)形成電線電纜、新光源、新能源3大產(chǎn)業(yè)齊頭并進新格局，結(jié)構(gòu)得到優(yōu)化。 　　目前，揚州光伏新能源產(chǎn)業(yè)已形成電子級高純度多晶硅、單晶硅、硅片、電池片、組件全產(chǎn)業(yè)鏈生產(chǎn)能力，多晶硅太陽能電池年產(chǎn)
  • 關鍵字： 電子制造  功率器件  

隔離驅(qū)動IGBT和PowerMOSFET等功率器件所需要的一些技巧

  • 功率器件，如IGBT，PowerMOSFET和BipolarPowerTransistor等等，都需要有充分的保護，以避免如欠壓，缺失飽和，米勒效...
  • 關鍵字： 隔離驅(qū)動  PowerMOSFET  功率器件  

功率器件IGBT應用中的常見問題解決方法

  • 1 引言80年代問世的絕緣柵雙極性晶體管IGBT是一種新型的電力電子器件，它綜合了gtr和MOSFET的優(yōu)點，控制方便、開關速度快、工作頻率高、安全工作區(qū)大。隨著電壓、電流等級的不斷提高，IGBT成為了大功率開關電源、變頻
  • 關鍵字： IGBT  功率器件  方法    

如何準確選擇功率器件二

  • 第三步：確定熱要求　　選擇MOSFET的下一步是計算系統(tǒng)的散熱要求。設計人員必須考慮兩種不同的情況，即最壞情 ...
  • 關鍵字： 功率器件  

如何準確選擇功率器件一

  • 所謂功率半導體器件，以前也被稱為電力電子器件，簡單來說，就是進行功率處理的，具有處理高電壓，大電流能力的半導體 ...
  • 關鍵字： 功率器件    

隔離驅(qū)動IGBT和Power MOSFET等功率器件所需的技巧二

  • 11、請問：HCPl-316產(chǎn)品如何做到短路時軟關斷？謝謝！　　HCPL-316J 飽和閾值的頂點設置在7V，這是對通過一個比較 ...
  • 關鍵字： IGBT  Power  MOSFET  功率器件  

隔離驅(qū)動IGBT和Power MOSFET等功率器件所需的技巧

  • 功率器件，如IGBT，Power MOSFET和Bipolar Power Transistor等等，都需要有充分的保護，以避免如欠壓，缺失飽和，米勒效 ...
  • 關鍵字： IGBT  Power  MOSFET  功率器件  

Diodes霍爾開關有效優(yōu)化敏感度

  • Diodes公司 (Diodes Incorporated) 推出四款全極性霍爾效應開關，其磁場檢測的敏感度適合于多種產(chǎn)品設計的接近效應與位置檢測功能。這些微功率器件也為電池及低功率操作進行了優(yōu)化，在3V供電下一般僅消耗24 μW。
  • 關鍵字： Diodes  功率器件  霍爾效應  

國產(chǎn)IGBT廠商開始小批量銷售

  • 　　“十二五”規(guī)劃出臺以后，國家對新能源、新型軌道交通等新興行業(yè)的發(fā)展非常重視，同時，“節(jié)能減排”工作也深入開展，中國開始從粗放型用電到精細化用電轉(zhuǎn)型。包括IGBT等半導體功率器件作為關鍵部件，受到了國家的重視，近兩年更是列入國家重大科技專項中提供多方位的支持。 　　絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)是繼雙極晶體管(GTR)和MOSFET后的第三代功率半導體分立器件，具有易于驅(qū)動、峰值電流容量大、自關斷、開關頻率高的特點，廣泛用于小體積、高效率的變頻電源、電機
  • 關鍵字： 新能源  功率器件  IGBT  

富士通半導體明年計劃量產(chǎn)GaN功率器件

  • 　　上海，2012年11月20日 –富士通半導體(上海)有限公司今日宣布采用其基于硅基板的氮化鎵 (GaN) 功率器件的服務器電源單元成功實現(xiàn)2.5kW的高輸出功率，富士通半導體計劃將于2013年下半年開始量產(chǎn)這些GaN功率器件。這些器件可廣泛用于電源增值應用，對實現(xiàn)低碳社會做出重大貢獻。 　　與傳統(tǒng)硅基功率器件相比，基于GaN的功率器件具有導通電阻低和能夠進行高頻操作等特性。而這些特性恰恰有利于提高電源單元轉(zhuǎn)換效率，并使電源單元更加緊湊。富士通半導體計劃在硅基板上進行GaN功率器件的商業(yè)化
  • 關鍵字： 富士通  功率器件  GaN  

富士通半導體明年計劃量產(chǎn)氮化鎵功率器件

  • 　　富士通半導體宣布采用其基于硅基板的氮化鎵 (GaN) 功率器件的服務器電源單元成功實現(xiàn)2.5kW的高輸出功率，富士通半導體計劃將于2013年下半年開始量產(chǎn)這些GaN功率器件。這些器件可廣泛用于電源增值應用，對實現(xiàn)低碳社會做出重大貢獻。 　　與傳統(tǒng)硅基功率器件相比，基于GaN的功率器件具有導通電阻低和能夠進行高頻操作等特性。而這些特性恰恰有利于提高電源單元轉(zhuǎn)換效率，并使電源單元更加緊湊。富士通半導體計劃在硅基板上進行GaN功率器件的商業(yè)化，從而可以通過硅晶圓直徑的增加，來實現(xiàn)低成本生產(chǎn)。按照此目標，富
  • 關鍵字： 富士通  功率器件  硅基板  

電源功率器件的散熱

  • 在穩(wěn)壓電源中主元器件采用功率半導體器件，如功率晶體管（GTR）、功率場效應晶體管（MOSFET）、絕緣柵雙極晶體管（I...
  • 關鍵字： 電源  功率器件  散熱  
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功率器件介紹

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