功率器件文章進(jìn)入功率器件技術(shù)社區(qū)

東芝電子攜多款功率器件產(chǎn)品參加PCIM 2014

　　日本半導(dǎo)體制造商株式會(huì)社東芝(Toshiba)旗下東芝半導(dǎo)體&存儲(chǔ)產(chǎn)品公司宣布，將參加在上海舉行的“上海國(guó)際電力元件、可再生能源管理展覽會(huì)”(PCIM Asia 2014 )。本次展會(huì)于2014年6月17日至19日在上海世博展覽館拉開(kāi)帷幕，東芝半導(dǎo)體&存儲(chǔ)產(chǎn)品公司此次將展示其最新的、應(yīng)用在電力領(lǐng)域的技術(shù)和產(chǎn)品。　　展示產(chǎn)品簡(jiǎn)介: 　　IEGT (Injection Enhanced Gate Transistor) 　　東芝在IGBT的基礎(chǔ)上成功研發(fā)出&
關(guān)鍵字：東芝功率器件光耦

　　通過(guò)對(duì)眾多公司的訪問(wèn)，發(fā)現(xiàn)數(shù)字電源是增長(zhǎng)很快的領(lǐng)域;功率器件的效能在提升，封裝是其創(chuàng)新的一個(gè)重要部分;電源模塊正面向特定的應(yīng)用和客戶，提供端到端的解決方案;電源芯片向微納功耗和能量采集領(lǐng)域挺進(jìn);電源測(cè)試在從單臺(tái)儀器向整體解決方案轉(zhuǎn)型。
關(guān)鍵字：電源功率器件電源管理能量采集 201404

本文介紹了一種“總體分布、局部集中”式的轎車(chē)車(chē)門(mén)控制器設(shè)計(jì)方案，即以安森美半導(dǎo)體系統(tǒng)基礎(chǔ)芯片NCV7462和...
關(guān)鍵字：前車(chē)門(mén)控制器感應(yīng)電阻器功率器件

　　雖然電動(dòng)汽車(chē)完全成為主流還需要一定的時(shí)間，但一些制造商深信面向大眾市場(chǎng)的零排放汽車(chē)時(shí)代已經(jīng)來(lái)臨。當(dāng)談到針對(duì)未來(lái)交通開(kāi)發(fā)的技術(shù)時(shí)，電動(dòng)汽車(chē)和電池產(chǎn)業(yè)毫無(wú)疑問(wèn)是焦點(diǎn)所在，當(dāng)前研發(fā)工作重點(diǎn)放在提高電池存儲(chǔ)容量和加快電池充電時(shí)間。通過(guò)與汽車(chē)和電池制造商的合作，TEConnectivity公司目前正在為這一新興市場(chǎng)領(lǐng)域開(kāi)發(fā)新的技術(shù)和解決方案。　　下圖顯示了PPTC技術(shù)如何應(yīng)用于混合動(dòng)力汽車(chē)和電動(dòng)汽車(chē)電池模塊中的過(guò)溫檢測(cè)。該例使用了一個(gè)熱敏傳感器陣列來(lái)監(jiān)視單節(jié)電池故障。由于給PPTC器件加熱會(huì)使器件電阻迅速非
關(guān)鍵字：電動(dòng)汽車(chē) 電源功率器件

日前，電子發(fā)燒友網(wǎng)攜手飛兆半導(dǎo)體等業(yè)界五大知名廠商，成功舉辦“2013電源管理技術(shù)研討會(huì)”，200多位技術(shù)研發(fā)工 ...
關(guān)鍵字：綠色電源高性能功率器件

2013年9月5日，首屆“第三代半導(dǎo)體材料及應(yīng)用發(fā)展國(guó)際研討會(huì)”在深圳成功召開(kāi)，來(lái)自中科院半導(dǎo)體研究所、南...
關(guān)鍵字： Si基 GaN 功率器件

驅(qū)動(dòng)IGBT電壓型功率器件有多種具有保護(hù)及隔離功能的集成驅(qū)動(dòng)模塊。這些模塊具有多種保護(hù)功能、隔離驅(qū)動(dòng)...
關(guān)鍵字：功率器件 IR2110 IGBT

盡管內(nèi)燃機(jī)驅(qū)動(dòng)的汽車(chē)可以相對(duì)輕松地從12V電池供電和相應(yīng)的12V/14V交流馬達(dá)獲取車(chē)載系統(tǒng)的電氣需求，但由...
關(guān)鍵字：功率器件混合動(dòng)力車(chē)

開(kāi)關(guān)電源一直是電子行業(yè)里非常熱門(mén)的技術(shù)，而它的發(fā)展趨勢(shì)又是大家必須時(shí)刻關(guān)注的問(wèn)題，不然一不留神就會(huì)跟...
關(guān)鍵字：功率器件開(kāi)關(guān)電源電源

IGBT，PowerMOSFET和BipolarPowerTransistor等功率器件，都需要有充分的保護(hù)以避免欠壓、米勒效應(yīng)、缺失飽和...
關(guān)鍵字：隔離驅(qū)動(dòng) 功率器件

大型電力電子設(shè)備中，隨著溫度的增加，失效率也增加，因此大功率高壓變頻器功率器件的熱設(shè)計(jì)直接關(guān)系到設(shè)備的可...
關(guān)鍵字：大功率高壓變頻器功率器件

　　GaN是什么? 　　什么是GaN?GaN中文名：氮化嫁，用化學(xué)元素來(lái)解釋就是V族化合物。六方晶系鉛鋅礦型結(jié)構(gòu)，為直接帶隙半導(dǎo)體。室溫禁帶寬度3.39eV。電子和空穴有效慣性質(zhì)量分別為0.19和0.6。電阻率>107Ω·m，電子遷移率 (1.25～1.50)×10-2m2/(V·s)。采用化學(xué)氣相淀積法制備。　　GaN材料的研究與應(yīng)用是全球半導(dǎo)體研究的熱點(diǎn)，是研制微電子器件、光電子器件的新型半導(dǎo)體材料，并與SIC、金剛石等半導(dǎo)體材料一起，被
關(guān)鍵字： GaN 功率器件

摘要：通過(guò)探討新一代汽車(chē)電子滿足消費(fèi)者對(duì)汽車(chē)在安全、舒適與節(jié)能三個(gè)方面的要求方面的具體技術(shù)發(fā)展，構(gòu)畫(huà)出全新的汽車(chē)功能的未來(lái)。
關(guān)鍵字：汽車(chē)電子汽車(chē)工業(yè) 新能源汽車(chē) 功率器件 ECU 201308

富士通半導(dǎo)體(上海)有限公司日前宣布，推出基于硅襯底的氮化鎵(GaN)功率器件芯片MB51T008A，該芯片可耐壓150 V。富士通半導(dǎo)體將于2013年7月起開(kāi)始提供新品樣片。該產(chǎn)品初始狀態(tài)是斷開(kāi)(Normally-off)，相比于同等耐壓規(guī)格的硅功率器件，品質(zhì)因數(shù)(FOM)可降低近一半。
關(guān)鍵字：富士通功率器件 GaN MB51T008A

　　微型隔離器的應(yīng)用可進(jìn)一步縮小電動(dòng)及混合動(dòng)力汽車(chē)功率逆變器的體積　　瑞薩電子公司開(kāi)發(fā)的配有內(nèi)置式微型隔離器的 IGBT 驅(qū)動(dòng)器智能器件　　日本東京訊-全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體及解決方案供應(yīng)商瑞薩電子株式會(huì)社(TSE：6723)今天宣布開(kāi)發(fā)出了隔離型IGBT驅(qū)動(dòng)器的R2A25110KSP智能型功率器件，適用于電動(dòng)和混合動(dòng)力汽車(chē)功率逆變器。R2A25110KSP中融入了瑞薩電子公司最新開(kāi)發(fā)的微型隔離器隔離專項(xiàng)技術(shù)。這些技術(shù)可為汽車(chē)應(yīng)用系統(tǒng)建立更可靠、更緊湊的系統(tǒng)。　　用于驅(qū)動(dòng)電動(dòng)和混合動(dòng)力汽車(chē)中的電機(jī)
關(guān)鍵字：瑞薩功率器件