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EEPW首頁 >> 主題列表 >> 存儲器

存儲器廠憂DRAM漲勢受阻

  • 韓國存儲器大廠SK海力士透露,因市況好轉(zhuǎn),考慮在第一季增產(chǎn)部分特殊DRAM,市場擔心稼動率回升,破壞以往存儲器大廠減產(chǎn)提價共識,恐不利后續(xù)DRAM漲勢。觀察16日存儲器族群股價,包括鈺創(chuàng)、華邦電、南亞科、點序、十銓、品安、晶豪科等,股價跌幅逾2%,表現(xiàn)較大盤弱勢。惟業(yè)界人士認為,包括三星、SK海力士及美光等三大原廠產(chǎn)能,多往1-alpha/beta先進制程升級,以滿足獲利較佳DDR5及高帶寬存儲器(HBM)需求,預(yù)期利基型DRAM后市仍呈正向趨勢。SK海力士執(zhí)行長郭魯正先前在2024年拉斯韋加斯消費性電子
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美光存儲器助力AI造福精神健康

  • 1?沉重的社會話題幾年前,王女士朋友的70多歲婆婆患了阿爾茲海默癥,朋友的老公后來無法外出工作,在家全職照顧她。這使王女士開始關(guān)注這類病癥,了解到如果盡早地發(fā)現(xiàn)和干預(yù),可使病癥發(fā)展減緩。同時,患者需要大量的康復(fù)訓(xùn)練,但患者因為腦部疾病會難以融入社區(qū)、社會,同時因為昂貴的康復(fù)費用等因素,為康復(fù)帶來一定的難度。在不久前的CNCC2023(中國計算機大會)上,王女士了解到精神健康已是一個重要的社會話題,相關(guān)的醫(yī)學電子正向數(shù)據(jù)驅(qū)動型、精準診療方向發(fā)展,而生成式AI /大模型是推進其進化的加速器。生成式A
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意法半導(dǎo)體STM32F103RET7單片機的工作原理、優(yōu)缺點、應(yīng)用、引腳

  • ST(意法半導(dǎo)體)的型號STM32F103RET7屬于32位MCU微控制器,采用集成高性能Arm?Cortex?-M3 32位RISC核心,在72MHz頻率下工作,高速嵌入式存儲器(閃存高達512千字節(jié),SRAM高達64千字節(jié)),以及廣泛的增強I/ o和連接到兩個APB總線的外設(shè)。STM32F103RET7提供3個12位adc,4個通用16位定時器加上兩個PWM定時器,以及標準和高級通信接口:最多兩個i2c,三個spi,兩個I2Ss,一個SDIO, 5個usart,一個USB和一個CAN。STM32F10
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干貨|必看的單片機知識

  • 前言1946年2月15日,第一臺電子數(shù)字計算機?ENIAC問世,這標志著計算機時代的到來。ENIAC?是電子管計算機,時鐘頻率雖然僅有 100 kHz,但能在1s?的時間內(nèi)完成 5000 次加法運算。與現(xiàn)代的計算機相比,ENIAC有許多不足,但它的問世開創(chuàng)了計算機科學技術(shù)的新紀元,對人類的生產(chǎn)和生活方式產(chǎn)生了巨大的影響。在研制?ENIAC?的過程中,匈牙利籍數(shù)學家馮·諾依曼擔任研制小組的顧問,并在方案的設(shè)計上做出了重要的貢獻。1946年6月,馮·諾依曼又提
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OptiFlash存儲器技術(shù)如何利用外部閃存應(yīng)對軟件定義系統(tǒng)中的挑戰(zhàn)

  • 在寫字樓、工廠車間和汽車中,軟件正逐步取代機械部件和固定電路。例如,使用智能鎖取代機械鎖后,用戶可以通過手機應(yīng)用程序?qū)χ悄苕i進行控制,同時制造商可通過軟件更新、改進或校正智能鎖的功能。在這種趨勢下,人們對存儲器的要求不斷提高,這一挑戰(zhàn)不容忽視。在常嵌入閃存存儲器的微控制器 (MCU) 中,存儲器的容量也在快速增加。除了宏觀趨勢外,MCU 中的一些特定發(fā)展趨勢(包括更高的計算帶寬、功能集成以及包含額外的大型通信棧)也決定了需要更大容量的閃存。當出現(xiàn)無線更新的需求時,由于原始圖像和備份圖像都需要存儲,上述的這
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存儲器大廠積極布局,DDR5與HBM受青睞

  • 今年以來,ChatGPT持續(xù)推動生成式AI需求上漲,加上PC與服務(wù)器領(lǐng)域平臺不斷推陳出新,HBM與DDR5等高附加值DRAM芯片備受市場青睞,存儲器大廠不約而同積極布局上述產(chǎn)品。DDR5:美光發(fā)布新品、三星計劃擴大產(chǎn)線當前DDR5制程已經(jīng)來到1β DRAM,今年10月美光科技宣布推出基于1β技術(shù)的DDR5內(nèi)存,速率高達 7200 MT/s,現(xiàn)已面向數(shù)據(jù)中心及 PC 市場的所有客戶出貨。此外,該款DDR5內(nèi)存采用先進的High-K CMOS器件工藝、四相時鐘和時鐘同步技術(shù),相比上一代產(chǎn)品,性能提升高
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新興內(nèi)存技術(shù):半導(dǎo)體廠商的革命

  • 半導(dǎo)體行業(yè)的不斷發(fā)展是由一個基本原則驅(qū)動的:存儲器。內(nèi)存技術(shù)是數(shù)字時代背后的無名英雄,支撐著從智能手機的數(shù)據(jù)存儲到超級計算機的效率的一切。隨著對更快、更可靠、更節(jié)能的存儲器的需求激增,新一波新興的非易失性存儲器技術(shù)有望重塑半導(dǎo)體工廠并增強我們的數(shù)字體驗。半導(dǎo)體存儲器的現(xiàn)狀要了解新興存儲技術(shù)的重要性,了解其前輩至關(guān)重要。傳統(tǒng)的半導(dǎo)體存儲器分為兩類:易失性和非易失性。易失性存儲器,如動態(tài)隨機存取存儲器 (DRAM),可提供快速數(shù)據(jù)訪問,但需要持續(xù)供電才能保留信息。非易失性存儲器,例如 NAND 閃存,可以在沒
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存儲器報價 明年H1抬頭

  • 三星(Samsung)、海力士(SK Hynix)近期接續(xù)舉行法說,釋出對存儲器產(chǎn)業(yè)看法,兩大廠商均表示,PC、手機終端庫存去化已告一段落、傳統(tǒng)服務(wù)器需求依然疲弱,而AI服務(wù)器需求則較為強勁。業(yè)界人士認為,存儲器原廠減產(chǎn)以求獲利的決心不容小覷,在獲利數(shù)字翻正前,應(yīng)會持續(xù)減產(chǎn)策略,預(yù)期2024年上半年內(nèi)存報價向上趨勢不變。臺系存儲器相關(guān)廠商包括南亞科、華邦電、群聯(lián)、威剛、創(chuàng)見、十銓、宇瞻等有望受惠。時序進入第四季,三星認為,市場復(fù)蘇將加速,在旺季帶動之下,市場DRAM、NAND Flash位出貨量,可望分別
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樹立新一代存儲產(chǎn)品標桿,兆易創(chuàng)新開拓高能效應(yīng)用賽道

  • 近日,第11屆EEVIA年度中國硬科技媒體論壇暨產(chǎn)業(yè)鏈研創(chuàng)趨勢展望研討會在深圳隆重開啟。兆易創(chuàng)新存儲器事業(yè)部產(chǎn)品市場經(jīng)理張靜受邀出席,以“持續(xù)開拓,兆易新一代存儲產(chǎn)品助力行業(yè)創(chuàng)新”為題,分享了兆易創(chuàng)新在嵌入式存儲器領(lǐng)域的廣泛布局,以及面向產(chǎn)業(yè)技術(shù)變革浪潮的創(chuàng)新思考,共同探討“半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)波動周期”下的存儲器市場發(fā)展趨勢。GD Flash的開拓之路:十四載達成212億顆出貨成就眾所周知,F(xiàn)lash是一種非易失性的存儲器,在斷電和掉電的情況下,存儲的內(nèi)容不會發(fā)生丟失,是絕大多數(shù)電子系統(tǒng)必備的元器件。作為一家以存
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存儲器大廠:HBM4,2025年供貨!

  • 人工智能浪潮之下,HBM從幕后走向臺前,市場需求持續(xù)看漲。全球市場研究機構(gòu)TrendForce集邦咨詢預(yù)測,2023年HBM需求量將年增58%,2024年有望再成長約30%。與傳統(tǒng)DRAM相比,HBM具備高帶寬、高容量、低延時與低功耗等優(yōu)勢,可以加快AI數(shù)據(jù)處理速度,更適用于ChatGPT等高性能計算場景,因而備受青睞,存儲大廠也在積極推動HBM技術(shù)迭代。存儲大廠持續(xù)發(fā)力,三星將推出HBM4自2014年首款硅通孔HBM產(chǎn)品問世至今,HBM技術(shù)已經(jīng)更新迭代出多款產(chǎn)品,分別有HBM、HBM2、HBM2E、HB
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存儲產(chǎn)業(yè)亟待“翻身仗”,四大廠商最新營收幾何?

  • 2023年已過去一大半,存儲產(chǎn)業(yè)雖仍處于待復(fù)蘇階段,但歷經(jīng)原廠陸續(xù)減產(chǎn)后,業(yè)界期盼的暖風或許正在到來。從多家廠商最新營收來看,整體營收仍是下降趨勢,但各廠商營收出現(xiàn)了環(huán)比增長的跡象,預(yù)示著需求正在慢慢升溫。群聯(lián)電子:9月營收月增25%存儲器控制芯片商群聯(lián)電子公布,其9月營收為50.04億元新臺幣,月增25.38%,年增4.05%,重返50億元新臺幣大關(guān),創(chuàng)14個月新高。根據(jù)數(shù)據(jù),群聯(lián)電子第三季營收為123.88 億元新臺幣,較第二季成長近24%,年減15%;2023年前三季累計營收324.74 億元新臺幣
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存儲芯片的「寒冬期」即將過去

  • 半導(dǎo)體存儲器銷售最差時期已過,價格已止跌。
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UCODE標簽存儲器擴展對供應(yīng)鏈及工業(yè)物聯(lián)網(wǎng)的影響

  • 每年有數(shù)百億個RAIN RFID標簽穿梭于價值鏈,識別跟蹤各類物品。在大多數(shù)情況下,只需少量的存儲空間便可以存儲產(chǎn)品和標簽ID,從而區(qū)分各個物品,并報告物品在系統(tǒng)中的位置和/或狀態(tài)。那么,為什么某些RAIN RFID標簽提供額外的存儲空間呢?因為在某些情況下,特別是在供應(yīng)鏈和工業(yè)物聯(lián)網(wǎng)中(IoT),即使一點點額外的存儲空間也會帶來很大的影響。除了產(chǎn)品和標簽ID外,擴展存儲器標簽可以存儲其他信息,有助于提升效率、提高自動化水平并降低運營成本。 什么是擴展存儲器標簽?提供擴展存儲器的RAIN RFI
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新的存儲器研究使密度躍升100倍

  • 存儲密度躍升 10 到 100 倍?
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三星宣布開始量產(chǎn)其功耗最低的車載UFS 3.1存儲器解決方案

  • 今日,三星電子宣布,已開始量產(chǎn)為車載信息娛樂系統(tǒng)(IVI)優(yōu)化的全新車載UFS 3.1存儲器解決方案。該解決方案擁有三星車載存儲器最低的功耗,可助力汽車制造商為消費者打造優(yōu)秀的出行體驗。為滿足客戶的不同需求,三星的UFS 3.1(通用閃存)將推出128、256和512千兆字節(jié)(GB)三種容量。在未來的汽車(電動汽車或自動駕駛汽車)應(yīng)用中,增強的產(chǎn)品陣容能夠更有效地管理電池壽命。其中,256GB容量的產(chǎn)品,功耗較上一代產(chǎn)品降低了約33%,還提供了每秒700兆字節(jié)(MB/s)的順序?qū)懭胨俣群?000MB/
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存儲器介紹

什么是存儲器 存儲器(Memory)是計算機系統(tǒng)中的記憶設(shè)備,用來存放程序和數(shù)據(jù)。計算機中的全部信息,包括輸入的原始數(shù)據(jù)、計算機程序、中間運行結(jié)果和最終運行結(jié)果都保存在存儲器中。它根據(jù)控制器指定的位置存入和取出信息。 存儲器的構(gòu)成 構(gòu)成存儲器的存儲介質(zhì),目前主要采用半導(dǎo)體器件和磁性材料。存儲器中最小的存儲單位就是一個雙穩(wěn)態(tài)半導(dǎo)體電路或一個CMOS晶體管或磁性材 [ 查看詳細 ]
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