- 富士通半導體(上海)有限公司于日前宣布其獲得海思半導體策略ASIC合作伙伴榮譽。富士通的高速IP解決方案和ASIC設計服務,是海思授予其這一榮譽的關鍵所在。
由于不斷升級的處理速度和越來越復雜的調制解調算法,現(xiàn)代通信芯片往往會集成數(shù)億個同時工作的晶體管和超高速的模擬互聯(lián)IP。而在這樣的芯片上,領先工藝所帶來的物理設計收斂會變得越來越困難,片上巨大規(guī)模的數(shù)字電路對超高速模擬IP的串擾也變得越來越明顯,如何在很短的設計周期內去盡可能的定義和優(yōu)化全芯片的低功耗策略,如何協(xié)同考慮封裝設計來包容超高的功耗
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富士通 ASIC 半導體
- 日本三大系統(tǒng)LSI制造商的業(yè)務合并談判已接近尾聲,將在3月底之前確定框架,2013年度內實施重組。不過,由于技術革新,重組后的戰(zhàn)略卻很難制定。
日本半導體產業(yè)很可能在不久進行重組。2012年是日本半導體行業(yè)大動蕩的一年,大型DRAM企業(yè)爾必達存儲器破產、大型MCU企業(yè)瑞薩電子接受救助,2013年的焦點則是系統(tǒng)LSI行業(yè)的重組。
參與重組的是富士通、松下和瑞薩三家企業(yè)。這三家企業(yè)從2012年初開始進行業(yè)務合并談判。作為主角之一的富士通社長山本正在接受《日經商務周刊》等采訪時表明了要盡快結束談
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富士通 半導體 系統(tǒng)LSI
- 北京時間1月12日凌晨消息,在過去幾年時間里,有很多人都爭相把自己的舊手機換成智能手機,而與此同時,日本的風流男子卻仍舊忠于一個特定的品牌:富士通老式的“F系列”手機,擁有一些頗具吸引力的秘密隱私權功能。
這種老化的錢夾式翻蓋手機——它的外號用日語來說是“uwaki keitai”,也就是“私通手機”——在顧客中很有人氣,他們不相信更新的智能手機也能同樣小心地掩蓋他們不正當?shù)牧_
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富士通 DoCoMo手機
- 大家都知道win8是主打觸摸屏技術的微軟新一代操作系統(tǒng)。但是悲劇的是,之前有推出過觸摸屏功能的筆記本實在太少了。而富士通就是其中少有的幾家之一!而且相對于另一家thinkpad的t系列電阻屏來說,富士通是少有的早先就使用上電容屏觸摸的筆記本電腦!t901使用最新的i7處理器,可以說它生來就是為win8準備的。只是悲劇的是win8你來的太晚了!不過snb的i7依然能夠給予win8最強勁的支持!
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既是筆記本,又是平板,這就是t901,其實pad
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富士通 win8 T901
- 北京時間12月29日晚間消息,路透社援引消息人士的觀點稱,日本富士通正與臺灣芯片代工廠商臺積電接洽,打算將旗下12寸晶圓廠出售給后者。
報道稱,日本的芯片廠商正面臨架構升級成本高昂、日元持續(xù)走強以及來自三星等韓國競爭對手的強勢沖擊等不利因素,不得不考慮將生產外包到日本之外的地方。
富士通此次打算出售的是其位于日本西部三重縣的半導體工廠,該工廠主要生產用于照相機的圖像處理芯片,以及用戶超級計算機的數(shù)字運算芯片。
據(jù)稱,此次出售制造工廠是富士通戰(zhàn)略調整計劃的一部分,該公司打算將生產制造業(yè)
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富士通 芯片 晶圓
- 2012年10月24日,由電子產品世界雜志社主辦的“第二屆高效節(jié)能電機控制技術解決方案專題研討會”如期在上海召開,來自電機控制應用設計領域的200余位工程師代表出席了活動。
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德州儀器 富士通 電機控制 201212
- 隨著科技的發(fā)展,在半導體設計制造方面,各相關廠商相繼突破制造工藝,提高市場競爭力。
2012年初,富士通半導體宣布交付其為中小型IC設計公司量身定制的55nm創(chuàng)新工藝制程(可兼容65nmIP、性能堪比40nm工藝),一度引發(fā)中國IC設計業(yè)的震動。而在日前于重慶舉辦的“中國集成電路設計業(yè)2012年會暨重慶集成電路跨越發(fā)展高峰論壇”上,富士通半導體又一次帶來驚喜,率先將已經量產的成熟28nm先進工藝和設計服務帶給中國高端SoC設計業(yè)者。
“55nm創(chuàng)新工藝制
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富士通 IC 28nm
- 近年來,國家比較重視工控業(yè)的發(fā)展,在政策上給予鼓勵與扶持。但是由于人力成本上升、技術實力偏低等的因素影響...
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工控行業(yè) 西門子 ABB
- 致力于開發(fā)低功耗CMOS技術的公司SuVolta日前發(fā)布了一項旨在展示其DDC(深度耗盡通道,Deeply Depleted Channel?)技術在性能和功耗方面優(yōu)勢的測試結果。該結果來自于采用SuVoltaPowerShrink?低功耗CMOS平臺設計、并由富士通半導體有限公司的65納米低功耗工藝制造的模擬及數(shù)字電路。
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SuVolta 富士通 半導體 DDC
- 2012年初,富士通半導體宣布交付其為中小型IC設計公司量身定制的55nm創(chuàng)新工藝制程(可兼容65nm IP、性能堪比40nm工藝),一度引發(fā)中國IC設計業(yè)的震動。
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富士通 IC設計 SoC
- 富士通半導體(上海)有限公司日前宣布其低功耗鐵電隨機存取存儲器FRAM又添小封裝成員-SON-8封裝的MB85RC16。富士通的MB85RC16提供標準封裝SOP-8,SON-8是為該產品添加的新型封裝。
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富士通 FRAM 存儲器
- 上海,2012年11月20日 –富士通半導體(上海)有限公司今日宣布采用其基于硅基板的氮化鎵 (GaN) 功率器件的服務器電源單元成功實現(xiàn)2.5kW的高輸出功率,富士通半導體計劃將于2013年下半年開始量產這些GaN功率器件。這些器件可廣泛用于電源增值應用,對實現(xiàn)低碳社會做出重大貢獻。
與傳統(tǒng)硅基功率器件相比,基于GaN的功率器件具有導通電阻低和能夠進行高頻操作等特性。而這些特性恰恰有利于提高電源單元轉換效率,并使電源單元更加緊湊。富士通半導體計劃在硅基板上進行GaN功率器件的商業(yè)化
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富士通 功率器件 GaN
- 富士通半導體宣布采用其基于硅基板的氮化鎵 (GaN) 功率器件的服務器電源單元成功實現(xiàn)2.5kW的高輸出功率,富士通半導體計劃將于2013年下半年開始量產這些GaN功率器件。這些器件可廣泛用于電源增值應用,對實現(xiàn)低碳社會做出重大貢獻。
與傳統(tǒng)硅基功率器件相比,基于GaN的功率器件具有導通電阻低和能夠進行高頻操作等特性。而這些特性恰恰有利于提高電源單元轉換效率,并使電源單元更加緊湊。富士通半導體計劃在硅基板上進行GaN功率器件的商業(yè)化,從而可以通過硅晶圓直徑的增加,來實現(xiàn)低成本生產。按照此目標,富
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富士通 功率器件 硅基板
- 全球領先的全套互連產品供應商Molex公司在美國賓夕法尼亞州費城舉辦的Automation Fair 2012展會上展示一款新型固件產品SST?以太網通信模塊,這款固件提升了對西門子工業(yè)以太網協(xié)議的支持。
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Molex 西門子 以太網 SST
- 富士通半導體(上海)有限公司日前宣布采用其基于硅基板的氮化鎵 (GaN) 功率器件的服務器電源單元成功實現(xiàn)2.5kW的高輸出功率,富士通半導體計劃將于2013年下半年開始量產這些GaN功率器件。這些器件可廣泛用于電源增值應用,對實現(xiàn)低碳社會做出重大貢獻。
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