臺積電美國晶圓廠4nm試產(chǎn)良率已與在臺工廠相近

據(jù)彭博社援引消息稱，臺積電美國亞利桑那州晶圓廠項(xiàng)目首座工廠4nm產(chǎn)線的試產(chǎn)良率已與臺積電位于臺灣地區(qū)的南科廠良率相近。臺積電在回應(yīng)彭博社報道的電子郵件中表示，其亞利桑那州項(xiàng)目“正在按計劃進(jìn)行，進(jìn)展良好”。

根據(jù)此前的信息顯示，臺積電美國亞利桑那州的第一座晶圓廠在今年4月中旬完成了第一條生產(chǎn)線的架設(shè)，并開始接電并投入基于4nm制程進(jìn)行工程測試晶圓的生產(chǎn)，而根據(jù)彭博社最新的報道來看，基于該生產(chǎn)線的第一批試產(chǎn)的4nm晶圓良率如果與南科廠良率相當(dāng)，那么表明其后續(xù)如果量產(chǎn)，良率將不是問題。

根據(jù)規(guī)劃，臺積電將在美國亞利桑那州鳳凰城建設(shè)三座晶圓廠，其中晶圓一廠（Fab21）是4nm制程晶圓廠，晶圓二廠則是3nm晶圓廠。臺積電原計劃在2024年讓其首座亞利桑那州工廠全面投產(chǎn)，但由于缺乏熟練工人，將這一目標(biāo)推遲到了2025年 —— 這一延遲曾引發(fā)人們擔(dān)心臺積電在美國是否能像在本部一樣高效制造芯片，晶圓二廠的量產(chǎn)時間也由原定的2026年推遲到了2028年。

此外，臺積電還將在亞利桑那州建設(shè)第三座晶圓廠，預(yù)計將在21世紀(jì)20年代底（2029-2030年），采用2nm或更先進(jìn)的制程技術(shù)進(jìn)行芯片生產(chǎn)。

據(jù)臺積電方面透露，該首座晶圓廠有望在今年內(nèi)完成所有量產(chǎn)準(zhǔn)備，并有望提前達(dá)到公司原定的2025年量產(chǎn)目標(biāo)。這一進(jìn)展不僅將大幅提升臺積電在美國的半導(dǎo)體生產(chǎn)能力，還將為包括人工智能（AI）在內(nèi)的高端應(yīng)用提供更加強(qiáng)大的支持。

臺積電這三座晶圓廠的總投資將會達(dá)到650億美元。根據(jù)臺積電與美國商務(wù)部達(dá)成的不具約束力的初步備忘錄，后者將根據(jù)美國「芯片法案」向臺積電授予最多66億美元直接資金補(bǔ)貼和50億美元貸款。

值得注意的是，按照晶圓一廠從試產(chǎn)到量產(chǎn)約6.5個月、驗(yàn)證一個月估算，臺積電有機(jī)會在今年底就完成量產(chǎn)所有準(zhǔn)備，那么明年上半年將實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。預(yù)計屆時蘋果、英偉達(dá)、AMD、高通等美國芯片設(shè)計大廠都將會下單。