碳化硅 mosfet 文章 進入碳化硅 mosfet技術(shù)社區(qū)
世平安森美推出新一代GaN氮化鎵/SiC碳化硅MOSFET高壓隔離驅(qū)動器NCP51561 應(yīng)用于高頻小型化工業(yè)電源
- 現(xiàn)階段硅元件的切換頻率極限約為65~95kHz,工作頻率再往上升,將會導(dǎo)致硅MOSFET耗損、切換損失變大;再者Qg的大小也會影響關(guān)斷速度,而硅元件也無法再提升。因此開發(fā)了由兩種或三種材料制成的化合物半導(dǎo)體GaN氮化鎵和SiC碳化硅功率電晶體,雖然它們比硅更難制造及更昂貴,但也具有獨特的優(yōu)勢和優(yōu)越的特性,使得這些器件可與壽命長的硅功率LDMOS MOSFET和超結(jié)MOSFET競爭。GaN和SiC器件在某些方面相似,可以幫助下一個產(chǎn)品設(shè)計做出更適合的決定。?GaN氮化鎵是最接近理想的半導(dǎo)體開關(guān)的器
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基于英飛凌SIC MOSFET 和驅(qū)動器的11kW DC-DC變換器方案
- REF-DAB11KIZSICSYS是一個CLLC諧振DC/DC轉(zhuǎn)換器板,能夠提供高達11kW的800 V輸出電壓,IMZ120R030M1H(30mΩ/1200V SiC MOSFET)加上1EDC20I12AH,使其性價比和功率密度更高。憑借其高效的雙向功率變換能力和軟開關(guān)特性,是電動汽車和能量存儲系統(tǒng)(ESS)等DCDC項目的理想選擇。 終端應(yīng)用產(chǎn)品30 kW 至 150 kW 的充電機,50 kW 至 350 kW 的充電機,儲能系統(tǒng),電動汽車快速充電,功率轉(zhuǎn)換系統(tǒng) (PCS)?場景應(yīng)用
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上海貝嶺為USB-PD應(yīng)用提供高性能驅(qū)動IC和MOSFET解決方案
- 智能化便攜式電子設(shè)備諸如智能手機、筆記本電腦、平板電腦等的不斷更新?lián)Q代,功能越來越豐富,隨之帶來了耗電量急劇上升的挑戰(zhàn)。然而,在現(xiàn)有電池能量密度還未取得突破性進展的背景下,人們開始探索更快的電量補給,以高效充電來壓縮充電時間,降低充電的時間成本,從而換取設(shè)備的便攜性,提升用戶體驗。目前,USB-PD是最為主流的快充技術(shù)。該技術(shù)標準具有18W、20W、35W、65W和140W等多種功率規(guī)格,以及5V、9V、12V和20V等多種電壓輸出。靈活的電壓電流輸出配置讓各種電子設(shè)備都能通過一條USB-TYPE C線纜
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電動汽車東風起,Wolfspeed、安森美等頭部大廠碳化硅投資加速
- 碳化硅的發(fā)展與電動汽車的快速發(fā)展緊密相連,隨著新能源汽車的加速滲透,以及自動駕駛技術(shù)的升級演變,車用芯片需求不斷上升,第三代半導(dǎo)體碳化硅技術(shù)重要性愈發(fā)凸顯。Wolfspeed、安森美、意法半導(dǎo)體作為碳化硅領(lǐng)域的頭部企業(yè),其動態(tài)是行業(yè)的重要風向標,近期三家企業(yè)均發(fā)表了對碳化硅行業(yè)的積極展望,反映車規(guī)級碳化硅產(chǎn)品的滲透率情況好于預(yù)期。Wolfspeed將建造全球最大碳化硅材料工廠近日,碳化硅廠商Wolfspeed公司表示,隨著需求的激增,其將在北卡羅來納州查塔姆縣建造一座價值數(shù)十億美元的新工廠,以生產(chǎn)為電動汽
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第三代半導(dǎo)體頭部企業(yè)基本半導(dǎo)體完成C4輪融資,全力加速產(chǎn)業(yè)化進程
- 2022年9月20日,國內(nèi)第三代半導(dǎo)體碳化硅頭部企業(yè)——基本半導(dǎo)體完成C4輪融資,由新股東德載厚資本、國華投資、新高地等機構(gòu)聯(lián)合投資,現(xiàn)有股東屹唐長厚、中美綠色基金等機構(gòu)繼續(xù)追加投資。本輪融資將用于進一步加強碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈關(guān)鍵環(huán)節(jié)的研發(fā)制造能力,提升產(chǎn)能規(guī)模,支撐碳化硅產(chǎn)品在新能源汽車、光伏儲能等市場的大規(guī)模應(yīng)用,全方位提升基本半導(dǎo)體在碳化硅功率半導(dǎo)體行業(yè)的核心競爭力。這是基本半導(dǎo)體在今年完成的又一輪融資。6月和7月,該公司分別完成了C2和C3輪兩輪融資。連續(xù)多輪資本的加持,充分印證了基本半導(dǎo)體在業(yè)務(wù)加速拓
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第三代半導(dǎo)體擴產(chǎn),硅的時代要結(jié)束了嗎
- 半導(dǎo)體寒氣襲人知誰暖?芯片行業(yè)的砍單潮已經(jīng)將寒氣傳遞給了眾多企業(yè),三星半導(dǎo)體部門負責人Kyung Kye-hyun就預(yù)計芯片銷售大幅下滑態(tài)勢將延續(xù)至明年;野村證券最近也將今年全球芯片出貨成長率由原先預(yù)估的9.9%大砍至5.7%、2023年由衰退0.5%擴大至衰退6%;費城半導(dǎo)體指數(shù) (SOX)近6個月(截至9月21日)更是跌了26.53%。但此時,以碳化硅、氮化鎵為代表的第三代半導(dǎo)體材料卻在迎來市場倍增與產(chǎn)能擴張。 安森美二季度財報發(fā)布后,就將其2022年碳化硅營收預(yù)期上調(diào)為“同比增長3倍”,而
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測量SiC MOSFET柵-源電壓時的注意事項:一般測量方法
- SiC MOSFET具有出色的開關(guān)特性,但由于其開關(guān)過程中電壓和電流變化非常大,因此如Tech Web基礎(chǔ)知識 SiC功率元器件“SiC MOSFET:橋式結(jié)構(gòu)中柵極-源極間電壓的動作-前言”中介紹的需要準確測量柵極和源極之間產(chǎn)生的浪涌。在這里,將為大家介紹在測量柵極和源極之間的電壓時需要注意的事項。我們將以SiC MOSFET為例進行講解,其實所講解的內(nèi)容也適用于一般的MOSFET和IGBT等各種功率元器件,盡情參考。本文的關(guān)鍵要點?如果將延長電纜與DUT引腳焊接并連接電壓探頭進行測量,在開關(guān)速度較快時
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東芝推出面向更高效工業(yè)設(shè)備的第三代SiC MOSFET
- 東芝電子元件及存儲裝置株式會社(“東芝”)今日宣布,推出新款功率器件---第三代碳化硅(SiC)MOSFET[1][2]“TWxxNxxxC系列”。該系列具有低導(dǎo)通電阻,可顯著降低開關(guān)損耗。該系列10款產(chǎn)品包括5款1200V產(chǎn)品和5款650V產(chǎn)品,已于今日開始出貨。 新產(chǎn)品的單位面積導(dǎo)通電阻(RDS(ON)A)下降了大約43%[3],從而使“漏源導(dǎo)通電阻×柵漏電荷(RDS(ON)×Qgd)”降低了大約80%[4],這是體現(xiàn)導(dǎo)通損耗與開關(guān)損耗間關(guān)系的重要指標。這樣可以將開關(guān)損耗減少大約
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Nexperia發(fā)布具備市場領(lǐng)先效率的晶圓級12和30V MOSFET
- 基礎(chǔ)半導(dǎo)體器件領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專家Nexperia今天宣布推出PMCB60XN和PMCB60XNE 30V N溝道小信號Trench MOSFET,該產(chǎn)品采用超緊湊晶圓級DSN1006封裝,具有市場領(lǐng)先的RDS(on)特性,在空間受限和電池續(xù)航運行至關(guān)重要的情況下,可使電力更為持久。新型MOSFET非常適合智能手機、智能手表、助聽器和耳機等高度小型化電子產(chǎn)品,迎合了更智能、功能更豐富的趨勢,滿足了增加系統(tǒng)功耗的需求。 RDS(on)與競爭器件相比性能提升了25%,可最大限度降低能耗,提高負載開關(guān)
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單片驅(qū)動器+ MOSFET (DrMOS)技術(shù)如何改善電源系統(tǒng)設(shè)計
- 本文介紹最新的驅(qū)動器+ MOSFET (DrMOS)技術(shù)及其在穩(wěn)壓器模塊(VRM)應(yīng)用中的優(yōu)勢。單片DrMOS器件使電源系統(tǒng)能夠大幅提高功率密度、效率和熱性能,進而增強最終應(yīng)用的整體性能。引言隨著技術(shù)的進步,多核架構(gòu)使微處理器在水平尺度上變得更密集、更快速。因此,這些器件需要的功率急劇增加。微處理器所需的這種電源由穩(wěn)壓器模塊(VRM)提供。在該領(lǐng)域,推動穩(wěn)壓器發(fā)展的主要有兩個參數(shù)。首先是穩(wěn)壓器的功率密度(單位體積的功率),為了在有限空間中滿足系統(tǒng)的高功率要求,必須大幅提高功率密度。另一個參數(shù)是功率轉(zhuǎn)換效率
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功率半導(dǎo)體組件的主流爭霸戰(zhàn)
- 功率半導(dǎo)體組件與電源、電力控制應(yīng)用有關(guān),特點是功率大、速度快,有助提高能源轉(zhuǎn)換效率,多年來,功率半導(dǎo)體以硅(Si)為基礎(chǔ)的芯片設(shè)計架構(gòu)成為主流,碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)等第三類半導(dǎo)體材料出現(xiàn),讓功率半導(dǎo)體組件的應(yīng)用更為多元,效率更高。MOSFET與IGBT雙主流各有痛點高功率組件應(yīng)用研發(fā)聯(lián)盟秘書長林若蓁博士(現(xiàn)職為臺灣經(jīng)濟研究院研究一所副所長)指出,功率半導(dǎo)體組件是電源及電力控制應(yīng)用的核心,具有降低導(dǎo)通電阻、提升電力轉(zhuǎn)換效率等功用,其中又以MOSFET(金屬氧化半導(dǎo)體場效晶體管)與IGBT(絕緣
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碳化硅助力電動汽車的續(xù)航和成本全方位優(yōu)化
- 與傳統(tǒng)的硅器件相比,碳化硅(SiC)器件由于擁有低導(dǎo)通電阻特性以及出色的耐高溫、高頻和耐高壓性能,已經(jīng)成為下一代低損耗半導(dǎo)體可行的候選器件。此外,SiC 讓設(shè)計人員能夠減少元器件的使用,從而進一步降低了設(shè)計的復(fù)雜程度。SiC 元器件的低導(dǎo)通電阻特性有助于顯著降低設(shè)備的能耗,從而有助于設(shè)計出能夠減少 CO2 排放量 的環(huán)保型產(chǎn)品和系統(tǒng)。羅姆在 SiC 功率元器件和模塊的 開發(fā)領(lǐng)域處于先進地位,這些器件和模塊在許多行業(yè)的 應(yīng)用中都實現(xiàn)了更佳的節(jié)能效果。水原德健, 羅姆半導(dǎo)體(北京)有限公司技術(shù)中心總經(jīng)理
- 關(guān)鍵字: 202207 碳化硅 電動汽車 羅姆
碳化硅助力電動汽車續(xù)航和成本的全方位優(yōu)化
- 受訪人:水原德健 羅姆半導(dǎo)體(北京)有限公司技術(shù)中心總經(jīng)理1.氮化鎵和碳化硅同屬第三代半導(dǎo)體,在材料特性上有什么相似之處和不同之處?根據(jù)其不同的特性,分別適用在哪些應(yīng)用領(lǐng)域?貴公司目前在SiC和GaN兩種材料的半導(dǎo)體器件方面都有哪些主要的產(chǎn)品? 目前,市場上基本按下圖劃分幾種材料功率半導(dǎo)體器件的應(yīng)用場景。當?shù)皖l、高壓的情況下適用硅基IGBT,如果稍稍高頻但是電壓不是很高,功率不是很高的情況下,使用硅基MOSFET。如果既是高頻又是高壓的情況下,適用碳化硅MOSFET。那么電壓不需要很大,功率
- 關(guān)鍵字: 羅姆 電動汽車 碳化硅
Nexperia發(fā)布超小尺寸DFN MOSFET
- 基礎(chǔ)半導(dǎo)體器件領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專家Nexperia今天宣布推出采用超小DFN封裝的新系列20 V和30 V MOSFET DFN0603。Nexperia早前已經(jīng)提供采用該封裝的ESD保護器件,如今更進一步,Nexperia成功地將該封裝技術(shù)運用到MOSFET產(chǎn)品組合中,成為行業(yè)競爭的領(lǐng)跑者。該系列小型MOSFET包括: ?新一代可穿戴設(shè)備和可聽戴設(shè)備正在融入新的人工智能(AI)和機器學習(ML)技術(shù),這為產(chǎn)品設(shè)計帶來了若干挑戰(zhàn)。首先,隨著功能的增加,可供使用的電路板空間變得十分寶貴,另外,隨著
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碳化硅 mosfet介紹
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