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EEPW首頁 >> 主題列表 >> 碳化硅 mosfet

飛兆半導(dǎo)體推出11種MicroFET™ MOSFET產(chǎn)品

  • 飛兆半導(dǎo)體的 MicroFET™系列產(chǎn)品可在廣泛的低電壓應(yīng)用中 節(jié)省空間并延長電池壽命 擴(kuò)展的MicroFET產(chǎn)品系列提供了在其電壓范圍內(nèi) 最完備的2x2mm MLP封裝MOSFET器件 飛兆半導(dǎo)體公司 (Fairchild Semiconductor) 推出11種新型MicroFET™ MOSFET產(chǎn)品，提供業(yè)界最廣泛的的散熱增強(qiáng)型超緊湊、低高度 (2 x 2 x 0
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Zetex 高電壓MOSFET導(dǎo)通電阻最大僅150mΩ

  • 　Zetex Semiconductors日前推出一款迎合預(yù)偏置供應(yīng)電路要求的新型高電壓MOSFET。 ZXMN0545G4是一款450V強(qiáng)化型N信道器件，可用于簡單的線性調(diào)節(jié)器，在起動階段為脈沖寬度調(diào)變(PWM)集成電路供應(yīng)所需電壓，然后在轉(zhuǎn)換器完全激活后關(guān)掉。相比于其它倚賴電阻器的解決方案，這種以MOSFET為基礎(chǔ)的解決方案有助改善系統(tǒng)效率和減省起動時間。 　　Zetex亞洲副總裁林博文指出，新MOSFET采用獨(dú)特四腳型SOT223封裝，能發(fā)揮最大的抗高壓爬電效能。器件采用嶄新導(dǎo)線
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擴(kuò)展升壓穩(wěn)壓器輸入、輸出電壓范圍的級聯(lián) MOSFET

能改進(jìn)動圈表頭對小電流測量的MOSFET

  • 以前曾經(jīng)有一個設(shè)計實(shí)例介紹了用動圈模擬表頭測量小于 1A電流的十分有趣和有用的方法（參考文獻(xiàn) 1）。
  • 關(guān)鍵字： MOSFET  測量  電流  表頭  改進(jìn)  

IR推出100V集成MOSFET解決方案

  • 為PoE應(yīng)用節(jié)省80%的占位空間 國際整流器公司近日推出IRF4000型100V器件。該器件將4個HEXFET  MOSFET集成在一個功率MLP封裝內(nèi)，可滿足以太網(wǎng)供電（Power-over-Ethernet，簡稱PoE）應(yīng)用的需求。這款新器件符合針對網(wǎng)絡(luò)和通信基礎(chǔ)設(shè)施系統(tǒng)的IEEE802.3af標(biāo)準(zhǔn)，例如以太網(wǎng)交換器、路由器和集線器等，可提供每端口15W的功率，并能取代4個獨(dú)立SOT-223封裝的MOSFET。其減少的占位面積相當(dāng)于節(jié)省了80%的空間，或相當(dāng)于典型48端口電路板中3
  • 關(guān)鍵字： IR  MOSFET  解決方案  

MOSFET的開關(guān)速度將決定未來POL電源的性能

  • 　　一個采用DirectFET MOSFET并基于四相同步整流器的VRM能夠于高達(dá)2MHz/相位下工作，并提供120A電流，且滿足負(fù)載點(diǎn)電源的瞬態(tài)響應(yīng)要求。 　　與十年之前以單元密度和導(dǎo)通電阻作為器件設(shè)計的主要考慮因素相比，功率MOSFET技術(shù)在發(fā)展方向上正經(jīng)歷著一場重大的變革。如今，并在可以預(yù)見的未來，開關(guān)速度正在逐步成為負(fù)載點(diǎn)（POL）電源應(yīng)用的決定性因素。對于工作電壓為1V或以下且對時鐘速度和電流需求更高的下一代微處理器而言，開關(guān)速度是滿足其供電要求的關(guān)鍵因素。電源的性能將取決于功率MOSFET
  • 關(guān)鍵字： MOSFET  模擬IC  電源  

功率MOSFET并聯(lián)均流問題研究

  • 對頻率為MHz級情況下功率MOSFET并聯(lián)均流問題進(jìn)行了研究，詳細(xì)分析了影響功率MOSFET并聯(lián)均流諸因素。通過Q軌跡把器件參數(shù)和外圍電路聯(lián)系起來，得出較大的Q值和適當(dāng)?shù)腖s/Lx有利于并聯(lián)均流。大量的仿真和小功率實(shí)驗(yàn)結(jié)果均表明該方法的正確性。
  • 關(guān)鍵字： 研究  問題  MOSFET  功率  

提高穩(wěn)壓器過流保護(hù)能力的 MOSFET

  • 經(jīng)典的 LM317型可調(diào)輸出線性穩(wěn)壓器具有相當(dāng)大的電流承受能力。此外，LM317還具有限流和過熱保護(hù)功能。
  • 關(guān)鍵字： MOSFET  能力  保護(hù)  穩(wěn)壓器  提高  

起直流穩(wěn)壓(流)電子負(fù)載核心作用的功率 MOSFET

  • 設(shè)計人員都用直流電子負(fù)載來測試電源，如太陽能陣列或電池，但商用直流電子負(fù)載很昂貴。你只要將功率 MOSFET在其線性區(qū)內(nèi)使用，就可制作出自己的直流電子負(fù)載（圖 1）。
  • 關(guān)鍵字： 作用  功率  MOSFET  核心  負(fù)載  穩(wěn)壓  電子  直流  

2005年4月21日，瑞薩推出業(yè)界最小、最薄的高頻功率MOSFET

  • 　　2005年4月21日，瑞薩宣布推出包括5 W輸出RQA0002在內(nèi)的三種高頻功率MOSFET，用于手持式無線電設(shè)備及類似設(shè)備中的傳輸功率放大，通過使用新工藝和新封裝，實(shí)現(xiàn)了高效率、并大大減小了封裝的尺寸。
  • 關(guān)鍵字： 瑞薩  MOSFET  Renesas  

新型IGBT/MOSFET驅(qū)動模塊SKHI22A/B

一種專為IGBT和MOSFET設(shè)計的驅(qū)動器

  • 介紹了一種專為IGBT和功率MOSFET設(shè)計的電力電子驅(qū)動器件――SCALE集成驅(qū)動器的性能特點(diǎn)和內(nèi)部結(jié)構(gòu) 。
  • 關(guān)鍵字： 驅(qū)動器  設(shè)計  MOSFET  IGBT  專為  

基于SG3525A的太陽能逆變電源設(shè)計

  • 摘    要：本文主要介紹了SG3525A在研制太陽能逆變電源中的應(yīng)用，其脈沖波形隨設(shè)計線路的不同而產(chǎn)生不同的結(jié)果，從而解決了隨機(jī)燒毀功率管的技術(shù)問題。關(guān)鍵詞：SG3525A；逆變電源；MOSFET-90N10引言本文涉及的是光明工程中一個課題的具體技術(shù)問題。該課題的基本原理是逆變器由直流蓄電池供電，用太陽能為蓄電池充電，然后逆變電源輸出220V、50Hz的交流電供用戶使用。在研制過程中，有時隨機(jī)出現(xiàn)燒毀大功率管的現(xiàn)象，本文對這一現(xiàn)象給出了解決方案。圖1  SG35
  • 關(guān)鍵字： MOSFET-90N10  SG3525A  逆變電源  模擬IC  電源  

2004年6月7日，瑞薩推出HAT1125H P-通道功率MOSFET

  • 　　2004年6月7日，瑞薩發(fā)布HAT1125H–30V擊穿電壓P溝道功率MOSFET。與瑞薩先前的產(chǎn)品相比，HAT1125H的導(dǎo)通電阻大約減小了25%，是業(yè)界導(dǎo)通電阻最低的工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)SOP-8尺寸小型表面安裝封裝產(chǎn)品。由于其損耗很低，將有助于設(shè)計小型、節(jié)省空間的系統(tǒng)。
  • 關(guān)鍵字： 瑞薩  MOSFET  Renesas  
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