美國從事半導體相關市場調查的IC Insights發(fā)布預測稱，NAND閃存市場將迎來價格上升局面。IC Insights預測，由于在需求增加的情況下各大廠商減少設備投資，造成供需緊張，因此到2012年之前平均銷售價格將繼續(xù)保持上升趨勢。
IC Insights自1993年開始就NAND閃存市場進行調查以來，NAND閃存的供貨量低于上年業(yè)績的只有2001年一次。該公司預測，今后到2013年供貨量將穩(wěn)步增加。全球經濟低迷的2009年也不會例外。
供貨容量也將大幅增長。即使是全球經濟低迷的200
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三星 NAND 閃存
在全球金融危機影響下，由于市場的萎縮導致大部分企業(yè)都不甚景氣，向來紅火的半導體業(yè)也感覺壓力深重。在探討未來如何發(fā)展之中，發(fā)現各種矛盾叢生，似乎很難作出決斷。
投入多產出少，能持久嗎?
SanDisk CEO Eli Harari于近期闡述了自己對于NAND閃存技術未來發(fā)展的幾點看法，認為NAND閃存產業(yè)正處在十字路口，未來的產能需要和產品需求兩者之間脫節(jié)，也即每年投資巨大, 然而由于ASP下降導致銷售額沒有相應的增大，利潤越來越薄,目前糟糕的NAND閃存產業(yè)模式使得制造廠商對于建新廠已逐漸
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SanDisk NAND 光刻 模擬電路 存儲器
SEMI World Fab Forecast最新出爐報告，2009年前段半導體業(yè)者設備支出下滑，其中第1季的資本支出便較2008年第4季下滑26%至32億美元。然而，資本支出在2009年第2季便已呈現落底，目前在整個產業(yè)供應鏈也已經看到穩(wěn)定回升的訊號，其中晶圓代工廠2009年下半年扮演資本支出復蘇推手，存儲器晶圓廠、后段封測則跟進。
晶圓代工廠臺積電宣布，增加2009年資本支出回復到2008年19億美元的水平，比起原本的預測提高了26%左右。隨后，臺積電第2季的投資法人說明會上，臺積電又進一步
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臺積電 晶圓代工 NAND
0 引 言
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VxWorks FLASH NAND 驅動
面臨英特爾(Intel)和美光(Micron)陣營的壓力，東芝(Toshiba)下半年積極轉進32納米的NAND Flash制程技術，東芝原本預計32納米制程產量，在年底可達產能30%，但以目前進度來看，勢必會延后量產時間點，其控制芯片供應商群聯則表示，支持東芝32納米的所有產品線都已經準備妥當，包括隨身碟和記憶卡的控制芯片皆然，隨時可進入量產階段。此外，群聯8月營收將持續(xù)成長，估計月增率可達10%以上，8月毛利率可微幅高于7月，整體第3季獲利持續(xù)上揚。
東芝43納米制程量產成熟，下半年積極轉進
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東芝 32納米 NAND
根據配備各種存儲器的電子終端等的產量，筆者預測了2013年之前NAND型閃存和DRAM的需求走勢。預測結果為，1990年代曾經拉動半導體元件投資增長的DRAM即將完成其使命，NAND型閃存將取而代之，一躍成為投資主角。
按8Gbit產品換算，NAND需求規(guī)模將達到400億個
《日經市場調查》的調查結果顯示，按8Gbit產品換算，2013年NAND型閃存的需求規(guī)模將達到約400億個。這一規(guī)模相當于2008年的11倍左右。支持需求增長的產品是個人電腦用SSD(固態(tài)硬盤)。不過，SSD市場要到2
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三星 DRAM NAND
在今后的2年～3年內，NAND閃存的集成度仍將保持目前的發(fā)展速度。具體來說，到2011年～2012年，通過采用2Xnm的制造工藝與3位/單元～4位/單元的多值技術，NAND閃存很有可能實現128Gb的容量。
但是，如果要實現超過128Gb的更大容量，恐怕就需要全新的技術。目前正在量產的NAND閃存通常都使用浮柵結構的存儲單元。許多工程師也認為，2011年～2012年將量產的2Xnm工藝及其后的20nm工藝仍可采用現有的浮柵結構的存儲單元。但據SanDisk公司分析，當工藝發(fā)展到20nm以下時，從
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SanDisk 20nm NAND
隨著TMC股東和班底逐漸浮上臺面，美光(Micron)和臺塑集團將加速送出整合計畫書，美光在臺代表暨華亞科執(zhí)行副總勒松言(Michael Sadler)表示，TMC模式不會成功，即使成功亦不會解決臺灣DRAM產業(yè)問題，但臺系DRAM廠并不會步上奇夢達(Qimonda)后塵，因為臺灣12寸廠產能相當吸引人，不會像奇夢達倒了都還找不到買主，而美光在臺灣DRAM產業(yè)布局策略，除華亞科之外，亦將尋求與其它DRAM廠合資(JV)機會。
現階段TMC還未有產能奧援，初期定位以利基型存儲器公司作出發(fā)，采取爾必
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美光 DRAM NAND
三星電子正計劃對美國德克薩斯州奧斯汀的一處內存芯片工廠進行升級改造，這一過程中將裁員500人。
三星奧斯汀半導體公司將投資5億美元將對該工廠進行改造。該工廠將于10月份關閉，改造工作將于2009年末至2010年初開始。
今年早些時候，三星奧斯汀半導體公司在三星電子的大規(guī)模重組中裁員20人。該公司在當地擁有兩家工廠，分別生產DRAM內存芯片和NAND閃存芯片。
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三星 內存芯片 DRAM NAND
手機及其它移動電子設備微型投影機發(fā)展驚人
據 iSuppli 公司，由于能夠克服移動電子設備顯示屏尺寸的限制，嵌入到智能手機等產品中的微型投影機的出貨量未來四年將增長約 60 倍。
到 2013 年，內嵌式微型投影機的出貨量將從今年的 5 萬部升至超過 300 萬部。附圖為 iSuppli公司對內嵌式微型投影機全球出貨量的預測。
iSuppli 對微型投影機的定義是：重量小于 2 磅 (約 0.9 公斤)、體積小于 60 立方英寸(約 983 立方厘米)、無需電池組的正投影機。雖然微
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智能手機 NAND
NAND閃存產業(yè)正處在十字路口。SanDisk CEO Eli Harari稱未來的產能需要和產品需求“失去了關聯”。NAND閃存糟糕的產業(yè)模式使廠商對建新廠失去興趣。
積極地來看，Harari稱2013年NAND閃存位需求將達10萬petabyte(PB，1 peta=100萬Giga)，而現在為7000PB。當前和未來的NAND閃存需求讓將爆炸性增長，其中包括最有潛力的市場驅動力——嵌入式移動應用市場。
Harari在閃存峰會的主題演講中
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SanDisk NAND 閃存
英特爾和美光科技周二發(fā)布了用于閃存卡和優(yōu)盤的高數據容量閃存技術。這兩家公司稱，他們已經開發(fā)出了基于34納米技術的NAND閃存芯片，存儲容量為每個儲存單元3比特。這個存儲密度高于目前標準的每個存儲單元2比特的技術，從而將實現高容量的優(yōu)盤。
美光NAND閃存營銷經理Kevin Kilbuck說，雖然在一個存儲單元加入更多比特的數據能夠提供更大的數據密度，但是，這種做法沒有基于更標準的技術的閃存那樣可靠。因此，每個儲存單元3比特的芯片最初將僅限于應用到優(yōu)盤。優(yōu)盤沒有要求固態(tài)硬盤的那種數據存儲可靠性。固
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英特爾 NAND 34納米
曾經是歐洲最大內存廠的奇夢達進入資產拍賣階段，而此舉剛好給了大陸切入內存產業(yè)領域的大好時機!浪潮集團將于8月中收購奇夢達西安研發(fā)中心，至于蘇州封測也傳出將由華潤集團接手，而這些收購公司背后都有國資背景，顯見在官方撐腰并下指導棋的情況下，大陸內存產業(yè)鏈終于完備。
德國內存龍頭廠奇夢達確定遭到市場淘汰，并已正式進入資產拍賣階段。目前奇夢達的資產包括6大研發(fā)中心、美國的弗吉尼亞與德國的德勒斯登12吋晶圓廠，以及大陸、葡萄牙、馬來西亞的后段封測廠。至于奇夢達在大陸的基地，只有西安的研發(fā)中心與蘇州的內存后
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奇夢達 晶圓 服務器 DRAM NAND
據日本媒體報道，日本近期半導體和液晶面板的生產水平得到回升，大型電器生產廠家紛紛決定利用暑期休假時間加班加點進行生產。由于環(huán)保積分制度促進數碼家電銷量增長等因素，市場需求得到恢復，庫存調整也取得進展。生產水平的回升一旦上了軌道，這些企業(yè)的業(yè)績有望得到好轉，也可能為日本國內經濟帶來一股活力。
在液晶生產領域擁有主導權的夏普公司旗下龜山第二工廠的液晶面板生產線暑期照常開工。該工廠從8月起將液晶面板產能提高約10%，在建中的堺市新工廠也將于10月起按預定計劃開工。
東芝公司旗下生產用于手機等的&
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夏普 液晶面板 半導體 NAND
8月6日消息，日本芯片制造業(yè)龍頭東芝(Toshiba)周三表示，由于公司芯片業(yè)務資本支出增長將減緩，并尋求擴張核能發(fā)電及智能型電網業(yè)務，3年后其電力及基礎建設業(yè)務的獲利，將達電子產品部的2倍。
東芝的半導體部門已連續(xù)3季出現營業(yè)虧損，使其減緩該部門支出，并在其它領域尋求固定營收來源，例如健康醫(yī)療及水處理等。
東芝目前預期，包含微芯片、傳感器及液晶顯示器(LCD)等電子產品部門于2012年3月底結束的會計年度，獲利將達約1000億日元(10億美元);而屆時社會基礎建設業(yè)務獲利則可達2000億
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第九代 v-nand介紹
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