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美光專家對1α節(jié)點DRAM的解答
- 2021 年1 月，美光科技宣布批量出貨基于1α(1-alpha) 節(jié)點的DRAM產(chǎn)品，是目前世界上最為先進(jìn)的DRAM 技術(shù)，在密度、功耗和性能等各方面均有重大突破。為此，《電子產(chǎn)品世界》記者采訪了公司DRAM 制程集成副總裁Thy Tran 女士。美光DRAM制程集成副總裁Thy Tran1? ?1α節(jié)點技術(shù)1α 節(jié)點DRAM 相當(dāng)于10 nm 的第四代，其最小特征尺寸（通常是指內(nèi)存陣列激活區(qū)半間距）在(10~19) nm之間。要做到這一點，需要大幅縮小位線和字線間距——可以說是收縮
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2021年DRAM與NAND增長快，美光領(lǐng)跑研發(fā)與新技術(shù)
- 近日，美光在業(yè)界率先推出 1α DRAM 制程技術(shù)。值此機(jī)會，該公司舉辦了線上媒體溝通會，執(zhí)行副總裁兼首席商務(wù)官Sumit Sadana 先生介紹了對DRAM、NAND的市場預(yù)測，以及美光的研發(fā)、資本支出、產(chǎn)品布局等。執(zhí)行副總裁兼首席商務(wù)官Sumit Sadana1? ?2021年DRAM和NAND將增長19%展望2021年，全球GDP增長約5%。而根據(jù)不同分析師的預(yù)測，半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)預(yù)計增長可達(dá)12%，整個半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的產(chǎn)值將達(dá)5020億美元。其中，內(nèi)存與存儲預(yù)計增長可達(dá)19%，增度遠(yuǎn)超整
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美光科技：DRAM芯片供應(yīng)緊張將持續(xù)數(shù)年，NAND產(chǎn)能今年保持穩(wěn)定
- 存儲芯片大廠美光（Micron）執(zhí)行副總裁兼事業(yè)長Sumit Sadana近日接受采訪表示，2020年汽車電子和智能型手機(jī)需求因新冠肺炎疫情而衰退，今年顯現(xiàn)明顯復(fù)蘇，并帶動存儲器需求增長。目前主要有兩種存儲器產(chǎn)品，一種是DRAM（動態(tài)隨機(jī)存儲器），用于緩存，另一種是NAND Flash（閃存），用于數(shù)據(jù)的存儲。在DRAM領(lǐng)域，韓國三星、海力士、美國美光三家企業(yè)把控了全球主要市場份額。NAND Flash市場則由三星、凱俠、西部數(shù)據(jù)、美光和NAND Flash瓜分。Sumit Sadana稱，預(yù)期今
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受華為斷供影響，DRAM 十月份價格暴跌 9％
- 11月1日消息 據(jù)韓媒 The Lec 今日報道，今年十月份，DRAM 和 NAND 價格遭遇集體暴跌。分析師認(rèn)為，這是由于美國對華為的制裁所致，這加劇了存儲芯片市場價格的下跌。據(jù)市場研究公司 DRAM Exchange 上個月 30 日的統(tǒng)計，截至 10 月底，PC DRAM（DDR4 8Gb）的固定交易價格為 2.85 美元，相比 9 月份的交易價格下降 8.9%。這與八月和九月連續(xù)第二個月保持平穩(wěn)的情況形成了對比，就 NAND 閃存而言，128GB 存儲卡和用于 USB 的多層單元存儲（MLC）
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完全漲不動：內(nèi)存價格繼續(xù)觸底
- 根據(jù)IC Insights的分析報告，DRAM內(nèi)存芯片在今年底之前將繼續(xù)呈現(xiàn)下滑態(tài)勢。簡單回顧下，內(nèi)存跌價大致是從2018下半年開始，2019年12月均價一度跌至3.9美元。盡管今年上半年，由于新冠肺炎的原因，在家辦公、遠(yuǎn)程學(xué)習(xí)等推動了PC等設(shè)備的需求增長，內(nèi)存價格有所小幅反彈，但持續(xù)的時間并不長。6月份DRAM均價是3.7美元，7、8月份則在3.51美元處徘徊。通常來說，三四季度是DRAM價格大幅飆升的旺季，可今年的情況大家都懂，無論是廠商還是個人消費者，其季節(jié)性的購買行為也被擾亂了。另外，盡管5G智能
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"爛尾”的格芯成都廠終于有人接盤了？將轉(zhuǎn)產(chǎn)DRAM內(nèi)存芯片？
- 擱淺2年多的成都格芯廠，在今年5月正式宣布停業(yè)4個多月之后，終于迎來了接盤者————成都高真科技有限公司（以下簡稱“高真科技”），并有望轉(zhuǎn)產(chǎn)DRAM內(nèi)存芯片。根據(jù)企查查的資料顯示，高真科技成立于2020年9月28日，注冊資本51.091億元人民幣。經(jīng)營范圍包括：“銷售：電子元器件、集成電路、集成電路芯片及產(chǎn)品、電子產(chǎn)品、機(jī)械設(shè)備、計算機(jī)、軟硬件及其輔助設(shè)備；存儲器及相關(guān)產(chǎn)品、電子信息的技術(shù)開發(fā)；電子元器件制造；集成電路制造；軟件開發(fā)；質(zhì)檢技術(shù)服務(wù)（不含進(jìn)出口商品檢驗鑒定、認(rèn)證機(jī)構(gòu)、民用核安全設(shè)備無損檢驗、
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HBM2E 和GDDR6： AI內(nèi)存解決方案
- 前言人工智能/機(jī)器學(xué)習(xí)（AI/ML）改變了一切，影響著每個行業(yè)并觸動著每個人的生 活。人工智能正在推動從5G到物聯(lián)網(wǎng)等一系列技術(shù)市場的驚人發(fā)展。從2012年到 2019年，人工智能訓(xùn)練集增長了30萬倍，每3.43個月翻一番，這就是最有力的證 明。支持這一發(fā)展速度需要的遠(yuǎn)不止摩爾定律所能實現(xiàn)的改進(jìn)，摩爾定律在任何情況下都在放緩，這就要求人工智能計算機(jī)硬件和軟件的各個方面都需要不斷的快速改進(jìn)。從2012年至今，訓(xùn)練能力增長了30萬倍內(nèi)存帶寬將成為人工智能持續(xù)增長的關(guān)鍵焦點領(lǐng)域之一。以先進(jìn)的駕駛員輔助系
- 關(guān)鍵字： ADAS ML DRAM 內(nèi)存
三星電子平澤工廠第二生產(chǎn)線開始量產(chǎn)
- 實現(xiàn)DRAM量產(chǎn)后，預(yù)計生產(chǎn)新一代VNAND與超精細(xì)制程的晶圓代工產(chǎn)品 憑借更快更薄的產(chǎn)品搶占移動設(shè)備市場，下一步進(jìn)軍汽車電裝市場 韓國首爾2020年8月30日 /美通社/ -- 三星電子平澤工廠第二生產(chǎn)線正式開工，首發(fā)量產(chǎn)產(chǎn)品是采用了EUV（Extreme Ultraviolet，極紫外光刻）制程的16Gb（吉字節(jié)）LPDDR5移動DRAM，開創(chuàng)業(yè)界先河。 ? ? 三星電子 16GB LPDDR5 ? ?三星電子平澤工廠第二生產(chǎn)線的建筑面積達(dá)12.89萬平方米（
- 關(guān)鍵字： EUV10 納米級 LPDDR5 DRAM
三星宣布其全球最大半導(dǎo)體生產(chǎn)線開始量產(chǎn)16Gb LPDDR5 DRAM
- 三星今日宣布，其位于韓國平澤的第二條生產(chǎn)線已開始量產(chǎn)業(yè)界首款采用極紫外光（EUV）技術(shù)的16Gb LPDDR5移動DRAM。新的16Gb LPDDR5基于三星第三代10nm級(1z)工藝打造，擁有當(dāng)下最高的移動產(chǎn)品內(nèi)置內(nèi)存性能和最大的容量。"基于1z的16Gb LPDDR5將行業(yè)提升到了一個新的門檻，克服了先進(jìn)節(jié)點下DRAM擴(kuò)展的主要發(fā)展障礙。"三星電子DRAM產(chǎn)品與技術(shù)執(zhí)行副總裁Jung-bae Lee表示。三星平澤2號線占地超過128900平方米，相當(dāng)于約16個足球場，是迄今為止全
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第四代低功耗動態(tài) DRAM 與其延展版的車輛應(yīng)用解決方案
- 日本計劃在東京奧運會上展示無人駕駛技術(shù)，展現(xiàn)了近年來汽車智能化的成果。隨著5G技術(shù)與人工智能（ AI）的發(fā)展，車載通訊技術(shù)已慢慢從早期的娛樂影音播放以及導(dǎo)航系統(tǒng)，發(fā)展到現(xiàn)在的深度學(xué)習(xí)與車聯(lián)網(wǎng)（ V2X），并朝著無人駕駛的目標(biāo)前進(jìn)。而實現(xiàn)此目標(biāo)的關(guān)鍵因素正是半導(dǎo)體。目前，先進(jìn)駕駛輔助系統(tǒng)（ADAS）是車載通訊中最普遍的應(yīng)用之一，它包含不同的子功能主動式巡航控制、自動緊急煞車、盲點偵測以及駕駛?cè)吮O(jiān)控系統(tǒng)等。車輛制造商一直試著添加更多主動式安全保護(hù)，以達(dá)到無人駕駛的最終目標(biāo)。因此，越來越多的半導(dǎo)體產(chǎn)商與車輛制造
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KLA推出全新突破性的電子束缺陷檢測系統(tǒng)
- 近日?KLA公司?宣布推出革命性的eSL10?電子束圖案化晶圓缺陷檢查系統(tǒng)。該系統(tǒng)具有獨特的檢測能力，能夠檢測出常規(guī)光學(xué)或其他電子束檢測平臺無法捕獲的缺陷，從而加速了高性能邏輯和存儲芯片的上市時間（包括那些依賴于極端紫外線（EUV）光刻技術(shù)的芯片）。eSL10的研發(fā)是始于最基本的構(gòu)架，針對研發(fā)生產(chǎn)存在多年的問題而開發(fā)出了多項突破性技術(shù)，可提供高分辨率，高速檢測功能，這是市場上任何其他電子束系統(tǒng)都難以比擬的。KLA電子束部門總經(jīng)理Amir Azordegan 表示：“利用單一的高能量電子
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SK海力士開始量產(chǎn)超高速DRAM‘HBM2E’
- 7月2日，SK海力士宣布開始量產(chǎn)超高速DRAM“HBM2E”。SK海力士的HBM2E以每個pin 3.6Gbps的處理速度，通過1,024個I/Os（Inputs/Outputs, 輸入/輸出）能夠每秒處理460GB的數(shù)據(jù)。這速度相當(dāng)于能夠在一秒內(nèi)傳輸124部全高清（FHD）電影（每部3.7GB），是目前業(yè)界速度最快的DRAM解決方案。不僅如此，公司的HBM2E借助TSV（Through Silicon Via）技術(shù)將8個16Gb DRAM垂直連接，其容量達(dá)到了16GB，是前一代HBM2容量的兩倍以上。H
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國產(chǎn)DRAM內(nèi)存抱團(tuán)發(fā)展 合肥長鑫與3家公司合作
- 6月6日，長三角一體化發(fā)展重大合作事項簽約儀式在湖州舉行，合肥長鑫與蘇州瑞紅電子化學(xué)品有限公司、寧波江豐電子材料股份有限公司、上海新昇半導(dǎo)體科技有限公司共同簽約，一致同意支持長鑫12英寸存儲器晶圓制造基地項目建設(shè)。2019年國內(nèi)存儲芯片取得了兩個突破——長江存儲的3D閃存、合肥長鑫的DRAM內(nèi)存雙雙量產(chǎn)，其中內(nèi)存國產(chǎn)化的意義更重要一些，畢竟這個市場主要就是美日兩大陣營主導(dǎo)，門檻太高。合肥長鑫的12英寸內(nèi)存項目總計投資高達(dá)1500億，去年底量產(chǎn)了1Xnm級別（具體大概是19nm）的內(nèi)存芯片，可以供應(yīng)DDR4
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