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集邦：明年DRAM需求位成長8.3％創(chuàng)新低 NAND跌價帶動搭載容量成長

  • 根據(jù)集邦科技指出，2023年DRAM市場需求位成長僅8.3％，是歷年來首度低于10％，遠低于供給位成長約14.1％，分析至少2023年的DRAM市況在供過于求的情勢下仍相當嚴峻，價格恐將持續(xù)下滑。至于NAND Flash仍是供過于求，但價格下跌應有助于搭載容量提升。從各類應用來看，高通膨持續(xù)沖擊消費市場需求，故優(yōu)先修正庫存是品牌的首要目標，尤其前兩年面對疫情造成的上游零組件缺料問題，品牌超額下訂，加上通路銷售遲緩，使得目前筆電整機庫存去化緩慢，造成2023年筆電需求將進一步走弱。標準型PC DRAM方面，
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美光車規(guī)級內(nèi)存和存儲解決方案: 助力理想L9智能旗艦SUV打造卓越智能座艙體驗

  • 全球汽車內(nèi)存領(lǐng)先供應商Micron Technology Inc.（美光科技股份有限公司，納斯達克股票代碼：MU）今日宣布其車規(guī)級高性能LPDDR5 DRAM內(nèi)存和基于3D TLC NAND技術(shù)的UFS 3.1產(chǎn)品已被應用于理想汽車最新推出的全尺寸智能旗艦SUV車型——理想L9。美光LPDDR5和UFS 3.1解決方案可助力理想L9的高級駕駛輔助系統(tǒng)（ADAS）實現(xiàn)最高L4級自動駕駛。得益于美光完整的產(chǎn)品組合，理想L9智能座艙系統(tǒng)還集成了美光車規(guī)級LPDDR4和UFS 2.1技術(shù)，為用戶提供出色的娛樂和用
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DRAM 內(nèi)存加速降價，6 月報價環(huán)比下跌 10% 創(chuàng) 1 年半新低

  • IT之家 7 月 18 日消息，日經(jīng)新聞表示，半導體存儲芯片之一的 DRAM 正在加速降價，作為上代產(chǎn)品的 DDR3 型的 4GB 內(nèi)存連續(xù) 2 個月下跌。指標產(chǎn)品的 6 月大單優(yōu)惠價環(huán)比下跌 1 成，創(chuàng)出 1 年半以來新低。從作為指標的 8GB DDR4 內(nèi)存來看，6 月報價約 2.7 美元每個，環(huán)比下跌 0.3 美元（10％），而容量較小的 4GB 內(nèi)存約為 2.18 美元 / 個，環(huán)比下跌 10％，同比下跌 32％，處于 2020 年 12 月以來的最低水平。分析師認為，PC 和智能手機的
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DRAM能否成為半導體市場預測晴雨表？

  • 　　在今年Gartner的半導體市場分析報告中指出，從歷史角度來看，存儲市場一直規(guī)律的處于2~3年的周期波動中。2021年DRAM市場存在一個供不應求的情況，使得價格上漲，但在2022年下半年會恢復并且進入供過于求的周期，這個周期會導致存儲市場價格的整體下滑。下面我們來具體分析都存在哪些因素導致DRAM的周期波動。1.地緣問題導致消費市場向下修正　　俄烏戰(zhàn)爭打破歐洲和平局面，導致能源價格大幅提升，整體社會的消費水平降低，企業(yè)和消費者會減少很多不必要的開支。早在4月底，美國商務(wù)部公布的數(shù)據(jù)顯示，美國一季度G
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潛力無限的汽車存儲芯片

  • 　　隨著智能化、電動化浪潮的推進，汽車芯片的含量成倍提升，電動車半導體含量約為燃油車2倍，智能車為8-10倍。需求增量端2020年全球約需要439億顆汽車芯片，2035年增長為1285億顆。價值增量端，2020年汽車芯片價值量為339億美元，2035年為893億美元?？梢娦酒瑢⒊蔀槠囆吕麧櫾鲩L點，有望成為引領(lǐng)半導體發(fā)展新驅(qū)動力。　　汽車芯片從應用環(huán)節(jié)可以分為5類：主控芯片、存儲芯片、功率芯片、模擬芯片、傳感器芯片等，以存儲芯片為例，2022年全球汽車存儲芯片市場規(guī)模約52億美元，國內(nèi)汽車存儲芯片市場規(guī)模
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美光面向數(shù)據(jù)中心客戶推出 DDR5 服務(wù)器 DRAM， 推動下一代服務(wù)器平臺發(fā)展

  • 關(guān)鍵優(yōu)勢：● 隨著 CPU 內(nèi)核數(shù)量不斷增加，改進后的內(nèi)存架構(gòu)相比 DDR4[1] 可將帶寬提高近一倍，進而提高效率● JEDEC 速度提高至 4800MT/s[2]，比 DDR4 快 1.5 倍[3]● 得益于高達 64GB 的模組容量，能夠支持內(nèi)存密集型工作負載[4]● DDR5 的創(chuàng)新架構(gòu)改進和模組內(nèi)建電源管理功能，有助于優(yōu)化系統(tǒng)整體運行性能 內(nèi)存和存儲解決方案領(lǐng)先供應商 Micron Technology, Inc.（美光科技股份有限公司）今日宣布
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中國DRAM和NAND存儲技術(shù)和產(chǎn)業(yè)能趕超韓國嗎?

  • 近日，韓國進出口銀行海外經(jīng)濟研究所（OERI）推算，韓國和中國在存儲芯片領(lǐng)域的技術(shù)差距為：DRAM的差距約為 5年，NAND 的差距約為2年。該研究院分析，中國DRAM制造企業(yè)長鑫存儲2022年將推進第二代10nm（1y或16nm至17nm）DRAM的量產(chǎn)。三星電子等韓國企業(yè)計劃在今年年末或明年批量生產(chǎn)第5代10nm(1b或12nm-13nm）DRAM。考慮到每一代的技術(shù)差距為2年-2年半，兩國之間的技術(shù)差距超過5年。據(jù)該研究院推測，在NAND閃存領(lǐng)域，中國與韓國的技術(shù)差距約為2年。中國存儲芯片企業(yè)長江存
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中國SSD行業(yè)企業(yè)勢力全景圖

  • 全球范圍看，2021-2023年存儲芯片的市場規(guī)模將分別達到1552億美元、1804億美元及2196億美元，增幅分別達到22.5%、16.2%和21.7%。其中，2021年DRAM市場規(guī)模約占56%，NAND Flash市場規(guī)模約占41%（IC Insights數(shù)據(jù)）。另外，根據(jù)CFM 閃存市場預計，2021年全球存儲市場規(guī)模將達1620億美元，增長29%，其中DRAM為945億美元，NAND Flash為675億美元。這兩個調(diào)研機構(gòu)的數(shù)據(jù)相近，相差100億美元。目前，全球儲存芯片市場主要被韓國、歐美以及
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2022半導體儲存器市場調(diào)研 半導體儲存器行業(yè)前景及現(xiàn)狀分析

  • 　　國內(nèi)半導體儲存器行業(yè)市場前景及現(xiàn)狀如何?半導體存儲器行業(yè)是全球集成電路產(chǎn)業(yè)規(guī)模最大的分支：半導體行業(yè)分為集成電路、光電器件、分立器件、傳感器等子行業(yè)，根據(jù)功能的不同，集成電路又可以分為存儲器、邏輯電路、模擬電路、微處理器等細分領(lǐng)域。2022半導體儲存器市場調(diào)研半導體儲存器行業(yè)前景及現(xiàn)狀分析　　國內(nèi)開始布局存儲產(chǎn)業(yè)規(guī)模化，中國大陸的存儲器公司陸續(xù)成立，存儲產(chǎn)業(yè)也取得明顯的進展。在半導體國產(chǎn)化的大趨勢下，國內(nèi)存儲器行業(yè)有望迎來新的發(fā)展和機遇?！　“雽w儲存器行業(yè)產(chǎn)業(yè)鏈下游涵蓋智能手機、平板電腦、計算機、網(wǎng)
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TrendForce：DRAM原廠降價意愿提高 第三季跌至近10%

  • 根據(jù)TrendForce最新研究顯示，盡管今年上半年的整體消費性需求快速轉(zhuǎn)弱，但先前DRAM原廠議價強勢，并未出現(xiàn)降價求售跡象，使得庫存壓力逐漸由買方堆棧至賣方端。在下半年旺季需求展望不明的狀態(tài)下，部分DRAM供貨商已開始有較明確的降價意圖，尤其發(fā)生在需求相對穩(wěn)健的服務(wù)器領(lǐng)域以求去化庫存壓力，此情況將使第三季DRAM價格由原先的季跌3至8%，擴大至近10%，若后續(xù)引發(fā)原廠競相降價求售的狀況，跌幅恐超越一成。PC OEM仍處于連續(xù)性下修出貨展望，且綜觀各家DRAM庫存水位平均超過兩個月以上，除非有極大的價格
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TrendForce：第三季DRAM價格預估下跌3～8％

  • 據(jù)TrendForce研究，盡管有旺季效應和DDR5滲透率提升的支撐，第三季DRAM市場仍不敵俄烏戰(zhàn)事、高通膨?qū)е孪M性電子需求疲弱的負面影響，進而使得整體DRAM庫存上升，成為第三季DRAM價格下跌3～8％的主因，且不排除部分產(chǎn)品別如PC與智能型手機領(lǐng)域恐出現(xiàn)超過8％的跌幅。PC DRAM方面，在需求持續(xù)走弱情況下，引發(fā)PC OEMs下修整年出貨目標，同時也造成DRAM庫存快速飆升，第三季PC OEMs仍將著重在調(diào)整與去化DRAM庫存，采購力道尚難回溫。同時，由于整體DRAM產(chǎn)業(yè)仍處于供過于求，因此即便
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SK海力士將向英偉達供應業(yè)界首款HBM3 DRAM

  • SK海力士宣布公司開始量產(chǎn) HBM3 -- 擁有當前業(yè)界最佳性能的 DRAM。擁有當前業(yè)界最佳性能的 HBM3 DRAM 內(nèi)存芯片，從開發(fā)成功到量產(chǎn)僅用七 個月HBM3將與NVIDIA H100 Tensor Core GPU搭配，以實現(xiàn)加速計算（accelerated computing）SK海力士旨在進一步鞏固公司在高端 DRAM 市場的領(lǐng)導地位* HBM (High Bandwidth Memory，高帶寬存儲器)：是由垂直堆疊在一起的 DRAM 芯片組合而成的高價值、高性能內(nèi)存
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3D DRAM技術(shù)是DRAM的的未來嗎？

  • 5月25日，有消息傳出，華為將在VLSI Symposium 2022期間發(fā)表其與中科院微電子研究所合作開發(fā)的 3D DRAM 技術(shù)。隨著“摩爾定律”走向極限，DRAM芯片工藝提升將愈發(fā)困難。3D DRAM就成了各大存儲廠商突破DRAM工藝極限的新方案。DRAM工藝的極限目前，DRAM芯片最先進的工藝是10nm。據(jù)公開資料顯示，三星早已在2020年完成了10nm制程DRAM的出貨；美光和SK海力士也在2021年完成了10nm DRAM產(chǎn)品的量產(chǎn)。那么，10nm是DRAM工藝的極限嗎？在回答這個問題之前，我
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利基型DRAM持續(xù)擴產(chǎn) 華邦電 搶攻AIoT、元宇宙

  • 內(nèi)存大廠華邦電日前宣布擴大利基型DDR3產(chǎn)出，爭取韓系DRAM廠退出后的市占率，推升營收及獲利續(xù)創(chuàng)新高。華邦電自行開發(fā)的20奈米DRAM制程，將于明年導入至高雄廠量產(chǎn)，為長遠發(fā)展奠定良好的基礎(chǔ)與成長動能，同時滿足5G基地臺、人工智能物聯(lián)網(wǎng)（AIoT）、電動車及車用電子、元宇宙等產(chǎn)業(yè)大趨勢強勁需求。華邦電第一季迎來利基型DRAM價格回升，SLC NAND及NOR Flash價格回穩(wěn)，季度營收265.14億元為歷史次高，歸屬母公司稅后凈利年增近1.9倍達45.59億元并創(chuàng)下歷史新高，每股凈利1.15元優(yōu)于預期
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三星推出512GB 內(nèi)存擴展器CXL DRAM

  • 2022年5月10日 ，作為先進內(nèi)存技術(shù)的廠商，三星宣布開發(fā)出三星首款512 GB 內(nèi)存擴展器 （CXL，Compute Express Link） DRAM，朝CXL的商業(yè)化邁出了重要一步，CXL將在IT系統(tǒng)中實現(xiàn)更高的內(nèi)存容量且更低的延遲。三星半導體512GB 內(nèi)存擴展器 CXL DRAM與以往版本相比，新開發(fā)的CXL內(nèi)存容量為其4倍，從而讓服務(wù)器擴展至數(shù)十TB，而系統(tǒng)延遲僅為其五分之一三星還將推出其開源軟件工具包的升級版本，以推動CXL內(nèi)存在現(xiàn)有和新興IT系統(tǒng)中的部署自2021年5月推出三星首款配備
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