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DRAM顆粒6月現(xiàn)貨價(jià)逼近生產(chǎn)成本　跌勢趨緩訊號浮現(xiàn)

  • DRAM價(jià)格第2季大幅走跌，根據(jù)供應(yīng)鏈透露，6月起DRAM顆?，F(xiàn)貨價(jià)格再度走跌，主流交易規(guī)格的8Gb顆粒正式跌破3美元關(guān)卡。
  • 關(guān)鍵字： 三星電子  SK海力士  美光  南亞科  DRAM  

紅「芯」勢力崛起 三星DRAM事業(yè)的危機(jī)與中轉(zhuǎn)

  • 半導(dǎo)體無所不在，舉凡汽車、家電、手機(jī)到戰(zhàn)斗機(jī)，皆少不了半導(dǎo)體這玩意。半導(dǎo)體為韓國最具代表性產(chǎn)業(yè)，占外銷總金額的20%。然而2018年底存儲器榮景告終、價(jià)格走跌，除了讓三星電子(Samsung Electronics)存儲器事業(yè)陷入危機(jī)外，韓國經(jīng)濟(jì)前景也跟著蒙上陰影。面對中國大陸DRAM力拚崛起，及工業(yè)4.0革命可能帶來的爆炸性需求，三星半導(dǎo)體事業(yè)將采取何種策略令人好奇。
  • 關(guān)鍵字： 三星  DRAM  SDI  

三星18nm工藝內(nèi)存芯片曝缺陷 明年全面挺進(jìn)16nm

  • 作為占據(jù)全球DRAM內(nèi)存芯片過半市場的超級巨頭，三星電子的一舉一動都影響著整個(gè)行業(yè)。前幾年內(nèi)存價(jià)格持續(xù)暴漲，三星賺得盆滿缽滿，最近日子就不太好過了，一季度營業(yè)利潤暴跌了超過60％。
  • 關(guān)鍵字： DRAM  16nm  三星電子  

MRAM技術(shù)新突破！臺灣清大團(tuán)隊(duì)發(fā)表新磁性翻轉(zhuǎn)技術(shù)

  • 　　全球各半導(dǎo)體大廠如三星、東芝、英特爾等摩拳擦掌競相投入磁阻式隨機(jī)存取存儲器(MRAM)，準(zhǔn)備在后摩爾定律世代一較高下。臺灣清華大學(xué)研究團(tuán)隊(duì)最新發(fā)表以自旋流操控鐵磁-反鐵磁納米膜層的磁性翻轉(zhuǎn)，研究成果已于今年2月19日刊登于材料領(lǐng)域頂尖期刊《自然材料》(NatureMaterials)?！　RAM為非揮發(fā)性存儲器技術(shù)，斷電時(shí)利用納米磁鐵所存儲的數(shù)據(jù)不會流失，是“不失憶”的存儲器。其結(jié)構(gòu)如三明治，上層是自由翻轉(zhuǎn)的鐵磁層，可快速處理數(shù)據(jù)，底層則是釘鎖住的鐵磁層，可用作存儲數(shù)據(jù)，兩層中則有氧化層隔開?！　∑?/li>
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集邦咨詢：DRAM均價(jià)受庫存尚未去化完成影響，跌勢恐將持續(xù)至下半年

  • 　　Mar. 25, 2019 ---- 集邦咨詢半導(dǎo)體研究中心(DRAMeXchange)指出，受庫存過高影響，DRAM第一季合約價(jià)跌幅持續(xù)擴(kuò)大，整體均價(jià)已下跌逾20%。然而價(jià)格加速下跌并未刺激需求回溫，預(yù)計(jì)在庫存尚未去化完成的影響下，DRAM均價(jià)跌勢恐將持續(xù)至第三季?！　「鶕?jù)DRAMeXchange調(diào)查，DRAM供應(yīng)商累積的庫存水位在第一季底已經(jīng)普遍超過六周 (含wafer bank)，而買方的庫存水位雖受到不同產(chǎn)品別的影響略有增減，但平均至少達(dá)五周，在服務(wù)器以及PC客戶端甚至超過七周?！　∵M(jìn)
  • 關(guān)鍵字： 集邦咨詢  DRAM  

中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展面臨瓶頸，因素在于美國管制與韓國壟斷

  • 　　根據(jù)韓國媒體《BusinessKorea》的報(bào)導(dǎo)指出，中國一直企望發(fā)展半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)，但在近期受到韓國存儲器大廠三星與SK海力士在市場壟斷與持續(xù)技術(shù)精進(jìn)下，加上美國對知識產(chǎn)權(quán)的嚴(yán)密保護(hù)，其目的將難以達(dá)成。　　報(bào)導(dǎo)指出，2018年10月份，在中國NANDFlash快閃存儲器技術(shù)上領(lǐng)先的長江存儲(YMTC)發(fā)布了自行研發(fā)的32層堆疊產(chǎn)品之后，當(dāng)時(shí)就宣布將在2020年時(shí)跳過64層及96層堆疊的產(chǎn)品，直接發(fā)展128層堆疊的產(chǎn)品。由于韓國的存儲器龍頭廠三星，早在2014年就已經(jīng)推出了32層堆疊的NANDFlash快
  • 關(guān)鍵字： DRAM  NANDFlash  

手機(jī)存儲芯片價(jià)格狂跌 海外巨頭“圍剿”中國廠商陰謀論成真？

  • 近日，半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)市場調(diào)研品牌DRAMeXchange(全球半導(dǎo)體觀察)公布的最新的存儲芯片行業(yè)調(diào)研報(bào)告顯示，DRAM跌價(jià)幅度超過預(yù)期，創(chuàng)8年以來最大跌幅。一度被調(diào)侃為“價(jià)格跑贏了房價(jià)”的內(nèi)存條，如今突然迎來8年來最大跌幅，國際巨頭對中國廠商“圍剿”的爭議也再次出現(xiàn)。
  • 關(guān)鍵字： 存儲  DRAM  

DRAM價(jià)格暴跌 韓國前景“一片烏云”

  • 　　根據(jù)據(jù)韓媒《韓鮮日報(bào)》報(bào)導(dǎo)，DRAM的價(jià)格接連下跌，零售的計(jì)算機(jī)用DRAM價(jià)格最終也下跌到5萬韓元以下，這樣的走勢比預(yù)期要快許多，預(yù)計(jì)今年出口的前景也不樂觀?！　≡陧n國電子產(chǎn)品價(jià)格比較網(wǎng)“Danawa”上，本月6日三星電子DDR48GBPC4-21300DRAM價(jià)格是4萬8900韓元，已經(jīng)下跌到5萬韓元以下，與去年4月9萬9270韓元的高點(diǎn)相比下跌了50.7%。　　B2B(企業(yè)間交易)市場價(jià)格指標(biāo)也呈暴跌的趨勢，據(jù)市調(diào)公司DRAMeXchange指出，2月底的DDR48Gb的固定交易價(jià)格是比起今年1月
  • 關(guān)鍵字： DRAM  SK海力士  

DRAM大幅跌價(jià) 三星的半導(dǎo)體老大位置懸了

  • 　　據(jù)市調(diào)機(jī)構(gòu)DRAMeXchange公布的調(diào)查報(bào)告指，今年以來DRAM內(nèi)存價(jià)格大幅下跌，其估算一季度的跌幅從預(yù)期的25%擴(kuò)大至30%，這對于依靠存儲芯片取得了全球半導(dǎo)體老大位置的三星來說顯然不是好消息，其或因存儲芯片價(jià)格持續(xù)下跌導(dǎo)致位置不保?！　〈鎯π酒瑑r(jià)格持續(xù)上漲助三星取代Intel　　自2016年以來，受PC、智能手機(jī)等產(chǎn)品對存儲芯片需求不斷擴(kuò)大，PC正將機(jī)械硬盤轉(zhuǎn)換為速度更快的SSD硬盤、DRAM內(nèi)存的容量在不斷增大，智能手機(jī)的閃存和內(nèi)存容量也在不斷擴(kuò)大，存儲芯片價(jià)格進(jìn)入了快速上漲的階段?！　∽鳛?/li>
  • 關(guān)鍵字： 三星  DRAM  

集邦咨詢：第一季DRAM合約價(jià)大幅下修，創(chuàng)8年以來最大跌幅

  • 　　Mar. 5, 2019 ---- 根據(jù)集邦咨詢半導(dǎo)體研究中心(DRAMeXchange)最新調(diào)查，由于供過于求的市況，DRAM產(chǎn)業(yè)大部分交易已經(jīng)改為月結(jié)價(jià)(Monthly Deals)，2月份更罕見出現(xiàn)價(jià)格大幅下修。目前季跌幅從原先預(yù)估的25%調(diào)整至逼近30%，是繼2011年以來單季最大跌幅?！　RAMeXchange指出，從市場面來觀察，整體合約價(jià)自去年第四季開始下跌，隨后庫存水位持續(xù)攀升。近期DRAM原廠庫存(含wafer bank)普遍來到至少一個(gè)半月的高水位。同時(shí)，Intel低
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中國將增加在美半導(dǎo)體采購量？韓媒：不太容易

  • 　　據(jù)businesskorea報(bào)道，中國計(jì)劃在未來六年內(nèi)將在美國的半導(dǎo)體采購增加到2000億美元(約合225.9萬億韓元)，大約是目前水平的五倍。　　然而，許多專家表示，美國急于遏制中國的半導(dǎo)體野心，不太可能接受中國的提議，因?yàn)樗鼘⒃黾訉χ袊陌雽?dǎo)體依賴。　　韓國企業(yè)對該計(jì)劃持謹(jǐn)慎態(tài)度，主要有兩個(gè)原因?！　∈紫龋袊鴽]有提及將購買哪一種半導(dǎo)體。一家韓國半導(dǎo)體公司的高級官員表示:“中國沒有說明將進(jìn)口何種半導(dǎo)體芯片，無論是內(nèi)存、中央處理器(CPU)還是系統(tǒng)半導(dǎo)體芯片。在這種情況下，很難預(yù)測對韓國企業(yè)的影響。
  • 關(guān)鍵字： NAND  DRAM  

全球硅片產(chǎn)業(yè)變遷的下一站是中國？

  • 作為IC晶圓生產(chǎn)直接的原材料，全球硅片行業(yè)經(jīng)歷了從6寸向12寸的迭代，同時(shí)生產(chǎn)中心由美國轉(zhuǎn)移到了日本。目前日本憑借半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)分工帶來的機(jī)遇占據(jù)硅片行業(yè)50%以上份額，但......
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DRAM技術(shù)再一次實(shí)現(xiàn)突破，DDR6火速殺到：速度飛天

  • 　　據(jù)外媒消息，第二大DRAM芯片廠商SK海力士已著手第六代DDR內(nèi)存即DDR6的研發(fā)，預(yù)期速率12Gb/s，也就是DDR6-12000。　　接受采訪時(shí)，SK海力士研發(fā)Fellow Kim Dong-kyun前瞻，DDR6將在5~6年內(nèi)發(fā)展起來?！　im Dong-kyun透露，“后DDR5”產(chǎn)品已經(jīng)有幾套技術(shù)概念成型，其中一套延續(xù)現(xiàn)有的數(shù)據(jù)傳輸規(guī)范，另一套則是將DRAM和CPU等片上系統(tǒng)的處理技術(shù)結(jié)合?！　≠Y料顯示，去年11月，SK海力士宣布基于1Ynm工藝、開發(fā)出單顆容量16Gb(2GB)的DD
  • 關(guān)鍵字： DRAM  DDR6  

莫大康：影響2019中國半導(dǎo)體業(yè)增長的三個(gè)關(guān)鍵因素

  • 業(yè)界都謹(jǐn)慎地觀察2019年中國半導(dǎo)體業(yè)的發(fā)展態(tài)勢，用呈”不確定性”，而一言以蔽之。本文擬從以下三個(gè)方面，包括2019年全球半導(dǎo)體業(yè)的弱勢;中國集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展由產(chǎn)能擴(kuò)充階段轉(zhuǎn)向產(chǎn)品增長的攻堅(jiān)戰(zhàn);以及在貿(mào)易戰(zhàn)下心理因素的影響等來初探2019年中國半導(dǎo)體業(yè)的增長。
  • 關(guān)鍵字： 半導(dǎo)體  DRAM  存儲器  

2019年全球Flash支出達(dá)260億美元　連續(xù)3年高于DRAM與晶圓代工支出

  • 盡管隨著主要存儲器業(yè)者已完成或即將完成Flash存儲器產(chǎn)量擴(kuò)增計(jì)劃，2019年全球半導(dǎo)體業(yè)者在Flash業(yè)務(wù)上的資本支出將會大幅下滑，但該支出金額仍然會繼續(xù)高于各業(yè)者在DRAM與晶圓代工業(yè)務(wù)上的支出。　　ICInsights最新資料顯示，2016年全球半導(dǎo)體業(yè)者在Flash業(yè)務(wù)上的資本支出金額為144億美元，低于同年晶圓代工業(yè)務(wù)資本支出金額的219億美元。　
  • 關(guān)鍵字： DRAM  晶圓  Flash  
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