量子計算機如今已經成為科技巨頭們爭奪的新高地，IBM、谷歌都涉獵其中。
現在，微軟也要在量子計算領域發(fā)揮能量了。
半導體技術公司Rambus最新宣布已經與微軟達成合作，雙方將研發(fā)一種能夠在零下180攝氏度環(huán)境下穩(wěn)定運行的DRAM系統(tǒng)，為未來的量子計算機服務。
Rambus研究所副總裁Gary Bronner介紹稱，與微軟的合作旨在零下180攝氏度環(huán)境下提升DRAM系統(tǒng)的容量和運算效率，并且降低功耗。
同時，高速串行/并行鏈路也能夠在低溫和超導環(huán)境中有效運行，從而確保整個存儲系統(tǒng)
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微軟 DRAM
力晶創(chuàng)辦人暨執(zhí)行長黃崇仁表示，大陸扶植半導體以為撒錢就可以，但未來用補助研發(fā)費用來扶植新廠的策略很難再延續(xù)，必須要有技術在手才行，但現在美系存儲器大廠美光(Micron)已經盯上大陸3家存儲器，包括紫光長江存儲、合肥長鑫和聯電的福建晉華，預計進入大陸DRAM產業(yè)的腳步會放緩，配合韓國2018年冬季奧運率先展示5G技術，未來DRAM是長期缺貨的走勢!
黃崇仁進一步表示，全球DRAM產業(yè)已經5年沒有新廠加入，三星電子(Samsung Electronics)蓋廠也是針對10納米晶圓代工和NAND F
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DRAM 5G
力晶創(chuàng)辦人暨執(zhí)行長黃崇仁表示，大陸扶植半導體以為撒錢就可以，但未來用補助研發(fā)費用來扶植新廠的策略很難再延續(xù)，必須要有技術在手才行，但現在美系存儲器大廠美光(Micron)已經盯上大陸3家存儲器，包括紫光長江存儲、合肥長鑫和聯電的福建晉華，預計進入大陸DRAM產業(yè)的腳步會放緩，配合韓國2018年冬季奧運率先展示5G技術，未來DRAM是長期缺貨的走勢!
黃崇仁進一步表示，全球DRAM產業(yè)已經5年沒有新廠加入，三星電子(Samsung Electronics)蓋廠也是針對10納米晶圓代工和NAND F
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DRAM 5G
三星電子為了鞏固存儲器霸業(yè)，制定 DRAM 發(fā)展藍圖，擘劃制程微縮進度。業(yè)界預估，15 納米可能是 DRAM 制程微縮的極限，擔憂三星遭中國業(yè)者追上。
韓媒 etnews 18 日報導，業(yè)界消息稱，三星去年開始量產 18 納米 DRAM，目前正研發(fā) 17 納米 DRAM，預定今年底完成開發(fā)、明年量產。與此同時，三星也成立 16 納米 DRAM 開發(fā)小組，目標最快 2020 年量產。相關人士透露，微縮難度高，2020 年量產時間可能延后。
三星從 20 納米制程(28→25&rar
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三星 DRAM
三星電子為了鞏固存儲器霸業(yè)，制定DRAM發(fā)展藍圖，擘劃制程微縮進度。業(yè)界預估，15納米可能是DRAM制程微縮的極限，擔憂三星遭中國業(yè)者追上。
韓媒etnews 18日報導，業(yè)界消息稱，三星去年開始量產18納米DRAM，目前正研發(fā)17納米DRAM，預定今年底完成開發(fā)、明年量產。與此同時，三星也成立16納米DRAM開發(fā)小組，目標最快2020年量產。相關人士透露，微縮難度高，2020年量產時間可能延后。
三星從20納米制程(28→25→20)，轉進10納米制程(18&rarr
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三星 DRAM
目前說中國存儲器業(yè)的”春天”已經到來可能還為時尚早，確切地說，應該是中國的半導體業(yè)一定要跨入全球存儲器的行列之中。
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3DNAND DRAM
第四代高速DRAM存儲器DDR4自2014年上市以來，銷售額在整體DRAM存儲器總銷售額中的占比不斷成長。尤其是隨著2016年DDR4平均售價(ASP)跌至約與DDR3相同，當年DDR4銷售額占比更是飆升至45%，大幅拉近與DDR3占比間的距離。
調研機構IC Insights預估，隨著如英特爾(Intel)最新14納米制程x86 Core系列處理器等都開始向DDR4存儲器靠攏，預計2017年全球DDR4銷售額占比將會揚升至58%，首度超越DDR3的39%，正式終結過去6年DDR3占比持續(xù)維持第
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DDR4 DRAM
Gartner 表示，在 NAND Flash 方面 2017 年第 2 季將會開始呈現反轉，使得全球 NAND Flash 和 SSD 的價格會在 2018 年出現明顯下滑，并在 2019 年重新陷入一個相對低點。
Gartner 表示，自 2016 年中期以來，隨著 NAND Flash 的漲價，SSD 的每字節(jié)的成本也出現了驚人上漲。 不過，這種上漲趨勢將在本季達到頂峰。 其原因在于中國廠商大量投入生產的結果，在產能陸續(xù)開出后，市場價格就一反過去的漲勢，開始出現下跌的情況。
Gart
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DRAM NAND
IC Insights 對DRAM后市提出示警，預期下半年隨著供給增加，產品價格恐將下滑，DRAM 市場無可避免將展開周期性修正。
IC Insighta 指出，DRAM 價格自 2016 年中以來快速走高，據統(tǒng)計，DRAM 平均售價已自 2016 年 4 月的 2.41 美元，大幅攀高到今年 2 月的 3.7 美元，漲幅高達至 54%。
在產品價格大漲帶動下，IC Insights 預估，今年 DRAM 產值可望達 573 億美元規(guī)模，將較去年成長達 39%。
IC Insight
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DRAM
臺灣DRAM教父高啟全轉戰(zhàn)大陸紫光集團操盤存儲器大計劃超過1年，日前晉升長江存儲的執(zhí)行董事、代行董事長，接受DIGITIMES獨家專訪公開未來規(guī)劃;他指出，已齊聚500名研發(fā)人員在武漢投入3D NAND開發(fā)，也考慮研發(fā)20/18納米DRAM，會在技術開發(fā)具競爭力后才開始投產，歡迎美光(Micron)加入合作，雙方合則兩利，且時間會對長江存儲有利!
長江存儲計劃存儲器的研發(fā)，制造基地在武漢、南京兩地，紫光2017年1月底資金到位，現階段長江存儲的股權結構是大基金占25%、湖北集成電路產業(yè)投資基金和
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長江存儲 DRAM
美光此次提起訴訟無非是為了防止其存儲技術遭到泄露，間接給大陸廠商和相關員工施壓，其行為也是國際大廠圍堵中國半導體產業(yè)崛起的縮影之一
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晉華 DRAM
近日，有媒體報道美國存儲器大廠在臺灣地區(qū)采取司法手段其防止技術遭遇泄露，目標是前華亞科及前瑞晶關鍵制程和研發(fā)人員，目前已有上百人遭到約談?！ ∈袌龈莻鞒?，美光這一行動已經波及聯電與大陸廠商晉華的合作事宜，導致后者出資在聯電臺灣南科廠設置的試產線停產?！ 〔贿^，4月5日，聯電方面對外表示，確實有員工收到了訴訟通知，但只是個人行為，與公司無關。此外，聯電還表示，目前DRAM仍處制程技術開發(fā)階段，尚無試產線，并無外傳試產線暫停的情況，其DRAM技術的研發(fā)計劃也將持續(xù)不變?！ 「鶕钭稍冇^察，近年來，中國
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美光 DRAM
DRAM、NAND 快閃存儲器價格漲不停，促使半導體研究機構 IC Insights 將今年全球芯片成長預估調升兩倍。
IC Insights 最新預期 2017 年全球芯片產值將成長 11%，兩倍高于原先估計的 5%。IC Insights 解釋原因為 DRAM、NAND 快閃存儲器展望明顯上修。
IC Insights 現在預期今年 DRAM 銷售額有望跳增 39%、NAND 快閃存儲器有望成長 25%，隨著報價走揚，未來兩者都還有進一步上修的可能。
IC Insights 指出
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存儲器 DRAM
2013年，中國從海外進口了2,330億美元的半導體，進口金額首度超越石油，也促成了中國「半導體產業(yè)發(fā)展綱要」的出現，并在2014年9月募集第一波的「大基金」。 2015年，半導體的進口金額維持2,307億美元的高檔，大約貢獻了全球29%的半導體需求量，但中國能自己供應的比重僅有4%。
中國政府希望到2020年為止，能夠維持每年20%的成長。 相較于海外的購并工作不斷的受到干擾，中國顯然更積極于自建工廠的努力。 整體而言，我們可以用「自建工廠」，發(fā)展3D Flash，也同步發(fā)展材料設備業(yè)等幾個字
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IC DRAM
在“2017慕尼黑上海電子展”前夕的“汽車技術日”上，ISSI技術市場經理田步嚴介紹了車用存儲器市場，包括：信息娛樂、ADAS、儀表總成、connectivity telematics四大類。
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汽車 SRAM DRAM SDRAM e.MMC 201704
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