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三星投26億擴展Line 17工廠10nm級DRAM內存產能

  • 　　三星上月底發(fā)布了2017年Q1季度財報,營收只增加1.5%的情況下凈利潤大增46%,其中貢獻最多的就是閃存芯片部門,也就是DRAM內存和NAND閃存。時至今日,DRAM、NAND閃存缺貨、漲價的情況都沒有緩解,現(xiàn)在還是供不應求,好在三星、SK Hynix、美光等公司也加大了投資力度提升產能,其中三星也要斥資26.4億美元擴產Line 17工廠,下半年加速10nm級DRAM內存生產。 　　三星前不久才宣布了全球最大的半導體工廠平澤工廠竣工,那個是針對NAND閃存的,主力產品將是64層堆棧的3D NAN
  • 關鍵字： 三星  DRAM  

新興內存百家爭鳴 商品化腳步穩(wěn)健向前

  • 　　內存是半導體的主力產品之一，目前主要由動態(tài)隨機存取內存(DRAM)及具備非揮發(fā)特性的NAND閃存(Flash)為最重要的兩項產品。 不過，由于DRAM必須持續(xù)上電才能保存數(shù)據(jù)，NAND Flash又有讀寫速度較DRAM慢，且讀寫次數(shù)相對有限的先天限制，因此內存業(yè)者一直試圖發(fā)展出新的內存架構，希望能兼具DRAM的速度、耐用度和NAND的非揮發(fā)特性。 　　根據(jù)研究機構Tech Insights估計，包含STT-MRAM、FRAM、CBRAM、3D Xpoint等新世代內存，都已陸續(xù)進入小量生產階段。 不
  • 關鍵字： 內存  DRAM  

2016年全球前十大半導體業(yè)者排名出爐

  • 　　2016年全球前十大半導體業(yè)者排名出爐。據(jù)IHSMarkit所搜集的數(shù)據(jù)顯示，2016年全球半導體產業(yè)的營收成長2%，而前十大半導體業(yè)者的營收則成長2.3%，優(yōu)于產業(yè)平均水平。以個別產品類型來看，DRAM與NANDFlash是2016年營收成長動能最強的產品，成長幅度超過30%;車用半導體的市場規(guī)模也比2015年成長9.7%。 　　IHS預期，由于市場需求強勁，2017年內存市場的營收規(guī)?？赏賱?chuàng)新高，車用半導體市場的規(guī)模則有機會成長超過10%。整體來說，2017年半導體產業(yè)的表現(xiàn)將出現(xiàn)穩(wěn)健成長。
  • 關鍵字： DRAM  NANDFlash  

微軟與Rambus合作研發(fā)超低溫DRAM存儲系統(tǒng)

  • 　　量子計算機如今已經成為科技巨頭們爭奪的新高地，IBM、谷歌都涉獵其中。 　　現(xiàn)在，微軟也要在量子計算領域發(fā)揮能量了。 　　半導體技術公司Rambus最新宣布已經與微軟達成合作，雙方將研發(fā)一種能夠在零下180攝氏度環(huán)境下穩(wěn)定運行的DRAM系統(tǒng)，為未來的量子計算機服務。 　　Rambus研究所副總裁Gary Bronner介紹稱，與微軟的合作旨在零下180攝氏度環(huán)境下提升DRAM系統(tǒng)的容量和運算效率，并且降低功耗。 　　同時，高速串行/并行鏈路也能夠在低溫和超導環(huán)境中有效運行，從而確保整個存儲系統(tǒng)
  • 關鍵字： 微軟  DRAM  

力晶：大陸DRAM做不起來　5G時代存儲器會長缺

  • 　　力晶創(chuàng)辦人暨執(zhí)行長黃崇仁表示，大陸扶植半導體以為撒錢就可以，但未來用補助研發(fā)費用來扶植新廠的策略很難再延續(xù)，必須要有技術在手才行，但現(xiàn)在美系存儲器大廠美光(Micron)已經盯上大陸3家存儲器，包括紫光長江存儲、合肥長鑫和聯(lián)電的福建晉華，預計進入大陸DRAM產業(yè)的腳步會放緩，配合韓國2018年冬季奧運率先展示5G技術，未來DRAM是長期缺貨的走勢! 　　黃崇仁進一步表示，全球DRAM產業(yè)已經5年沒有新廠加入，三星電子(Samsung Electronics)蓋廠也是針對10納米晶圓代工和NAND F
  • 關鍵字： DRAM  5G  

力晶：大陸DRAM做不起來　5G時代存儲器會長缺

  • 　　力晶創(chuàng)辦人暨執(zhí)行長黃崇仁表示，大陸扶植半導體以為撒錢就可以，但未來用補助研發(fā)費用來扶植新廠的策略很難再延續(xù)，必須要有技術在手才行，但現(xiàn)在美系存儲器大廠美光(Micron)已經盯上大陸3家存儲器，包括紫光長江存儲、合肥長鑫和聯(lián)電的福建晉華，預計進入大陸DRAM產業(yè)的腳步會放緩，配合韓國2018年冬季奧運率先展示5G技術，未來DRAM是長期缺貨的走勢! 　　黃崇仁進一步表示，全球DRAM產業(yè)已經5年沒有新廠加入，三星電子(Samsung Electronics)蓋廠也是針對10納米晶圓代工和NAND F
  • 關鍵字： DRAM  5G  

三星制定DRAM發(fā)展藍圖 15納米是制程微縮極限

  • 　　三星電子為了鞏固存儲器霸業(yè)，制定 DRAM 發(fā)展藍圖，擘劃制程微縮進度。業(yè)界預估，15 納米可能是 DRAM 制程微縮的極限，擔憂三星遭中國業(yè)者追上。 　　韓媒 etnews 18 日報導，業(yè)界消息稱，三星去年開始量產 18 納米 DRAM，目前正研發(fā) 17 納米 DRAM，預定今年底完成開發(fā)、明年量產。與此同時，三星也成立 16 納米 DRAM 開發(fā)小組，目標最快 2020 年量產。相關人士透露，微縮難度高，2020 年量產時間可能延后。 　　三星從 20 納米制程(28→25&rar
  • 關鍵字： 三星  DRAM  

韓媒曝三星DRAM發(fā)展藍圖、15nm是制程微縮極限？

  • 　　三星電子為了鞏固存儲器霸業(yè)，制定DRAM發(fā)展藍圖，擘劃制程微縮進度。業(yè)界預估，15納米可能是DRAM制程微縮的極限，擔憂三星遭中國業(yè)者追上。 　　韓媒etnews 18日報導，業(yè)界消息稱，三星去年開始量產18納米DRAM，目前正研發(fā)17納米DRAM，預定今年底完成開發(fā)、明年量產。與此同時，三星也成立16納米DRAM開發(fā)小組，目標最快2020年量產。相關人士透露，微縮難度高，2020年量產時間可能延后。 　　三星從20納米制程(28→25→20)，轉進10納米制程(18&rarr
  • 關鍵字： 三星  DRAM  

中國存儲業(yè)的“春天”來了？

  • 目前說中國存儲器業(yè)的”春天”已經到來可能還為時尚早，確切地說，應該是中國的半導體業(yè)一定要跨入全球存儲器的行列之中。
  • 關鍵字： 3DNAND  DRAM  

DDR4將首度超越DDR3　2017年占整體DRAM58%

  • 　　第四代高速DRAM存儲器DDR4自2014年上市以來，銷售額在整體DRAM存儲器總銷售額中的占比不斷成長。尤其是隨著2016年DDR4平均售價(ASP)跌至約與DDR3相同，當年DDR4銷售額占比更是飆升至45%，大幅拉近與DDR3占比間的距離。 　　調研機構IC Insights預估，隨著如英特爾(Intel)最新14納米制程x86 Core系列處理器等都開始向DDR4存儲器靠攏，預計2017年全球DDR4銷售額占比將會揚升至58%，首度超越DDR3的39%，正式終結過去6年DDR3占比持續(xù)維持第
  • 關鍵字： DDR4  DRAM  

機構:DRAM與NAND FLASH價格下半年將下降

  • 　　Gartner 表示，在 NAND Flash 方面 2017 年第 2 季將會開始呈現(xiàn)反轉，使得全球 NAND Flash 和 SSD 的價格會在 2018 年出現(xiàn)明顯下滑，并在 2019 年重新陷入一個相對低點。 　　Gartner 表示，自 2016 年中期以來，隨著 NAND Flash 的漲價，SSD 的每字節(jié)的成本也出現(xiàn)了驚人上漲。 不過，這種上漲趨勢將在本季達到頂峰。 其原因在于中國廠商大量投入生產的結果，在產能陸續(xù)開出后，市場價格就一反過去的漲勢，開始出現(xiàn)下跌的情況。 　　Gart
  • 關鍵字： DRAM  NAND   

IC Insights :DRAM價格下半年要下滑

  • 　　IC Insights 對DRAM后市提出示警，預期下半年隨著供給增加，產品價格恐將下滑，DRAM 市場無可避免將展開周期性修正。 　　IC Insighta 指出，DRAM 價格自 2016 年中以來快速走高，據(jù)統(tǒng)計，DRAM 平均售價已自 2016 年 4 月的 2.41 美元，大幅攀高到今年 2 月的 3.7 美元，漲幅高達至 54%。 　　在產品價格大漲帶動下，IC Insights 預估，今年 DRAM 產值可望達 573 億美元規(guī)模，將較去年成長達 39%。 　　IC Insight
  • 關鍵字： DRAM  

高啟全：長江存儲自主3D NAND、DRAM研發(fā)歡迎美光一起加入

  • 　　臺灣DRAM教父高啟全轉戰(zhàn)大陸紫光集團操盤存儲器大計劃超過1年，日前晉升長江存儲的執(zhí)行董事、代行董事長，接受DIGITIMES獨家專訪公開未來規(guī)劃;他指出，已齊聚500名研發(fā)人員在武漢投入3D NAND開發(fā)，也考慮研發(fā)20/18納米DRAM，會在技術開發(fā)具競爭力后才開始投產，歡迎美光(Micron)加入合作，雙方合則兩利，且時間會對長江存儲有利! 　　長江存儲計劃存儲器的研發(fā)，制造基地在武漢、南京兩地，紫光2017年1月底資金到位，現(xiàn)階段長江存儲的股權結構是大基金占25%、湖北集成電路產業(yè)投資基金和
  • 關鍵字： 長江存儲  DRAM  

中國半導體遭圍堵 晉華并沒有DRAM試產線？

  • 美光此次提起訴訟無非是為了防止其存儲技術遭到泄露，間接給大陸廠商和相關員工施壓，其行為也是國際大廠圍堵中國半導體產業(yè)崛起的縮影之一
  • 關鍵字： 晉華  DRAM  

集邦咨詢：美光圍堵，無礙中國DRAM研發(fā)進程

  • 　　近日，有媒體報道美國存儲器大廠在臺灣地區(qū)采取司法手段其防止技術遭遇泄露，目標是前華亞科及前瑞晶關鍵制程和研發(fā)人員，目前已有上百人遭到約談?！　∈袌龈莻鞒?，美光這一行動已經波及聯(lián)電與大陸廠商晉華的合作事宜，導致后者出資在聯(lián)電臺灣南科廠設置的試產線停產?！　〔贿^，4月5日，聯(lián)電方面對外表示，確實有員工收到了訴訟通知，但只是個人行為，與公司無關。此外，聯(lián)電還表示，目前DRAM仍處制程技術開發(fā)階段，尚無試產線，并無外傳試產線暫停的情況，其DRAM技術的研發(fā)計劃也將持續(xù)不變?！　「鶕?jù)集邦咨詢觀察，近年來，中國
  • 關鍵字： 美光  DRAM  
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