EEPW首頁(yè) >>
主題列表 >>
1α dram
1α dram 文章 進(jìn)入1α dram技術(shù)社區(qū)
手機(jī)DRAM將增至8GB！三星供貨、料用于明年S8
- 行動(dòng)裝置的記憶體不斷擴(kuò)大!三星電子宣布，智慧機(jī)將進(jìn)入8GB DRAM年代，該公司已經(jīng)開始生產(chǎn)，外界預(yù)料將用于明年初問世的Galaxy S8。 韓聯(lián)社報(bào)導(dǎo)，三星電子20日發(fā)布業(yè)界首見的8GB行動(dòng)DRAM。新晶片采用10 奈米制程，由四個(gè)16Gb的LPDDR4 晶片組成。三星執(zhí)行副總Joo Sun Choi表示，8GB行動(dòng)DRAM的到來，可讓次世代旗艦機(jī)的功能更上一層樓。 目前智慧機(jī)行動(dòng)DRAM最大為6GB，記憶體加大可滿足雙鏡頭、4K螢?zāi)?、虛擬實(shí)境(VR)等的需求。三星并宣稱，新品效能與當(dāng)前
- 關(guān)鍵字： 三星 DRAM
Kilopass憑借其革命性的VLT技術(shù)改變DRAM產(chǎn)業(yè)格局
- 半導(dǎo)體嵌入式非易失性存儲(chǔ)器(eNVM)知識(shí)產(chǎn)權(quán)(IP)產(chǎn)品領(lǐng)先提供商Kilopass Technology, Inc.今日宣布：推出其革命性的垂直分層晶閘管(Vertical Layered Thyristor, VLT)技術(shù)，進(jìn)而顛覆全球DRAM市場(chǎng)。VLT存儲(chǔ)單元在2015年已通過驗(yàn)證，目前一款新的完整存儲(chǔ)器測(cè)試芯片正處于早期測(cè)試階段。Kilopass一直致力于推廣這項(xiàng)技術(shù)，并正與DRAM制造商進(jìn)行許可協(xié)商。 “Kilopass以一次性可編程(OTP)存儲(chǔ)器技術(shù)的領(lǐng)導(dǎo)者而聞名，我
- 關(guān)鍵字： Kilopass DRAM
VLT技術(shù) 或?qū)㈩嵏睤RAM產(chǎn)業(yè)格局
- 10月11日，Kilopass Technology宣布推出垂直分層晶閘管(Vertical Layered Thyristor)技術(shù)，簡(jiǎn)稱VLT技術(shù)。據(jù)Kilopass首席執(zhí)行官Charlie Cheng稱，該技術(shù)集低成本、低功耗、高效率、易制造等諸多優(yōu)點(diǎn)于一身，有可能顛覆目前的DRAM產(chǎn)業(yè)格局。 最適用于云計(jì)算/服務(wù)器市場(chǎng)的DRAM技術(shù) Charlie Cheng指出，DRAM整體市場(chǎng)較為穩(wěn)定，未來隨著PC、手機(jī)等方面的市場(chǎng)需求萎縮，新的增長(zhǎng)點(diǎn)將出現(xiàn)在云計(jì)算/服務(wù)器等市場(chǎng)領(lǐng)域。然而當(dāng)前
- 關(guān)鍵字： VLT DRAM
TrendForce：九月DRAM合約均價(jià)續(xù)漲逾7%
- TrendForce集邦科技旗下存儲(chǔ)研究品牌DRAMeXchange(全球半導(dǎo)體觀察)表示，隨著DRAM原廠持續(xù)調(diào)整產(chǎn)出比重，標(biāo)準(zhǔn)型內(nèi)存在供貨持續(xù)吃緊下，九月合約價(jià)維持強(qiáng)勁上漲走勢(shì)，均價(jià)已來到14.5美元，月漲幅達(dá)7.4%，在全球筆電需求出乎意料大增的情況下，預(yù)估第四季的合約價(jià)季漲幅將直逼三成，創(chuàng)下兩年來的新高點(diǎn)。 DRAMeXchange研究協(xié)理吳雅婷表示，DRAM現(xiàn)貨顆粒價(jià)格漲幅更為劇烈，如DDR3/4 4Gb價(jià)格分別來到2.1/2.0美元，較上月同期已各上漲19%與15%，顯見市場(chǎng)供不應(yīng)求
- 關(guān)鍵字： DRAM
TrendForce：九月DRAM合約均價(jià)續(xù)漲逾7%
- TrendForce集邦科技旗下存儲(chǔ)研究品牌DRAMeXchange(全球半導(dǎo)體觀察)表示，隨著DRAM原廠持續(xù)調(diào)整產(chǎn)出比重，標(biāo)準(zhǔn)型內(nèi)存在供貨持續(xù)吃緊下，九月合約價(jià)維持強(qiáng)勁上漲走勢(shì)，均價(jià)已來到14.5美元，月漲幅達(dá)7.4%，在全球筆電需求出乎意料大增的情況下，預(yù)估第四季的合約價(jià)季漲幅將直逼三成，創(chuàng)下兩年來的新高點(diǎn)。 DRAMeXchange研究協(xié)理吳雅婷表示，DRAM現(xiàn)貨顆粒價(jià)格漲幅更為劇烈，如DDR3/4 4Gb價(jià)格分別來到2.1/2.0美元，較上月同期已各上漲19%與15%，顯見市場(chǎng)供不應(yīng)求
- 關(guān)鍵字： TrendForce DRAM
南亞科未來兩年投資500億元 提升價(jià)值凌駕市占率
- 南亞科總經(jīng)理李培瑛29日出席臺(tái)灣半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)年會(huì)(TSIA)表示，南亞科計(jì)劃兩年投資500億元，這不是小數(shù)目的投資，其目的在于提升芯片價(jià)值，而非拉升全球市占率，未來新存儲(chǔ)器技術(shù)ReRAM、3D XPoint都值得注意，且臺(tái)灣的DRAM產(chǎn)能仍占全球產(chǎn)能的20%。 再者，南亞科召開重大訊息指出，為導(dǎo)入20納米制程技術(shù)，從2016年2月至9月29日為止，向臺(tái)塑網(wǎng)科購(gòu)置制程網(wǎng)路及伺服器等相關(guān)設(shè)備，總價(jià)款約3.43億元。整體來看，南亞科為配合20納米制程技術(shù)轉(zhuǎn)換制程，預(yù)計(jì)花430億~450億元進(jìn)行相關(guān)設(shè)備擴(kuò)
- 關(guān)鍵字： 南亞科 DRAM
DRAM價(jià)格漲勢(shì)延續(xù) 存儲(chǔ)器廠模組廠運(yùn)營(yíng)同步走高
- DRAM現(xiàn)貨價(jià)漲不停，主流規(guī)格DDR4 4Gb芯片均價(jià)昨(27)日正式站穩(wěn)2美元、達(dá)2.1美元，攀上七個(gè)多月來高點(diǎn)，本季來大漲逾24%，第4季報(bào)價(jià)持續(xù)看漲一成，南亞科、威剛、宇瞻等記憶體族群大進(jìn)補(bǔ)。 業(yè)界透露，在全球存儲(chǔ)器芯片龍頭三星拉抬報(bào)價(jià)帶動(dòng)下，DRAM漲勢(shì)延續(xù)，9月以來已連續(xù)三周上漲，漲勢(shì)明確，伴隨追價(jià)買盤進(jìn)場(chǎng)，漲勢(shì)加大。 根據(jù)全球市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)TrendForce集邦科技昨日晚間最新報(bào)價(jià)，DDR4 4Gb芯片正式站穩(wěn)2美元、均價(jià)來到2.1美元，單日漲幅1.6%，合計(jì)本周以來二個(gè)交易日
- 關(guān)鍵字： DRAM 存儲(chǔ)器
三星主導(dǎo)調(diào)漲報(bào)價(jià)策略 DRAM廠商有望重掌號(hào)令
- 三星主導(dǎo)調(diào)漲DRAM報(bào)價(jià)策略奏效，全球市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)TrendForce集邦科技最新DRAM現(xiàn)貨報(bào)價(jià)連四天緩步上揚(yáng)，主流DDR4 4Gb DRAM有機(jī)會(huì)向2美元叩關(guān)，也是近2個(gè)月來漲勢(shì)最明確的半導(dǎo)體重要元件。DRAM廠商包括南亞科、華邦、威剛及宇瞻等，可望重掌多頭反攻號(hào)令。 存儲(chǔ)器渠道商表示，三星和SK海力士近期主導(dǎo)價(jià)格漲勢(shì)態(tài)度積極，除8月調(diào)漲DRAM報(bào)價(jià)，第4季合約價(jià)也再漲一成，連同第3季合約價(jià)調(diào)漲15%，等于下半年漲幅約25%。 2大韓系DRAM大廠的市占逾八成，主導(dǎo)DRAM漲價(jià)策略奏效
- 關(guān)鍵字： 三星 DRAM
制程微縮產(chǎn)能損失大 明年下半年DRAM將爆新行情？
- 明年下半年DRAM供給可能會(huì)供不應(yīng)求，韓媒指出，存儲(chǔ)器廠商轉(zhuǎn)進(jìn)20納米制程的產(chǎn)能損失，或許會(huì)讓DRAM陷入供給短缺，炒熱行情。 BusinessKorea 12日?qǐng)?bào)道，半導(dǎo)體和投資銀行的業(yè)界消息指出，2017年DRAM需求預(yù)料將年增19.3%，不過2017年DRAM每月產(chǎn)量將減少2萬(wàn)組，從當(dāng)前的105萬(wàn)組、2017年降至103萬(wàn)組，主要是制程轉(zhuǎn)換造成產(chǎn)能減少。不僅如此，產(chǎn)程轉(zhuǎn)換的供給成長(zhǎng)率以往大約是30%，2017年成長(zhǎng)率可能減至10%，加劇供給不足問題。 據(jù)了解，明年上半年是淡季，DRA
- 關(guān)鍵字： DRAM 美光
制程微縮產(chǎn)能損失大 明年下半年DRAM將爆新行情？
- 明年下半年DRAM供給可能會(huì)供不應(yīng)求，韓媒指出，存儲(chǔ)器廠商轉(zhuǎn)進(jìn)20納米制程的產(chǎn)能損失，或許會(huì)讓DRAM陷入供給短缺，炒熱行情。 BusinessKorea 12日?qǐng)?bào)道，半導(dǎo)體和投資銀行的業(yè)界消息指出，2017年DRAM需求預(yù)料將年增19.3%，不過2017年DRAM每月產(chǎn)量將減少2萬(wàn)組，從當(dāng)前的105萬(wàn)組、2017年降至103萬(wàn)組，主要是制程轉(zhuǎn)換造成產(chǎn)能減少。不僅如此，產(chǎn)程轉(zhuǎn)換的供給成長(zhǎng)率以往大約是30%，2017年成長(zhǎng)率可能減至10%，加劇供給不足問題。 據(jù)了解，明年上半年是淡季，DRA
- 關(guān)鍵字： DRAM 美光
DRAM現(xiàn)貨價(jià)短期看漲
- 根據(jù)TrendForce旗下研究部門DRAMeXchange調(diào)查，DRAM產(chǎn)業(yè)的減產(chǎn)效應(yīng)已正在逐步發(fā)酵當(dāng)中，在跌無可跌的前提之下，短時(shí)間內(nèi)現(xiàn)貨價(jià)格有機(jī)會(huì)帶動(dòng)一波價(jià)格的上
- 關(guān)鍵字： DRAM 現(xiàn)貨價(jià) 短期看漲
1α dram介紹
您好，目前還沒有人創(chuàng)建詞條1α dram!
歡迎您創(chuàng)建該詞條，闡述對(duì)1α dram的理解，并與今后在此搜索1α dram的朋友們分享。 創(chuàng)建詞條
歡迎您創(chuàng)建該詞條，闡述對(duì)1α dram的理解，并與今后在此搜索1α dram的朋友們分享。 創(chuàng)建詞條
1α dram相關(guān)帖子
1α dram資料下載
1α dram專欄文章
關(guān)于我們 -
廣告服務(wù) -
企業(yè)會(huì)員服務(wù) -
網(wǎng)站地圖 -
聯(lián)系我們 -
征稿 -
友情鏈接 -
手機(jī)EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權(quán)所有 北京東曉國(guó)際技術(shù)信息咨詢有限公司
京ICP備12027778號(hào)-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權(quán)所有 北京東曉國(guó)際技術(shù)信息咨詢有限公司
京ICP備12027778號(hào)-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473