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EEPW首頁 >> 主題列表 >> 1α dram

制程微縮產(chǎn)能損失大 明年下半年DRAM將爆新行情?

  •   明年下半年DRAM供給可能會供不應(yīng)求,韓媒指出,存儲器廠商轉(zhuǎn)進20納米制程的產(chǎn)能損失,或許會讓DRAM陷入供給短缺,炒熱行情。   BusinessKorea 12日報道,半導(dǎo)體和投資銀行的業(yè)界消息指出,2017年DRAM需求預(yù)料將年增19.3%,不過2017年DRAM每月產(chǎn)量將減少2萬組,從當(dāng)前的105萬組、2017年降至103萬組,主要是制程轉(zhuǎn)換造成產(chǎn)能減少。不僅如此,產(chǎn)程轉(zhuǎn)換的供給成長率以往大約是30%,2017年成長率可能減至10%,加劇供給不足問題。   據(jù)了解,明年上半年是淡季,DRA
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SK海力士業(yè)務(wù)重整 DRAM、NAND等目標(biāo)并進

  • 南韓半導(dǎo)體大廠SK海力士(SK Hynix)將重整業(yè)務(wù)組織,將DRAM、NAND Flash、CMOS影像感測器(CIS)等三大事業(yè)群分開各自營運,事業(yè)群自行加強競爭力,而SK海力士
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2012年全球存儲器模組廠營收排名

  • 全球市場研究機構(gòu) TrendForce 旗下記憶體儲存事業(yè)處 DRAMeXchange 根據(jù)記憶體營收部分發(fā)布 2012年記憶體模組廠排名調(diào)查,該年度全球模組市場總銷售金額為
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IC Insights:NAND與DRAM朝3D發(fā)展

  • 隨著DRAM和NAND技術(shù)持續(xù)邁向更先進幾何制程與多層次存儲器的道路,IC Insights密切觀察有關(guān)DRAM和NAND供應(yīng)商的最新動態(tài),期望能提供更清楚的DRAM/NAND發(fā)展
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DRAM晶片價格居高不下 智能手機需求旺

  • 近來DRAM 價格晶片大宗訂單的價格依然居高不下。目前主要DRAM晶片制造商增加供應(yīng)給日益成長的智慧手機市場,令人擔(dān)心個人電腦(PC)未來的供應(yīng)。預(yù)料
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SRAM簡介及與DRAM/SDRAM的比較

  • RAMRAM是指通過指令可以隨機的、個別的對各個存儲單元進行訪問的存儲器,一般訪問時間基本固定,而與存儲單元地址無關(guān)。RAM的速度比較快,但其保
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存儲器價格飆升 DRAM廠營運旺

  • DRAMeXchange表示,由于DRAM產(chǎn)業(yè)寡占市場格局確立,加上各大DRAM供應(yīng)商按照原先規(guī)劃減少標(biāo)準(zhǔn)型存儲器部位影響下,主流模塊4GB均價在第2季上揚16%,由23.5
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四種閃存設(shè)計優(yōu)劣點分析

  • 由于閃存比傳統(tǒng)媒介有著更為明顯的優(yōu)勢,在過去一年里,閃存的普及率開始飆升。不過,我們總是很難判斷不同閃存產(chǎn)品之間的區(qū)別。在本文中,我
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DRAM現(xiàn)貨價短期看漲

  • 根據(jù)TrendForce旗下研究部門DRAMeXchange調(diào)查,DRAM產(chǎn)業(yè)的減產(chǎn)效應(yīng)已正在逐步發(fā)酵當(dāng)中,在跌無可跌的前提之下,短時間內(nèi)現(xiàn)貨價格有機會帶動一波價格的上
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提高存儲器子系統(tǒng)效率的三種方法

  • 行業(yè)專家認為,對于一個典型的大型數(shù)據(jù)中心而言,其50億美元成本的80%左右會用在設(shè)備的機械和電子基礎(chǔ)設(shè)施上。對于數(shù)據(jù)中心服務(wù)器,高功率密度的
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DDR的前世與今生(一)

  •   DDR SDRAM全稱為Double Data Rate SDRAM,中文名為“雙倍數(shù)據(jù)率SDRAM”。DDR是在原有的SDRAM的基礎(chǔ)上改進而來,嚴格的說DDR應(yīng)該叫DDR SDRAM,人們習(xí)慣稱為DDR。   說到這里,很多人可能會問SDRAM、DRAM、SRAM或者RAM、ROM到底是什么鬼,怎么區(qū)別的?小編還是來簡單普及下關(guān)于存儲的基礎(chǔ)知識吧。   ROM 和RAM指的都是半導(dǎo)體存儲器,ROM是只讀存儲器(Read-Only Memory)的簡稱,是一種只能讀出事先
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存儲器需求動能強勁,第四季DRAM合約價有望再漲逾一成

  •   受到第三季進入旺季需求帶動,存儲器、面板等關(guān)鍵零組件皆終止長期價格頹勢。TrendForce集邦科技旗下存儲研究品牌DRAMeXchange(全球半導(dǎo)體觀察)表示,存儲器在筆電需求回溫、智能手機延續(xù)強勁成長態(tài)勢與服務(wù)器需求增溫帶動下,DRAM與NAND Flash第四季價格預(yù)計將同步上揚,特別是DRAM合約價第四季估將再漲逾一成。   供應(yīng)持續(xù)吃緊,DRAM市場至2017年維持健康供需狀態(tài)   由于今年中國品牌智能手機表現(xiàn)超乎預(yù)期,服務(wù)器出貨也受惠于中國大陸數(shù)據(jù)中心需求增溫,下半年臺系服務(wù)器代工廠
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3D NAND Flash成產(chǎn)業(yè)發(fā)展突破口

  •   存儲器作為四大通用芯片之一,發(fā)展存儲芯片產(chǎn)業(yè)的意義不言而喻。對電子產(chǎn)品而言,存儲芯片就像糧食一樣不可或缺。它與數(shù)據(jù)相伴而生,哪里有數(shù)據(jù),哪里就會需要存儲芯片。而且隨著大數(shù)據(jù)、物聯(lián)網(wǎng)等新興產(chǎn)業(yè)的發(fā)展,存儲產(chǎn)業(yè)與信息安全等亦息息相關(guān)。   當(dāng)前,我國筆記本、智能手機出貨量均居全球首位。華為、聯(lián)想等廠商崛起,以及阿里巴巴、騰訊、百度等互聯(lián)網(wǎng)廠商帶動數(shù)據(jù)中心爆發(fā),使得國產(chǎn)廠商對存儲需求量巨大。   相關(guān)數(shù)據(jù)顯示,2015年大陸DRAM采購規(guī)模估計為120億美元、NAND Flash采購規(guī)模為66.7億美元
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2016 DRAM市場回溫優(yōu)于預(yù)期 美光贏得外資青睞

  •   繼上周日系外資提高存儲器廠美光(Micron)自每股16元的目標(biāo)價到每股20元之后,30日另一家美系外資的最新研究報告也指出,在當(dāng)前DRAM市場價格逐步回穩(wěn)的情況下,加上美光逐步降低成本、提高每股獲利的轉(zhuǎn)變,也將美光的目標(biāo)價由原本的每股18美元,提高至每股20美元的價位。   該外資報告一開始便提及,看好2016年以來DRAM市場的回溫與產(chǎn)品價格的回穩(wěn),而且實際上的表現(xiàn)還比當(dāng)時預(yù)估的要好一些。不過,在當(dāng)前許多供應(yīng)商的產(chǎn)能不足的情況下,2017年DRAM的供應(yīng)依舊是吃緊的。尤其,是在3D NAND閃存
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美大學(xué)突破相變化存儲器技術(shù) 速度較DRAM快逾千倍

  •   在全球持續(xù)突破存儲器運行速度的努力進程中,全球各研究人員均對于“相變化存儲器”(Phase Change Memory;PCM)領(lǐng)域的研究感興趣,并投入大量時間從事研發(fā),最新則是美國史丹佛大學(xué)(Stanford University)的研究做出了新突破,據(jù)稱可讓PCM的運行速度較傳統(tǒng)DRAM快上逾1,000倍以上。   據(jù)Techspot網(wǎng)站報導(dǎo),所謂的相變化存儲器運作原理,是指在低阻抗的結(jié)晶態(tài)及高阻抗的非結(jié)晶態(tài)兩種物理狀態(tài)下進行移動,雖然此技術(shù)在現(xiàn)今全球儲存技術(shù)領(lǐng)域中已展現(xiàn)
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