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大陸進(jìn)軍DRAM 華亞科李培瑛：5年內(nèi)沒影響

  • 　　針對中國將進(jìn)軍DRAM產(chǎn)業(yè)，華亞科(3474)董事長李培瑛表示， 由于中國未能取得技術(shù)來源，如要自主發(fā)展DRAM產(chǎn)業(yè)，勢必得靠自身研發(fā)能力，以目前DRAM之專利及高度專業(yè)之技術(shù)進(jìn)入障礙門檻，絕非僅靠投入資金、挖 人才就可達(dá)成，預(yù)期5年內(nèi)將不會造成DRAM市場的影響，短期內(nèi)難有進(jìn)展。 　　李培瑛指出，目前全球DRAM技術(shù)掌握在南韓三星、SK海力士及美國美 光三大廠手中，為維持自身利益及寡占市場結(jié)構(gòu)，避免中國廠商投入造成供需失衡，目前皆未有與中國技術(shù)授權(quán)合作或合資建廠計劃。中國若未能取得技術(shù)來源，短 期
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TrendForce:2016大陸手機(jī)品牌增速排行

  • 　　自2015年第四季以來，全球終端需求始終停滯，智慧型手機(jī)品牌商皆計畫調(diào)降今年首季的出貨計畫，整體市場開始進(jìn)行約一個季度的通路庫存消化 (channel inventory digest)。全球市場研究機(jī)構(gòu)TrendForce智慧型手機(jī)分析師吳雅婷表示，受益于庫存調(diào)節(jié)接近尾聲及2016 MWC展中新機(jī)發(fā)表，2月中起中國手機(jī)品牌陸續(xù)出現(xiàn)庫存回補(bǔ)的需求。此外，中國智慧型手機(jī)營運(yùn)商為拉抬4G機(jī)種的普及率，針對數(shù)款4G高階智慧型手機(jī)增加 補(bǔ)貼額度，也推升消費(fèi)者的購買欲望。 　　TrendForce預(yù)估2016
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武漢新芯12寸DRAM廠 28日動工

  • 　　大陸記憶體業(yè)新秀武漢新芯廿八日將舉行旗下首座十二寸DRAM廠建廠動工儀式。武漢新芯挾官方資金與國家集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展基金(大基金)支持，向全球宣示大陸建立自主記憶體技術(shù)與制造的決心。 　　這是繼紫光集團(tuán)進(jìn)軍記憶體領(lǐng)域、醞釀收購多家國際大廠之后，大陸于記憶體領(lǐng)域又一次大動作布局。武漢新芯此十二寸DRAM廠建廠，是大陸首度憑藉自有資金的記憶體晶片建廠案，牽動全球記憶體板塊移動，業(yè)界高度關(guān)注 。 　　業(yè)界人士指出，先前大陸業(yè)者進(jìn)軍LED、面板、觸控等產(chǎn)業(yè)，挾官方資源撐腰下，大舉擴(kuò)產(chǎn)，使得這些產(chǎn)業(yè)都陷入殺價
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SEMI：3D NAND、10nm與DRAM將成晶圓廠設(shè)備支出動能

  • 　　SEMI(國際半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)協(xié)會)公布最新“SEMI全球晶圓廠預(yù)測”(SEMIWorldFabForecast)報告，2016年包括新設(shè)備、二手或?qū)?in-house)設(shè)備在內(nèi)的前段晶圓廠設(shè)備支出預(yù)期將增加3.7%，達(dá)372億美元，而2017年則將再成長13%，達(dá)421億美元。另方面，2015年晶圓廠設(shè)備支出為359億美元，較前一年微幅減少0.4%。 　　SEMI公布最新“SEMI全球晶圓廠預(yù)測”報告，2016年包括新設(shè)備、二手或?qū)?in-house)
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大陸臺灣日本“聯(lián)姻”成功 共建中國最大DRAM廠

  • 　　還記得「爾必達(dá)」這家昔日全球DRAM巨擘嗎?因不敵三星電子等韓廠蠶食，爾必達(dá)于2012年申請破產(chǎn)、之后被美國美光(Micron)收購，而坂本幸雄也成為爾必達(dá)的末代社長、在爾必達(dá)被美光收購后就辭去社長一職以示負(fù)責(zé)。不過坂本幸雄要開始踏上復(fù)仇之路了，此次將攜手臺灣、中國大陸之力，在安徽合肥打造大規(guī)模內(nèi)存廠，力抗三星等廠商。 　　日經(jīng)新聞11日報導(dǎo)，由坂本幸雄所設(shè)立的半導(dǎo)體設(shè)計公司「SinoKingTechnology(以下簡稱SKT)」已和安徽省合肥市政府正式簽署工廠興建契約，Sino將主導(dǎo)合肥市政府總
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韓廠欲擺脫大陸半導(dǎo)體追擊　轉(zhuǎn)變體質(zhì)往系統(tǒng)芯片市場

  • 　　大陸半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)代表性企業(yè)清華紫光集團(tuán)，投資人民幣600億元興建DRAM工廠，將成為首間擁有DRAM工廠的大陸企業(yè)。該投資規(guī)模與全球DRAM龍頭廠三星電子(SamsungElectronics)及SK海力士(SKHynix)年度投資規(guī)模相當(dāng)。DRAM廠規(guī)模也不亞于三星全球最大半導(dǎo)體園區(qū)平澤園區(qū)。 　　由南韓與美國企業(yè)瓜分的DRAM市場將迅速轉(zhuǎn)變。大陸憑藉價格競爭力加入市場后，不僅將刺激產(chǎn)業(yè)地殼變動，也將使主導(dǎo)DRAM市場的南韓地位出現(xiàn)變化。 　　大陸其實(shí)早已預(yù)告將進(jìn)軍半導(dǎo)體、DRAM市場，進(jìn)入市場只
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紫光結(jié)合日技術(shù) 搶攻DRAM市場

  • 　　中國紫光欲與美韓合作DRAM(動態(tài)隨機(jī)存取內(nèi)存)碰壁后，日本DRAM大廠爾必達(dá)前社長坂本幸雄所主導(dǎo)成立的兆基科技(Sino King)，近日確定與中國合肥市政府合作，將結(jié)合日本研發(fā)技術(shù)與中國的資金力量，兩年后在合肥量產(chǎn)DRAM。據(jù)了解，相關(guān)合作細(xì)節(jié)預(yù)計本周于日本舉行記者會說明。 　　臺灣DRAM業(yè)界指出，爾必達(dá)于2012年倒閉并由美光并購后，坂本幸雄與爾必達(dá)研發(fā)團(tuán)隊一些成員，另起爐灶新成立兆基科技，除了網(wǎng)羅臺灣的力晶科技等DRAM部分人馬加入，也傳出看好中國內(nèi)存市場，加上中國企圖建立自主技術(shù)，地方政
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韓廠欲擺脫大陸半導(dǎo)體追擊　轉(zhuǎn)變體質(zhì)往系統(tǒng)芯片市場

  • 　　大陸半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)代表性企業(yè)清華紫光集團(tuán)，投資人民幣600億元興建DRAM工廠，將成為首間擁有DRAM工廠的大陸企業(yè)。該投資規(guī)模與全球DRAM龍頭廠三星電子(SamsungElectronics)及SK海力士(SKHynix)年度投資規(guī)模相當(dāng)。DRAM廠規(guī)模也不亞于三星全球最大半導(dǎo)體園區(qū)平澤園區(qū)。 　　由南韓與美國企業(yè)瓜分的DRAM市場將迅速轉(zhuǎn)變。大陸憑藉價格競爭力加入市場后，不僅將刺激產(chǎn)業(yè)地殼變動，也將使主導(dǎo)DRAM市場的南韓地位出現(xiàn)變化。 　　大陸其實(shí)早已預(yù)告將進(jìn)軍半導(dǎo)體、DRAM市場，進(jìn)入市場只
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傳三星半導(dǎo)體西安廠第二階段增設(shè)恐延期

  • 　　三星電子(Samsung Electronics)原本預(yù)定2016年要在大陸西安半導(dǎo)體工廠進(jìn)行第二階段的投資，日前傳出這項(xiàng)計劃目前處于保留狀態(tài)。業(yè)界預(yù)估，2016年將會進(jìn)入記憶體7年來最糟的供需不平衡情況，加上東芝(Toshiba)、新帝(SanDisk)與英特爾(Intel)等紛紛增設(shè)NAND Flash工廠，也使三星開始擔(dān)心供貨量劇增的惡性競爭情況。 　　目前三星電子西安工廠只使用整體腹地(約34萬坪)的5分之1，而且以目前的設(shè)備來說，已經(jīng)到達(dá)最大產(chǎn)能，所以南韓業(yè)界原本認(rèn)為，三星將在2016年內(nèi)
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DRAM價格跌　上季全球產(chǎn)值掉9%

  • 　　DRAMeXchange公布去年第4季DRAM統(tǒng)計報告，受到DRAM平均銷售單價持續(xù)下降及市況持續(xù)供過于求影響，第4季全球DRAM總產(chǎn)值為102.7億美元，季減9.1%。 　　DRAMeXchange研究協(xié)理吳雅婷表示，去年第4季雖有蘋果iPhone 6s出貨加持，筆電出貨亦比預(yù)期更佳，但由于各DRAM廠制程轉(zhuǎn)進(jìn)，如SK海力士21奈米正式投片、美光大幅轉(zhuǎn)進(jìn)20奈米制程，都讓產(chǎn)出持續(xù)增加，使得當(dāng)季DRAM價格持續(xù)下修。 　　三星依然是DRAM產(chǎn)業(yè)的龍頭，雖然DRAM營收下跌9.7%至47.6億美元，
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中國如何撕開存儲芯片壟斷圍欄？

  • 存儲芯片在新一代信息技術(shù)產(chǎn)業(yè)中扮演著重要角色，但前5家公司高度壟斷全球市場，我國發(fā)展存儲芯片產(chǎn)業(yè)關(guān)乎國家安全，意義重大。
  • 關(guān)鍵字： 美光  DRAM  

紫光確定在華南籌建12寸DRAM廠，循華亞科模式

  • 　　大陸紫光集團(tuán)已確定在大陸華南地區(qū)籌建12寸DRAM廠，并循當(dāng)年臺塑集團(tuán)與美光合資華亞科的商業(yè)模式，由紫光出資建廠，再邀請美光等國際大廠入股，解決技術(shù)授權(quán)問題。 　　據(jù)了解，此計畫由前華亞科董事長、現(xiàn)為紫光集團(tuán)執(zhí)行副總裁的高啟全親自操刀，業(yè)界盛傳，日本前爾必達(dá)總裁坂本幸雄亦有意加入。 　　大陸官方自前年成立國家積體電路產(chǎn)業(yè)投資基金(簡稱大基金)后，就有意投入自建記憶體供應(yīng)鏈，但不論是DRAM或NAND Flash，主要制程專利及矽智財都掌握前國際大廠手中，因此，率先表態(tài)要自建記憶體產(chǎn)能的紫光集團(tuán)，由
  • 關(guān)鍵字： 紫光  DRAM  

2015臺灣DRAM產(chǎn)值增長由正轉(zhuǎn)負(fù) 晶圓代工增長下滑

  • 　　經(jīng)濟(jì)部統(tǒng)計處資料顯示，臺灣集成電路業(yè)產(chǎn)值雖持續(xù)成長，但去年增率卻是近三年來首見個位數(shù)成長，也結(jié)束自2011年以來的上升走勢，臺灣經(jīng)濟(jì)部指出，去年臺灣DRAM產(chǎn)值成長由正轉(zhuǎn)負(fù)，加上晶圓代工成長下滑，整體集成電路業(yè)產(chǎn)值年增率僅6.2%。 　　臺灣集成電路產(chǎn)值在2014年產(chǎn)值突破兆元大關(guān)，去年上半年延續(xù)榮景，較前年同期成長23.9%，但下半年因全球經(jīng)濟(jì)復(fù)蘇力道疲弱，尤其新興市場需求明顯下降，抑制終端消費(fèi)性電子產(chǎn)品銷售成長動能，下半年衰退7.9%。 　　去年集成電路業(yè)產(chǎn)值增率6.2%，是自2011年低點(diǎn)反
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紫光計劃今年再收購2家IC公司 重心將放在IC、環(huán)保與新材料等方面

  • 　　清華紫光集團(tuán)所屬的清華控股董事長徐井宏，昨天在瑞士達(dá)沃斯的世界經(jīng)濟(jì)論壇現(xiàn)場，接受彭博訪問時坦承，由于美國主管機(jī)關(guān)豎立的障礙，美光投資案過關(guān)的機(jī)會渺茫，但紫光集團(tuán)仍持續(xù)推動與美光或其他公司的合作，希望藉此在記憶晶片與IC領(lǐng)域取得突破。 　　他表示，紫光集團(tuán)可能尋求其他與美光的合作方式，例如成立中美合資企業(yè)。 　　徐井宏也透露，清華紫光集團(tuán)旗下的3大平臺之中，主攻DRAM的同方國芯，今年將投下約2000億人民幣，再買下兩家海外IC業(yè)者，但沒有透露可能購并對象。 　　徐井宏也提到，2016紫光集團(tuán)的海
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三星開始量產(chǎn)HBM2標(biāo)準(zhǔn)的TSV連接4GB DRAM芯片

  • 　　三星電子2016年1月19日宣布，已開始量產(chǎn)HBM2標(biāo)準(zhǔn)(HBM：High Bandwidth Memory，高帶寬內(nèi)存)的4GB DRAM芯片。JEDEC固態(tài)技術(shù)協(xié)會12日剛剛宣布HBM2成為JEDEC標(biāo)準(zhǔn)“JESD235A”。 　　   　　HBM2標(biāo)準(zhǔn)的DRAM芯片的結(jié)構(gòu)。 　　按照HBM2標(biāo)準(zhǔn)，DRAM芯片內(nèi)可縱向?qū)盈B最大8Gbit的存儲器裸片，裸片之間通過TSV(硅通孔)連接。三星于2014年8月發(fā)布了配備36顆2GB DRAM的64GB服務(wù)器用
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