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DRAM及NAND市場(chǎng)價(jià)格下跌 美光營(yíng)收下滑

  •   不論是NAND閃存還是DRAM內(nèi)存領(lǐng)域,韓國(guó)兩家公司三星、SK Hynix總算還能保住吃香喝辣的日子,但美國(guó)的美光公司這兩年就沒(méi)啥舒服日子了,技術(shù)、產(chǎn)能都落后友商,偏偏現(xiàn)在又遇到了內(nèi)存、閃存降價(jià),跌跌不休的價(jià)格導(dǎo)致美光營(yíng)收下滑了30%,當(dāng)季凈虧損9700萬(wàn)美元,對(duì)未來(lái)季度的預(yù)測(cè)同樣悲觀。   美光公司周三發(fā)布了截至今年3月3日的2016財(cái)年Q2財(cái)報(bào),當(dāng)季營(yíng)收29.3億美元,上季度為33.5億美元,去年同期為41.66億美元,同比下滑了30%。   美光當(dāng)季毛利只有5.79億美元,遠(yuǎn)遠(yuǎn)低于上季度的8
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美光恐連續(xù)兩季度虧損,毛利率只有19.7%

  •   美國(guó)記憶體大廠美光昨(31)公布到3月3日為止的年度第2季財(cái)報(bào),每股凈損0.09美元,單季由盈轉(zhuǎn)虧,并預(yù)估本季仍恐持續(xù)虧損。外界認(rèn)為,美光連二季虧損,與該公司關(guān)系密切的華亞科(3474)短期營(yíng)運(yùn)將有壓力。   受到DRAM價(jià)格與出貨量都比上季滑落近一成的影響,美光第2季營(yíng)收為29.34億美元,季減12.4%,年減29.5%,影響其毛利率表現(xiàn),僅19.7%,遠(yuǎn)不如前一季的25.3%,單季稅后凈損9,700萬(wàn)美元,每股凈損0.09美元。   美光預(yù)期,本季恐持續(xù)虧損,估每股凈損0.05至0.12美元,
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三星正式量產(chǎn)18nm工藝DRAM 內(nèi)存價(jià)格或跌40%

  •   全球DRAM內(nèi)存市場(chǎng)壟斷在了三星、SKHynix及美光三家廠商中,在這其中三星是第一梯隊(duì)的,不論工藝還是產(chǎn)能、占有率都遙遙領(lǐng)先其他兩家,SKHynix第二,美光的工藝和產(chǎn)能最次。2014年率先量產(chǎn)20nm工藝的DRAM內(nèi)存之后,三星如今再一次領(lǐng)跑,現(xiàn)在正式量產(chǎn)了18nm工藝內(nèi)存芯片。只不過(guò)內(nèi)存市場(chǎng)今年普遍看淡,隨著廠商產(chǎn)能的提高,內(nèi)存價(jià)格降幅甚至高達(dá)40%。   跟處理器芯片一樣,制程工藝越先進(jìn),每一代工藝的進(jìn)步在外人看來(lái)感覺(jué)是越來(lái)越小了,CPU工藝好歹是從22nm進(jìn)步到14/16nm、NAND也是
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技術(shù)落后三星、SK Hynix 美光三年內(nèi)不在大陸設(shè)晶圓廠

  •   28日武漢新芯科技主導(dǎo)的12英寸晶圓廠正式動(dòng)工,建成后將成為中國(guó)最大、最先進(jìn)的存儲(chǔ)芯片基地,而且直接切入3D NAND閃存領(lǐng)域,起點(diǎn)不低。再之前中國(guó)紫光集團(tuán)宣布斥資300億美元打造全球前三的半導(dǎo)體公司,一時(shí)間中國(guó)半導(dǎo)體崛起成了媒體的大新聞,美日韓已經(jīng)在考慮中國(guó)公司的威脅了。早在去年,紫光集團(tuán)就有意投資230億美元收購(gòu)美光公司,但被拒絕了,而且為了讓外界放心,美光公司還表示三年內(nèi)不會(huì)在大陸建立晶圓廠。   中國(guó)在半導(dǎo)體領(lǐng)域的大手筆投資或者收購(gòu)已經(jīng)引起了業(yè)界震動(dòng),在收購(gòu)美光不成功之后,大陸公司把目標(biāo)轉(zhuǎn)向
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無(wú)廠DRAM企業(yè)Sino King 意圖革新商業(yè)模式

  •   前日本爾必達(dá)(Elpida Memory)社長(zhǎng)坂本幸雄開(kāi)設(shè)IC設(shè)計(jì)公司Sino King Technology,指出目前半導(dǎo)體業(yè)界有四種公司:一,有高度研發(fā)生產(chǎn)能力的公司,如英特爾(Intel);二,有高度研發(fā)能力如德州儀器(TI)或 Sony;三,強(qiáng)調(diào)研發(fā)生產(chǎn)周期低成本如三星電子(Samsung Electronics)或SK海力士(SK Hynix);四,有先進(jìn)生產(chǎn)技術(shù)的如臺(tái)積電。   而Sino King Technology則是要成為不同于上述四種的第五類(lèi)公司,以研發(fā)高度客制化存儲(chǔ)器為重,不
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大陸進(jìn)軍DRAM 華亞科李培瑛:5年內(nèi)沒(méi)影響

  •   針對(duì)中國(guó)將進(jìn)軍DRAM產(chǎn)業(yè),華亞科(3474)董事長(zhǎng)李培瑛表示, 由于中國(guó)未能取得技術(shù)來(lái)源,如要自主發(fā)展DRAM產(chǎn)業(yè),勢(shì)必得靠自身研發(fā)能力,以目前DRAM之專(zhuān)利及高度專(zhuān)業(yè)之技術(shù)進(jìn)入障礙門(mén)檻,絕非僅靠投入資金、挖 人才就可達(dá)成,預(yù)期5年內(nèi)將不會(huì)造成DRAM市場(chǎng)的影響,短期內(nèi)難有進(jìn)展。   李培瑛指出,目前全球DRAM技術(shù)掌握在南韓三星、SK海力士及美國(guó)美 光三大廠手中,為維持自身利益及寡占市場(chǎng)結(jié)構(gòu),避免中國(guó)廠商投入造成供需失衡,目前皆未有與中國(guó)技術(shù)授權(quán)合作或合資建廠計(jì)劃。中國(guó)若未能取得技術(shù)來(lái)源,短 期
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TrendForce:2016大陸手機(jī)品牌增速排行

  •   自2015年第四季以來(lái),全球終端需求始終停滯,智慧型手機(jī)品牌商皆計(jì)畫(huà)調(diào)降今年首季的出貨計(jì)畫(huà),整體市場(chǎng)開(kāi)始進(jìn)行約一個(gè)季度的通路庫(kù)存消化 (channel inventory digest)。全球市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)TrendForce智慧型手機(jī)分析師吳雅婷表示,受益于庫(kù)存調(diào)節(jié)接近尾聲及2016 MWC展中新機(jī)發(fā)表,2月中起中國(guó)手機(jī)品牌陸續(xù)出現(xiàn)庫(kù)存回補(bǔ)的需求。此外,中國(guó)智慧型手機(jī)營(yíng)運(yùn)商為拉抬4G機(jī)種的普及率,針對(duì)數(shù)款4G高階智慧型手機(jī)增加 補(bǔ)貼額度,也推升消費(fèi)者的購(gòu)買(mǎi)欲望。   TrendForce預(yù)估2016
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武漢新芯12寸DRAM廠 28日動(dòng)工

  •   大陸記憶體業(yè)新秀武漢新芯廿八日將舉行旗下首座十二寸DRAM廠建廠動(dòng)工儀式。武漢新芯挾官方資金與國(guó)家集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展基金(大基金)支持,向全球宣示大陸建立自主記憶體技術(shù)與制造的決心。   這是繼紫光集團(tuán)進(jìn)軍記憶體領(lǐng)域、醞釀收購(gòu)多家國(guó)際大廠之后,大陸于記憶體領(lǐng)域又一次大動(dòng)作布局。武漢新芯此十二寸DRAM廠建廠,是大陸首度憑藉自有資金的記憶體晶片建廠案,牽動(dòng)全球記憶體板塊移動(dòng),業(yè)界高度關(guān)注 。   業(yè)界人士指出,先前大陸業(yè)者進(jìn)軍LED、面板、觸控等產(chǎn)業(yè),挾官方資源撐腰下,大舉擴(kuò)產(chǎn),使得這些產(chǎn)業(yè)都陷入殺價(jià)
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SEMI:3D NAND、10nm與DRAM將成晶圓廠設(shè)備支出動(dòng)能

  •   SEMI(國(guó)際半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)協(xié)會(huì))公布最新“SEMI全球晶圓廠預(yù)測(cè)”(SEMIWorldFabForecast)報(bào)告,2016年包括新設(shè)備、二手或?qū)?in-house)設(shè)備在內(nèi)的前段晶圓廠設(shè)備支出預(yù)期將增加3.7%,達(dá)372億美元,而2017年則將再成長(zhǎng)13%,達(dá)421億美元。另方面,2015年晶圓廠設(shè)備支出為359億美元,較前一年微幅減少0.4%。   SEMI公布最新“SEMI全球晶圓廠預(yù)測(cè)”報(bào)告,2016年包括新設(shè)備、二手或?qū)?in-house)
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大陸臺(tái)灣日本“聯(lián)姻”成功 共建中國(guó)最大DRAM廠

  •   還記得「爾必達(dá)」這家昔日全球DRAM巨擘嗎?因不敵三星電子等韓廠蠶食,爾必達(dá)于2012年申請(qǐng)破產(chǎn)、之后被美國(guó)美光(Micron)收購(gòu),而坂本幸雄也成為爾必達(dá)的末代社長(zhǎng)、在爾必達(dá)被美光收購(gòu)后就辭去社長(zhǎng)一職以示負(fù)責(zé)。不過(guò)坂本幸雄要開(kāi)始踏上復(fù)仇之路了,此次將攜手臺(tái)灣、中國(guó)大陸之力,在安徽合肥打造大規(guī)模內(nèi)存廠,力抗三星等廠商。   日經(jīng)新聞11日?qǐng)?bào)導(dǎo),由坂本幸雄所設(shè)立的半導(dǎo)體設(shè)計(jì)公司「SinoKingTechnology(以下簡(jiǎn)稱(chēng)SKT)」已和安徽省合肥市政府正式簽署工廠興建契約,Sino將主導(dǎo)合肥市政府總
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韓廠欲擺脫大陸半導(dǎo)體追擊 轉(zhuǎn)變體質(zhì)往系統(tǒng)芯片市場(chǎng)

  •   大陸半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)代表性企業(yè)清華紫光集團(tuán),投資人民幣600億元興建DRAM工廠,將成為首間擁有DRAM工廠的大陸企業(yè)。該投資規(guī)模與全球DRAM龍頭廠三星電子(SamsungElectronics)及SK海力士(SKHynix)年度投資規(guī)模相當(dāng)。DRAM廠規(guī)模也不亞于三星全球最大半導(dǎo)體園區(qū)平澤園區(qū)。   由南韓與美國(guó)企業(yè)瓜分的DRAM市場(chǎng)將迅速轉(zhuǎn)變。大陸憑藉價(jià)格競(jìng)爭(zhēng)力加入市場(chǎng)后,不僅將刺激產(chǎn)業(yè)地殼變動(dòng),也將使主導(dǎo)DRAM市場(chǎng)的南韓地位出現(xiàn)變化。   大陸其實(shí)早已預(yù)告將進(jìn)軍半導(dǎo)體、DRAM市場(chǎng),進(jìn)入市場(chǎng)只
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紫光結(jié)合日技術(shù) 搶攻DRAM市場(chǎng)

  •   中國(guó)紫光欲與美韓合作DRAM(動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取內(nèi)存)碰壁后,日本DRAM大廠爾必達(dá)前社長(zhǎng)坂本幸雄所主導(dǎo)成立的兆基科技(Sino King),近日確定與中國(guó)合肥市政府合作,將結(jié)合日本研發(fā)技術(shù)與中國(guó)的資金力量,兩年后在合肥量產(chǎn)DRAM。據(jù)了解,相關(guān)合作細(xì)節(jié)預(yù)計(jì)本周于日本舉行記者會(huì)說(shuō)明。   臺(tái)灣DRAM業(yè)界指出,爾必達(dá)于2012年倒閉并由美光并購(gòu)后,坂本幸雄與爾必達(dá)研發(fā)團(tuán)隊(duì)一些成員,另起爐灶新成立兆基科技,除了網(wǎng)羅臺(tái)灣的力晶科技等DRAM部分人馬加入,也傳出看好中國(guó)內(nèi)存市場(chǎng),加上中國(guó)企圖建立自主技術(shù),地方政
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韓廠欲擺脫大陸半導(dǎo)體追擊 轉(zhuǎn)變體質(zhì)往系統(tǒng)芯片市場(chǎng)

  •   大陸半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)代表性企業(yè)清華紫光集團(tuán),投資人民幣600億元興建DRAM工廠,將成為首間擁有DRAM工廠的大陸企業(yè)。該投資規(guī)模與全球DRAM龍頭廠三星電子(SamsungElectronics)及SK海力士(SKHynix)年度投資規(guī)模相當(dāng)。DRAM廠規(guī)模也不亞于三星全球最大半導(dǎo)體園區(qū)平澤園區(qū)。   由南韓與美國(guó)企業(yè)瓜分的DRAM市場(chǎng)將迅速轉(zhuǎn)變。大陸憑藉價(jià)格競(jìng)爭(zhēng)力加入市場(chǎng)后,不僅將刺激產(chǎn)業(yè)地殼變動(dòng),也將使主導(dǎo)DRAM市場(chǎng)的南韓地位出現(xiàn)變化。   大陸其實(shí)早已預(yù)告將進(jìn)軍半導(dǎo)體、DRAM市場(chǎng),進(jìn)入市場(chǎng)只
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傳三星半導(dǎo)體西安廠第二階段增設(shè)恐延期

  •   三星電子(Samsung Electronics)原本預(yù)定2016年要在大陸西安半導(dǎo)體工廠進(jìn)行第二階段的投資,日前傳出這項(xiàng)計(jì)劃目前處于保留狀態(tài)。業(yè)界預(yù)估,2016年將會(huì)進(jìn)入記憶體7年來(lái)最糟的供需不平衡情況,加上東芝(Toshiba)、新帝(SanDisk)與英特爾(Intel)等紛紛增設(shè)NAND Flash工廠,也使三星開(kāi)始擔(dān)心供貨量劇增的惡性競(jìng)爭(zhēng)情況。   目前三星電子西安工廠只使用整體腹地(約34萬(wàn)坪)的5分之1,而且以目前的設(shè)備來(lái)說(shuō),已經(jīng)到達(dá)最大產(chǎn)能,所以南韓業(yè)界原本認(rèn)為,三星將在2016年內(nèi)
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DRAM價(jià)格跌 上季全球產(chǎn)值掉9%

  •   DRAMeXchange公布去年第4季DRAM統(tǒng)計(jì)報(bào)告,受到DRAM平均銷(xiāo)售單價(jià)持續(xù)下降及市況持續(xù)供過(guò)于求影響,第4季全球DRAM總產(chǎn)值為102.7億美元,季減9.1%。   DRAMeXchange研究協(xié)理吳雅婷表示,去年第4季雖有蘋(píng)果iPhone 6s出貨加持,筆電出貨亦比預(yù)期更佳,但由于各DRAM廠制程轉(zhuǎn)進(jìn),如SK海力士21奈米正式投片、美光大幅轉(zhuǎn)進(jìn)20奈米制程,都讓產(chǎn)出持續(xù)增加,使得當(dāng)季DRAM價(jià)格持續(xù)下修。   三星依然是DRAM產(chǎn)業(yè)的龍頭,雖然DRAM營(yíng)收下跌9.7%至47.6億美元,
  • 關(guān)鍵字: DRAM  三星  
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