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Altera公開業(yè)界第一款集成了HBM2 DRAM和FPGA的異構SiP器件
- Altera公司今天公開業(yè)界第一款異構系統(tǒng)級封裝(SiP,System-in-Package)器件,集成了來自SK Hynix的堆疊寬帶存儲器(HBM2)以及高性能Stratix® 10 FPGA和SoC。Stratix 10 DRAM SiP代表了新一類器件,其特殊的體系結構設計滿足了高性能系統(tǒng)對存儲器帶寬最嚴格的要求。 數(shù)據(jù)中心、廣播、固網(wǎng)和高性能計算等系統(tǒng)要處理的數(shù)據(jù)量不斷攀升,需要的帶寬非常高。相對于目前的分立DRAM解決方案,Stratix 10 DRAM SiP的存儲器帶寬提
- 關鍵字: Altera DRAM
數(shù)據(jù)中心市場規(guī)??焖俪砷L 引導芯片產(chǎn)業(yè)購并熱
- 數(shù)據(jù)中心市場規(guī)模擴張快速,連帶牽引整個科技產(chǎn)業(yè)發(fā)展方向,引發(fā)企業(yè)公司相互購并,光是在近期就已有EZChip、IDT(Integrated Device Technology)、PMC-Sierra、Mellanox、Microsemi、Skyworks、ZMDI(Zentrum Mikroelektronik Dresden)等公司宣布購并策略,連高通(Qualcomm)、安華高(Avago)、博通(Broadcom)等大廠也受數(shù)據(jù)中心市場影響而傳出購并活動。 不過,目前為止還沒有廠商購并規(guī)模比
- 關鍵字: 芯片 DRAM
DRAM現(xiàn)貨價跌破2美元 歷史新低
- 動態(tài)隨機存取記憶體(DRAM)現(xiàn)貨價持續(xù)破底,DDR3 4Gb顆?,F(xiàn)貨均價已跌破2美元大關,達1.96美元,創(chuàng)歷史新低價。 DRAM市場庫存問題依然嚴重,DRAM現(xiàn)貨價如預期持續(xù)滑落,據(jù)市調(diào)機構集邦科技調(diào)查,DDR3 4Gb顆粒現(xiàn)貨均價滑落至1.96美元,創(chuàng)下歷史新低價。 第4季來DDR3 4Gb顆?,F(xiàn)貨均價下跌約0.16美元,跌幅約7.54%。 南亞科預期,DRAM價格可望逐步趨于穩(wěn)定,第4季產(chǎn)品價格將較第3季微幅下滑。 只是集邦科技對DRAM后市看法相對保守,表示目前市場已
- 關鍵字: DRAM 海力士
中國市場DRAM消耗量今年可達120億美元
- TrendForce旗下記憶體儲存事業(yè)處DRAMeXchange最新研究顯示,由于中國內(nèi)需市場胃納量龐大,在伺服器以及智慧型手機的出貨需求持續(xù)攀 升,DRAMeXchange預估2015年中國內(nèi)需市場在DRAM與NAND的總消化量換算產(chǎn)值高達120億與66.7億美元,分別占全球產(chǎn)值的 21.6%與29.1%。 DRAMeXchange研究協(xié)理吳雅婷表示,從DRAM需求來觀察,近年來中國品牌不論在個人電腦或是智慧型手機領域出貨量不斷增長。聯(lián)想在個人電腦市場與第一名的惠普出貨量在伯仲之間,并穩(wěn)居中國
- 關鍵字: TrendForce DRAM
研調(diào):陸今年DRAM、NAND總消化量估占全球22%及29%
- TrendForce旗下記憶體儲存事業(yè)處DRAMeXchange最新研究顯示,由于中國大陸內(nèi)需市場胃納量龐大,在伺服器以及智慧型手機的出貨需求持續(xù)攀升,預估今(2015)年中國內(nèi)需市場在DRAM與NAND的總消化量換算產(chǎn)值高達120億與66.7億美元,分別占全球產(chǎn)值的21.6%與29.1%。 DRAMeXchange研究協(xié)理吳雅婷表示,從DRAM需求觀察,近年來中國品牌不論在個人電腦或是智慧型手機領域出貨量不斷增長。其中,聯(lián)想(0992.HK)在個人電腦市場與第一名的惠普出貨量在伯仲之間,并穩(wěn)居
- 關鍵字: DRAM NAND
大陸供應鏈進逼臺灣芯片廠整并應戰(zhàn)
- 中國大陸紅色供應鏈威脅有增無減,IC設計業(yè)者表示,整并壯大自己,是因應對策之一,只是缺乏高級管理人才,將是當前整并發(fā)展趨勢下,臺灣可能面臨的最大問題。 中國大陸政府強力扶植半導體產(chǎn)業(yè),近年來中國大陸企業(yè)采取挖角與并購并進策略,期能加速半導體產(chǎn)業(yè)發(fā)展。 南亞科總經(jīng)理高啟全日前退休,并傳將加入中國大陸紫光集團,負責半導體儲存業(yè)務,為國內(nèi)動態(tài)隨機存取記憶體(DRAM),甚至是半導體業(yè)拋下震撼彈。 業(yè)界憂心,高啟全若真跳槽紫光集團,在他過去多年與美光協(xié)商合作經(jīng)驗下,有助促成紫光集團與美光合作
- 關鍵字: DRAM 紫光
四強投資動作暗潮洶涌 欲爭奪3D NAND市場
- 盡管目前全球存儲器四強競局維持平衡狀態(tài),然近期各廠投資動作頻頻,包括三星電子(Samsung Electronics)、美光(Micron)與東芝(Toshiba)為量產(chǎn)3D NAND Flash,紛投資建廠或以既有生產(chǎn)線進行轉(zhuǎn)換,SK海力士(SK Hynix)亦可能利用M10廠生產(chǎn)3D NAND Flash,業(yè)界預期未來3~4年內(nèi)存儲器產(chǎn)業(yè)既有平衡競局恐將被打破。 半導體業(yè)者表示,3D NAND技術是未來存儲器產(chǎn)品主流,然技術層次及難度十分高,目前在制程良率上仍面臨許多挑戰(zhàn),預計2016年真正
- 關鍵字: 美光 DRAM
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