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三星:10nm今年底量產(chǎn),DRAM資本支出料年減

  • 　　三星電子(Samsung Electronics Co.)28日表示，拜韓圜相對于主要貨幣貶值之賜、2016年第1季(1-3月)營益預(yù)估因而增加0.4兆韓圜，主要反映在零件事業(yè)盈余數(shù)據(jù)上。 　　三星Q1資本支出金額為4.6兆韓圜，半導體事業(yè)、顯示面板事業(yè)各占2.1兆韓圜、1.8兆韓圜。三星尚未敲定2016年全年資本支出預(yù)算、但預(yù)估將略高于2015年水準。 　　三星顯示面板事業(yè)今年的資本支出在OLED面板強勁需求帶動下可望攀高。DRAM資本支出預(yù)計將依照市場供需變化彈性調(diào)整、目前初估將低于去年水準。
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請注意，這14類IC今年會增長迅速

  • 　　市場研究公司ICInsights近日為其《2016McCleanReport》預(yù)測報告發(fā)布更新，在該報告統(tǒng)計的33項主要IC產(chǎn)品類別中，有14項產(chǎn)品類別在今年的成長率將超過2%，尤其是手機應(yīng)用處理器MPU與訊號轉(zhuǎn)換IC的成長幅度居冠。 　　ICInsights的《2016McCleanReport》預(yù)測33項主要IC產(chǎn)品類別在2020年以前的市場成長。如圖1列出33項主要的IC產(chǎn)品類別，分別以更新的2016年成長率排名。ICInsights預(yù)測，今年將有14項產(chǎn)品類別的成長幅度超過2%—
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不影響DRAM市場結(jié)構(gòu)　公平會核準美光購并華亞科

  • 　　公平交易委員會于2016年4月13日第1,275次委員會議決議，核準美商美光(Micron)擬透過其子公司臺灣美光取得華亞科全部股權(quán)，向該會申報事業(yè)結(jié)合乙案，依公平交易法第13條第1項規(guī)定，不禁止其結(jié)合。 　　公平會表示，本案系屬公平法第10條第1項第2、5款之結(jié)合型態(tài)，又美商美光于相關(guān)市場之市占率達25%，符合公平法第11條第1項第2款規(guī)定之申報門檻，且無同法第12條所規(guī)定除外適用情形，故依法提出結(jié)合申報。 　　公平會表示，華亞科系屬美光DRAM的代工廠，其所生產(chǎn)之DRAM全數(shù)售予美光，故華亞科
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三星出招太狠毒、DRAM恐剩一家獨活

  • 三星量產(chǎn)18nm DRAM，生產(chǎn)成本的競爭優(yōu)勢拉大，就算DRAM價格繼續(xù) 下滑，其他業(yè)者陷入虧損，三星仍能維持獲利，這招比較狠。
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三星DRAM連霸24年　2015年市占寫下45%新高

  • 　　三星電子(Samsung Electronics)連續(xù)24年蟬聯(lián)全球DRAM存儲器半導體市占率第一，為半導體產(chǎn)業(yè)寫下新歷史;2015年市占率達45.3%，營收突破200億美元，不但刷新自身紀錄，也成為存儲器價格持續(xù)下跌聲中，唯一還能獲利的業(yè)者。 　　據(jù)韓媒Money Today報導，市調(diào)機構(gòu)IHS資料顯示，2015年三星DRAM營收為204.34億美元，較2014年186.61億美元成長9.5%，首次突破200億美元。雖然全球DRAM市場規(guī)模由462.46億美元萎縮至450.93億美元，但三星營收卻
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三星開始量產(chǎn)10nm級DRAM，采用ArF液浸四重曝光

  • 　　韓國三星電子2016年4月5日宣布，開始量產(chǎn)采用10nm級工藝制造的首款DRAM芯片。新產(chǎn)品為DDR4型8Mbit產(chǎn)品。 　　   　　此次發(fā)布的DDR4型DRAM芯片采用10nm級(1x)工藝制造。三星面向此次的芯片，新開發(fā)了自主設(shè)計的新存儲單元結(jié)構(gòu)、四重曝光(Quadruple Patterning Technology)技術(shù)、采用極薄絕緣膜形成技術(shù)制作的厚度均勻的存儲電容等。由此，無需使用EUV裝置，可利用現(xiàn)有的液浸ArF裝置量產(chǎn)。三星還預(yù)定將此次的技術(shù)用于下一代10nm(1
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DRAM市場上,韓企占比飆升,排名老三的美光出路在哪里?

  • 　　目前，全球DRAM(Dynamic Random Access Memory，也稱動態(tài)隨機存取存儲器，是最為常見的系統(tǒng)內(nèi)存)市場主要由三星、SK海力士和美光占有。近日美國市調(diào)公司IHS指，韓國企業(yè)三星和SK海力士的市占率進一步?jīng)_高至接近75%，這已經(jīng)是連續(xù)6個季度創(chuàng)下歷史新高，那么第三位的美光前途在何方呢? 　　三星已在技術(shù)方面遙遙領(lǐng)先 　　據(jù)DRAMeXchange的報告，受2015年四季度全球DRAM市場營收下滑約9%的影響，三星、SK海力士、美光三家的營收分別下滑9.7%、9.3%、10.5
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三星2015年DRAM市場所向披靡 手機份額萎縮

  • 　　三星電子周五公布2015業(yè)務(wù)成果報告，結(jié)果一則以喜，一則以憂，雖然其半導體事業(yè)蒸蒸日上，但另一個營收主力，也就是手機部門表現(xiàn)仍持續(xù)掙扎。其實，三星去年以獲利為最高指導原則，營運的重心主要放在半導體上，有如此結(jié)果也不令人意外。 　　據(jù) 三星統(tǒng)計，在全球DRAM市場上，三星所向披靡、強取豪奪45.3%的份額，市占率較一年前的39.6%又進步了5.7個百分點。三星指出盡管手機、平板 等行動產(chǎn)品減緩，但預(yù)期服務(wù)器與其它高階產(chǎn)品市場將持續(xù)成長。除此之外，三星也相當看好物聯(lián)網(wǎng)與汽車對存儲器的需求展望。 　　在
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產(chǎn)品組合改善 美光下半年有機會轉(zhuǎn)虧為盈

  • 　　受來自PC部門需求疲弱，及包括DRAM與NAND Flash價格下滑等不利因素影響，美系記憶體大廠美光(Micron)2016年會計年度第2季(2015年12月4日至2016年3月3日)營收僅達29.3億美元，較前季33.5億美元衰退12.4%，亦較2015年會計年度同期41.7億美元衰退29.6%，這是美光自2015年會計年度第1季營收45.7億美元相對高點以來，單季營收連續(xù)5季衰退。 　　在DRAM與NAND Flash的平均銷售單價季衰退幅度超過2位數(shù)百分點幅度，加上營業(yè)費用控制成效不佳，營業(yè)
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三星18納米DRAM投產(chǎn)　海力士、美光面臨更大壓力

  • 　　三星電子(Samsung Electronics)開始量產(chǎn)18納米DRAM，成本將可比目前的20納米再低20~30%左右。由于SK海力士(Sk Hynix)、美光(Micron)等業(yè)者的DRAM制程都還停留在20納米以上世代，三星電子未來在DRAM市場上，勢必將更具價格競爭力。 　　根據(jù)韓媒ETnews報導，存儲器半導體的價格越來越低，越快將成本壓到比下滑的市場價格更低的話，才有利潤能剩下，若降低成本的速度太慢，就會產(chǎn)生赤字。以目前看來，2016年美光最需擔憂的就是赤字問題，因為美光沒能成功地轉(zhuǎn)換微
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DRAM及NAND市場價格下跌 美光營收下滑

  • 　　不論是NAND閃存還是DRAM內(nèi)存領(lǐng)域，韓國兩家公司三星、SK Hynix總算還能保住吃香喝辣的日子，但美國的美光公司這兩年就沒啥舒服日子了，技術(shù)、產(chǎn)能都落后友商，偏偏現(xiàn)在又遇到了內(nèi)存、閃存降價，跌跌不休的價格導致美光營收下滑了30%，當季凈虧損9700萬美元，對未來季度的預(yù)測同樣悲觀。 　　美光公司周三發(fā)布了截至今年3月3日的2016財年Q2財報，當季營收29.3億美元，上季度為33.5億美元，去年同期為41.66億美元，同比下滑了30%。 　　美光當季毛利只有5.79億美元，遠遠低于上季度的8
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美光恐連續(xù)兩季度虧損，毛利率只有19.7%

  • 　　美國記憶體大廠美光昨(31)公布到3月3日為止的年度第2季財報，每股凈損0.09美元，單季由盈轉(zhuǎn)虧，并預(yù)估本季仍恐持續(xù)虧損。外界認為，美光連二季虧損，與該公司關(guān)系密切的華亞科(3474)短期營運將有壓力。 　　受到DRAM價格與出貨量都比上季滑落近一成的影響，美光第2季營收為29.34億美元，季減12.4%，年減29.5%，影響其毛利率表現(xiàn)，僅19.7%，遠不如前一季的25.3%，單季稅后凈損9,700萬美元，每股凈損0.09美元。 　　美光預(yù)期，本季恐持續(xù)虧損，估每股凈損0.05至0.12美元，
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三星正式量產(chǎn)18nm工藝DRAM 內(nèi)存價格或跌40%

  • 　　全球DRAM內(nèi)存市場壟斷在了三星、SKHynix及美光三家廠商中，在這其中三星是第一梯隊的，不論工藝還是產(chǎn)能、占有率都遙遙領(lǐng)先其他兩家，SKHynix第二，美光的工藝和產(chǎn)能最次。2014年率先量產(chǎn)20nm工藝的DRAM內(nèi)存之后，三星如今再一次領(lǐng)跑，現(xiàn)在正式量產(chǎn)了18nm工藝內(nèi)存芯片。只不過內(nèi)存市場今年普遍看淡，隨著廠商產(chǎn)能的提高，內(nèi)存價格降幅甚至高達40%。 　　跟處理器芯片一樣，制程工藝越先進，每一代工藝的進步在外人看來感覺是越來越小了，CPU工藝好歹是從22nm進步到14/16nm、NAND也是
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技術(shù)落后三星、SK Hynix 美光三年內(nèi)不在大陸設(shè)晶圓廠

  • 　　28日武漢新芯科技主導的12英寸晶圓廠正式動工，建成后將成為中國最大、最先進的存儲芯片基地，而且直接切入3D NAND閃存領(lǐng)域，起點不低。再之前中國紫光集團宣布斥資300億美元打造全球前三的半導體公司，一時間中國半導體崛起成了媒體的大新聞，美日韓已經(jīng)在考慮中國公司的威脅了。早在去年，紫光集團就有意投資230億美元收購美光公司，但被拒絕了，而且為了讓外界放心，美光公司還表示三年內(nèi)不會在大陸建立晶圓廠。 　　中國在半導體領(lǐng)域的大手筆投資或者收購已經(jīng)引起了業(yè)界震動，在收購美光不成功之后，大陸公司把目標轉(zhuǎn)向
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無廠DRAM企業(yè)Sino King　意圖革新商業(yè)模式

  • 　　前日本爾必達(Elpida Memory)社長坂本幸雄開設(shè)IC設(shè)計公司Sino King Technology，指出目前半導體業(yè)界有四種公司：一，有高度研發(fā)生產(chǎn)能力的公司，如英特爾(Intel);二，有高度研發(fā)能力如德州儀器(TI)或 Sony;三，強調(diào)研發(fā)生產(chǎn)周期低成本如三星電子(Samsung Electronics)或SK海力士(SK Hynix);四，有先進生產(chǎn)技術(shù)的如臺積電。 　　而Sino King Technology則是要成為不同于上述四種的第五類公司，以研發(fā)高度客制化存儲器為重，不
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