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集邦科技: 全球DRAM產(chǎn)業(yè)營(yíng)收2010第一季營(yíng)收續(xù)成長(zhǎng)6.9%

  • 　　根據(jù)集邦科技公布價(jià)格，DDR3合約季均價(jià)與現(xiàn)貨季均價(jià)繼2009年第四季分別大漲40%與30%后，在2010年第一季分別續(xù)漲16%與 14%;DDR2合約季均價(jià)與現(xiàn)貨季均價(jià)2009年第四季分別大漲61%與68%后，在2010年第一季淡季不淡，合約季均價(jià)續(xù)漲5%，現(xiàn)貨季均價(jià)持平，持續(xù)維持在高檔價(jià)格。 　　由于計(jì)算機(jī)系統(tǒng)廠商于第一季拉高DDR3的搭載比例由去年第四季的40%拉高至60% 造成第一季DDR3供貨吃緊。DDR2方面在現(xiàn)貨市場(chǎng)需求仍大部份在DDR2，而DRAM廠快速轉(zhuǎn)進(jìn)至DDR3，使買方亦努力拉
  • 關(guān)鍵字： Samsung  DRAM  DDR3  

海力士：一季度DRAM芯片平均售價(jià)季漲3%

  • 　　以收入計(jì)全球第二大電腦記憶芯片制造商海力士半導(dǎo)體公司(Hynix Semiconductor Inc.)22日公布，一季度公司動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(DRAM)平均售價(jià)季比上升3%，09年四季度漲幅為26%。 　　然而，海力士半導(dǎo)體公司在一份聲明中稱，一季度NAND快閃記憶芯片售價(jià)季比下降8%，09年四季度降幅為5%。 　　該公司補(bǔ)充道，一季度DRAM芯片發(fā)貨量季比上升6%，NAND芯片發(fā)貨量季比持平。 　　海力士半導(dǎo)體公布，該公司一季度營(yíng)業(yè)利潤(rùn)率為28%，09年四季度該公司營(yíng)業(yè)利潤(rùn)率為25%。
  • 關(guān)鍵字： 海力士  NAND  DRAM  

追隨三星之路　爾必達(dá)推出32GB容量模塊

  • 　　日韓DRAM大廠制程競(jìng)賽延伸至產(chǎn)品規(guī)格之戰(zhàn)，在三星電子(Samsung Electronics)于3月底，宣布推出由32GB大容量服務(wù)器內(nèi)存模塊后，日系內(nèi)存大廠爾必達(dá)(Elpida)也宣布4Gb DDR3芯片正式問世，不但采40奈米制程生產(chǎn)，未來(lái)也將用此芯片生產(chǎn)32GB內(nèi)存模塊，應(yīng)用于服務(wù)器、大型數(shù)據(jù)中心或其他大型系統(tǒng)等，DRAM大廠在產(chǎn)品規(guī)格之戰(zhàn)，逐漸由主流規(guī)格2Gb，延伸至4Gb容量。 　　爾必達(dá)22日指出，將正式推出4Gb DDR3芯片，主要是采用40納米制程生產(chǎn)，且響應(yīng)近期科技產(chǎn)業(yè)吹起的環(huán)保
  • 關(guān)鍵字： Samsung  DRAM  40納米  

追趕65納米

  • 　　在渡過困難的09年后,全球半導(dǎo)體業(yè)迎來(lái)新一輪的高潮。市場(chǎng)相繼出現(xiàn)存儲(chǔ)器, 模擬電路等缺貨現(xiàn)象及OEM庫(kù)存不足。具風(fēng)向標(biāo)意義的1Gb DDR2價(jià)格由1,5美元升至3,0美元, 所以虧損了近3年的美光, 爾必達(dá)及海力士都報(bào)導(dǎo)扭虧為盈, 預(yù)計(jì)2010年全球DRAM增長(zhǎng)40%,可達(dá)319億美元。 　　以臺(tái)積電為首的代工業(yè)也是看好, 預(yù)計(jì)今年有20%的增長(zhǎng)。2010年Q1，它的65納米先進(jìn)制程取消淡季的固定優(yōu)惠，實(shí)際上是變相的價(jià)格上漲。臺(tái)積電去年第四季營(yíng)收920.9億臺(tái)幣，季增2.4%，65納米占營(yíng)收30%，
  • 關(guān)鍵字： 存儲(chǔ)器  DRAM  模擬電路  

DRAM供不應(yīng)求因素 供給和需求分析

  • 　　2010年DRAM產(chǎn)業(yè)自谷底回春，不淡擺脫過去虧損連連的情況，或是各廠要求政府要紓困，幾乎每家DRAM業(yè)者都開始賺錢，且DRAM供不應(yīng)求情況越來(lái)越嚴(yán)重，價(jià)格也不斷上漲，現(xiàn)在DDR3和DDR2價(jià)格1顆3美元的情況發(fā)生在傳統(tǒng)淡季，實(shí)在少見，且缺貨的情況短期內(nèi)無(wú)法紓解。 　　市場(chǎng)分析主要原因可分為供給和需求兩方配合。在供給端方面，除了三星電子(SamsungElectronics)實(shí)力和財(cái)力雄厚外，廠的資本支出頂多只能應(yīng)付制程微縮的需求，沒有多余的資金可蓋新廠房。 　　再者，2010年各廠轉(zhuǎn)進(jìn)50或是4
  • 關(guān)鍵字： DRAM  40納米  

海力士1Q獲利季增25%

  • 　　韓國(guó)半導(dǎo)體大廠海力士(Hynix)公布2010會(huì)計(jì)年度第1季 (2010年1~3月)財(cái)報(bào)，與2009年同期凈損1.18兆韓元(約10.62億美元)相比，海力士本季達(dá)成獲利8,220億韓元，比前季成長(zhǎng)25%。營(yíng)收則達(dá)2.82兆韓元，比2009年同期成長(zhǎng)115%，亦比前季略增220億韓元。 　　海力士營(yíng)收穩(wěn)定成長(zhǎng)，主要受到存儲(chǔ)器市場(chǎng)景氣興盛、DRAM出貨量增加及存儲(chǔ)器平均價(jià)格拉臺(tái)刺激。 　　海力士表示，DRAM本季平均價(jià)格成長(zhǎng)3%、出貨量成長(zhǎng)6%。NAND Flash平均價(jià)格雖下滑8%，然出貨量持平。
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三星、海力士停電　PC恐受沖擊

  • 　　存儲(chǔ)器大廠三星電子(Samsung Electronics)器興廠3月底甫發(fā)生停電事件，海力士(Hynix)位于韓國(guó)M10廠房21日亦出現(xiàn)停電意外，海力士宣稱僅發(fā)生0.1秒瞬間電壓下降，由于有不斷電系統(tǒng)支應(yīng)，并未造成任何損失，存儲(chǔ)器業(yè)者則傳出這次海力士實(shí)際停電時(shí)間是下午1~3點(diǎn)，長(zhǎng)達(dá)2小時(shí)之久，盡管停電事件對(duì)于實(shí)際產(chǎn)出影響有限，然因目前DRAM市場(chǎng)供給嚴(yán)重吃緊，若韓系大廠再減少一些產(chǎn)能，恐怕將對(duì)PC廠出貨造成沖擊。 　　海力士位于韓國(guó)京畿道M10廠房在 21日下午傳出突然停電事件，公司在第1時(shí)間出面
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設(shè)備產(chǎn)能皆不足 模擬IC缺貨潮不停歇

  • 　　全球模擬IC市場(chǎng)自2010年初以來(lái)，一路傳出的缺貨聲浪至今未歇，雖然模擬IC供貨商不斷加班趕貨，但比起下游客戶預(yù)先在淡季建立庫(kù)存，及越買不到越要買的心態(tài)，市場(chǎng)供不應(yīng)求的缺口看來(lái)比整個(gè)半導(dǎo)體供應(yīng)鏈想得都還要大。業(yè)者更是直言，此模擬IC供需吃緊風(fēng)潮將至少延續(xù)到2010年底。 　　原因無(wú)他，國(guó)外模擬IC供應(yīng)廠在機(jī)臺(tái)設(shè)備采買名單上，只能算是個(gè)后段名單，而臺(tái)系模擬IC設(shè)計(jì)業(yè)者在搶產(chǎn)能動(dòng)作上，也只算是個(gè)較慢的族群，當(dāng)兩者因素放在一起時(shí)，就是客戶缺貨抱怨的電子信件一路傳送下去。 　　國(guó)外模擬IC供貨商雖然普遍都
  • 關(guān)鍵字： 模擬IC  晶圓代工  DRAM  

存儲(chǔ)器中采用銅工藝對(duì)于設(shè)備市場(chǎng)的影響

  • 　　按Information Network總裁Robert Casterllano的說法,2009年存儲(chǔ)器芯片向銅互連工藝過渡開始熱了起來(lái)，由此雖然2009年整個(gè)半導(dǎo)體設(shè)備市場(chǎng)下降超過40%以上, 而與銅互連直接相關(guān)連的設(shè)備僅下降8.7%。 　　在2006未Micron技術(shù)公司首先在DRAM產(chǎn)品制造中采用銅工藝代替鋁。一年之后Elpida跟進(jìn)。之后所有的存儲(chǔ)器制造商, 以三星為首都對(duì)于存儲(chǔ)器生產(chǎn)線進(jìn)行升級(jí)改造, 導(dǎo)入銅工藝。因此影響了2009年銅淀積設(shè)備和材料的市場(chǎng)。公司認(rèn)為此種趨勢(shì)將影響半導(dǎo)體設(shè)備市
  • 關(guān)鍵字： 三星  存儲(chǔ)器  DRAM  

茂德出售竹科12寸廠　爾必達(dá)旺宏受益

  • 　　茂德以新臺(tái)幣85億元價(jià)格將茂德位于竹科12寸晶圓廠Fab-2(未來(lái)將成為旺宏的Fab-3)出售予旺宏電子。茂德售廠所獲得新臺(tái)幣85億元資金中，估計(jì)約有25億~30億元將用于償還銀行債務(wù)，減輕償債壓力。由于茂德另一12寸廠位于中科的Fab-3制程僅為75nm，欠缺競(jìng)爭(zhēng)力，因此茂德售廠后獲得資金將可提升其Fab-3，并于2010年第4季增加產(chǎn)出。 　　因茂德替爾必達(dá)(Elpida)代工，故在 DRAM市場(chǎng)爭(zhēng)奪戰(zhàn)中，爾比達(dá)將是主要受益者;另一方面，旺宏在ROM及NOR Flash產(chǎn)品市場(chǎng)近一年來(lái)，因NOR
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爾必達(dá)CEO看好DRAM市場(chǎng) 重申6億美元的年度資本開支預(yù)算

  • 　　爾必達(dá)(Elpida Memory Inc.)總裁兼首席執(zhí)行長(zhǎng)阪本幸雄(Yukio Sakamoto)上周五表示，目前個(gè)人電腦市場(chǎng)的內(nèi)存芯片需求十分強(qiáng)勁，而今年的全球供應(yīng)有可能低于需求。 　　阪本幸雄在臺(tái)灣舉行的新聞發(fā)布會(huì)上對(duì)記者表示，今年動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器(DRAM)芯片的全球產(chǎn)能可能增長(zhǎng)30%-40%，但需求增幅有可能高達(dá)50%-60%。 　　爾必達(dá)與臺(tái)灣茂德科技(ProMOS Technologies Inc.)上周五還共同宣布，雙方將擴(kuò)大合作，生產(chǎn)用于數(shù)字消費(fèi)電子產(chǎn)品和移動(dòng)設(shè)備的DRAM芯片。
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三星擬在中國(guó)投資DRAM芯片廠 推動(dòng)液晶面板

  • 　　據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道稱，顯示面板業(yè)界人士稱，三星電子計(jì)劃在中國(guó)投資DRAM工廠，以加速中國(guó)政府對(duì)其液晶面板投資計(jì)劃的審批。 　　上述消息人士稱，三星電子不僅要在中國(guó)投資DRAM工廠，還愿意放棄中國(guó)政府對(duì)其液晶面板工廠項(xiàng)目的補(bǔ)貼。 　　但是，中國(guó)臺(tái)灣地區(qū)的DRAM芯片廠商對(duì)此傳言持懷疑態(tài)度，稱三星電子近期不大可能在中國(guó)投資DRAM工廠。 　　上述消息人士指出，韓國(guó)面板廠商擔(dān)心，臺(tái)灣地區(qū)競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手和大陸地區(qū)電視廠商的密切合作關(guān)系將削弱它們?cè)谥袊?guó)市場(chǎng)的競(jìng)爭(zhēng)力。 　　業(yè)內(nèi)人士稱，三星電子還考慮在韓國(guó)建設(shè)第十一
  • 關(guān)鍵字： 三星電子  DRAM  液晶面板  

今年二季度半導(dǎo)體元件價(jià)格漲幅將超10%

  • 　　據(jù)來(lái)自IC分銷渠道的消息人士透露，目前包括電源管理芯片(PWM)、金氧半場(chǎng)效晶體管(MOSFET)和DRAM在內(nèi)的大部分半導(dǎo)體元件供應(yīng)比較緊張，但是由于代工廠已經(jīng)在滿負(fù)荷運(yùn)行，預(yù)計(jì)短期內(nèi)這種情況不會(huì)得到緩解。 　　據(jù)臺(tái)灣媒體報(bào)道，消息人士指出，預(yù)計(jì)在今年第二季度，半導(dǎo)體元件的價(jià)格漲幅將超過10%。在第一季度中，其價(jià)格已經(jīng)平均提高了5-10%。 　　另外，消息人士還表示，由于在第一季度NOR閃存芯片供應(yīng)不足，多芯片封裝(multi-chip package，MCP)價(jià)格漲幅最大，在今年余下幾個(gè)月中，
  • 關(guān)鍵字： PWM  MOSFET  DRAM  

三星赴大陸設(shè)12吋廠？ 臺(tái)DRAM廠看法保守

  • 　　由于面板產(chǎn)業(yè)傳出三星電子(SamsungElectronics)在蘇州的面板廠申請(qǐng)案進(jìn)度延宕，將對(duì)大陸提出設(shè)置面板廠贈(zèng)送DRAM廠為誘因以利通過申請(qǐng)，DRAM業(yè)者認(rèn)為，除非三星對(duì)于設(shè)廠方式愿意開放合資，讓大陸官方有持股權(quán)，否則機(jī)率不高，加上三星內(nèi)部2010年對(duì)于半導(dǎo)體部門的投資持續(xù)采取保守策略，力守毛利率水平，此事短期內(nèi)發(fā)生機(jī)率不高。 　　DRAM業(yè)者并未耳聞三星有意赴大陸設(shè)置12吋晶圓廠之事，推測(cè)短期內(nèi)發(fā)生的機(jī)率并不高，一方面是因?yàn)槿莾?nèi)部對(duì)于半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的投資策略，傾向保守化，三星半導(dǎo)體事業(yè)社長(zhǎng)權(quán)
  • 關(guān)鍵字： 三星電子  DRAM  晶圓  

DRAM廠吹史上最大減資潮　南亞科、力晶、茂德瘦身逾千億新臺(tái)幣

  • 　　臺(tái)DRAM產(chǎn)業(yè)大吹減資風(fēng)，繼2009年第3季南亞科完成減資66%，力晶12日宣布減資38%，減資后凈值6.9元，預(yù)期以力晶目前獲利能力，第3季底完成減資后，凈值可望提升至10元以上，而下一個(gè)可能減資的DRAM廠將是茂德，預(yù)計(jì)在股東會(huì)提出減資計(jì)畫機(jī)率相當(dāng)高，屆時(shí)臺(tái)灣3家DRAM 廠減資金額合計(jì)超過新臺(tái)幣1,000億元，成為臺(tái)灣DRAM產(chǎn)業(yè)史上最大規(guī)模集體瘦身運(yùn)動(dòng)。 　　2010年全球DRAM產(chǎn)業(yè)景氣大好，各廠紛掌握此機(jī)會(huì)辦理減資以獲得重生，繼南亞科2009年完成66%減資計(jì)畫后，力晶12日董事會(huì)亦通過
  • 關(guān)鍵字： 力晶  DRAM  存儲(chǔ)器  
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