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光刻設(shè)備交貨延期推遲DRAM 40納米戰(zhàn)局

  • 　　全球DRAM產(chǎn)業(yè)40納米大戰(zhàn)出現(xiàn)變量，由于浸潤式機臺(Immersion Scanner)遞延交貨之故，瑞晶已松口表示，原本計劃年底前旗下8萬片12寸晶圓產(chǎn)能要全轉(zhuǎn)進45納米制程的目標，將正式遞延至2011年第1季，其第1臺浸潤式機臺本周才會正式到貨，比原訂時程晚了2~3個月，內(nèi)部已決定將8萬片產(chǎn)能全數(shù)轉(zhuǎn)進63納米制程作為應(yīng)變。DRAM業(yè)者皆認為，全球DRAM 產(chǎn)業(yè)的40納米正式對決時間點，會是在2011年! 　　瑞晶總經(jīng)理陳正坤表示，瑞晶第1臺浸潤式機臺將于本周正式到貨，預(yù)計在9月之前會有5~6臺
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三星第一季度NAND Flash市占逼近40%大關(guān)

  • 　　2010年第1季全球NAND Flash產(chǎn)業(yè)市占率中，仍以三星電子(Samsung Electronics)位居龍頭，根據(jù)集邦統(tǒng)計，三星的市占率高達39.2%，東芝(Toshiba)以34.4%市占率緊追在后，第1季位元成長率較上季增加15%，但平均單價(ASP)小跌5%，全球NAND Flash產(chǎn)業(yè)的產(chǎn)值規(guī)模約43.63億美元，較上季39.1億元成長11.6%。 　　NAND Flash產(chǎn)業(yè)2009年率先落底反彈，但2010年表現(xiàn)空間不多，在DRAM、NOR Flash、SDRAM和Mobile
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美光12億美元并恒憶 坐擁DRAM、NAND、NOR三大技術(shù)

  • 　　美光科技(Micron Technology Inc.)7日宣布完成收購NOR Flash大廠恒憶(Numonyx B.V.)的所有程序。依據(jù)協(xié)議，美光已發(fā)行大約1.38億股普通股(大約相當于12億美元)給恒憶股東(英特爾、意法半導(dǎo)體、私募股權(quán)基金Francisco Partners)。 　　完成收購恒憶后美光成為同時擁有DRAM、NAND以及NOR技術(shù)的記憶體晶片大廠。恒憶去年第4季營收約5.50億美元，自由現(xiàn)金流量達4,200萬美元。交易完成后美光/恒憶將與意法共享位于義大利Agrate的&ld
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Q1全球DRAM產(chǎn)值續(xù)增 三星穩(wěn)居龍頭

  • 　　DRAM價格走揚，帶動全球第一季DRAM產(chǎn)值持續(xù)攀高至92.77億美元，較去年第4季再成長6.9%;其中，南韓三星市占率達32.3%，穩(wěn)居全球DRAM龍頭寶座。 　　集邦科技表示，盡管第一季為DRAM產(chǎn)業(yè)傳統(tǒng)淡季，不過，在電腦系統(tǒng)廠商擔心下半年恐將缺貨、積極儲備安全庫存下，帶動第 1季DRAM市場需求淡季不淡，價格也持續(xù)走揚。 　　根據(jù)統(tǒng)計，第一季DDR3合約季均價上漲16%，現(xiàn)貨季均價也上漲14%;DDR2產(chǎn)品方面，第1季合約季均價上漲5%，現(xiàn)貨季均價則持平表現(xiàn)。 　　而在產(chǎn)品價格走揚，加上各
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集邦科技: 全球DRAM產(chǎn)業(yè)營收2010第一季營收續(xù)成長6.9%

  • 　　根據(jù)集邦科技公布價格，DDR3合約季均價與現(xiàn)貨季均價繼2009年第四季分別大漲40%與30%后，在2010年第一季分別續(xù)漲16%與 14%;DDR2合約季均價與現(xiàn)貨季均價2009年第四季分別大漲61%與68%后，在2010年第一季淡季不淡，合約季均價續(xù)漲5%，現(xiàn)貨季均價持平，持續(xù)維持在高檔價格。 　　由于計算機系統(tǒng)廠商于第一季拉高DDR3的搭載比例由去年第四季的40%拉高至60% 造成第一季DDR3供貨吃緊。DDR2方面在現(xiàn)貨市場需求仍大部份在DDR2，而DRAM廠快速轉(zhuǎn)進至DDR3，使買方亦努力拉
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海力士：一季度DRAM芯片平均售價季漲3%

  • 　　以收入計全球第二大電腦記憶芯片制造商海力士半導(dǎo)體公司(Hynix Semiconductor Inc.)22日公布，一季度公司動態(tài)隨機存取存儲器(DRAM)平均售價季比上升3%，09年四季度漲幅為26%。 　　然而，海力士半導(dǎo)體公司在一份聲明中稱，一季度NAND快閃記憶芯片售價季比下降8%，09年四季度降幅為5%。 　　該公司補充道，一季度DRAM芯片發(fā)貨量季比上升6%，NAND芯片發(fā)貨量季比持平。 　　海力士半導(dǎo)體公布，該公司一季度營業(yè)利潤率為28%，09年四季度該公司營業(yè)利潤率為25%。
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追隨三星之路　爾必達推出32GB容量模塊

  • 　　日韓DRAM大廠制程競賽延伸至產(chǎn)品規(guī)格之戰(zhàn)，在三星電子(Samsung Electronics)于3月底，宣布推出由32GB大容量服務(wù)器內(nèi)存模塊后，日系內(nèi)存大廠爾必達(Elpida)也宣布4Gb DDR3芯片正式問世，不但采40奈米制程生產(chǎn)，未來也將用此芯片生產(chǎn)32GB內(nèi)存模塊，應(yīng)用于服務(wù)器、大型數(shù)據(jù)中心或其他大型系統(tǒng)等，DRAM大廠在產(chǎn)品規(guī)格之戰(zhàn)，逐漸由主流規(guī)格2Gb，延伸至4Gb容量。 　　爾必達22日指出，將正式推出4Gb DDR3芯片，主要是采用40納米制程生產(chǎn)，且響應(yīng)近期科技產(chǎn)業(yè)吹起的環(huán)保
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追趕65納米

  • 　　在渡過困難的09年后,全球半導(dǎo)體業(yè)迎來新一輪的高潮。市場相繼出現(xiàn)存儲器, 模擬電路等缺貨現(xiàn)象及OEM庫存不足。具風向標意義的1Gb DDR2價格由1,5美元升至3,0美元, 所以虧損了近3年的美光, 爾必達及海力士都報導(dǎo)扭虧為盈, 預(yù)計2010年全球DRAM增長40%,可達319億美元。 　　以臺積電為首的代工業(yè)也是看好, 預(yù)計今年有20%的增長。2010年Q1，它的65納米先進制程取消淡季的固定優(yōu)惠，實際上是變相的價格上漲。臺積電去年第四季營收920.9億臺幣，季增2.4%，65納米占營收30%，
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DRAM供不應(yīng)求因素 供給和需求分析

  • 　　2010年DRAM產(chǎn)業(yè)自谷底回春，不淡擺脫過去虧損連連的情況，或是各廠要求政府要紓困，幾乎每家DRAM業(yè)者都開始賺錢，且DRAM供不應(yīng)求情況越來越嚴重，價格也不斷上漲，現(xiàn)在DDR3和DDR2價格1顆3美元的情況發(fā)生在傳統(tǒng)淡季，實在少見，且缺貨的情況短期內(nèi)無法紓解。 　　市場分析主要原因可分為供給和需求兩方配合。在供給端方面，除了三星電子(SamsungElectronics)實力和財力雄厚外，廠的資本支出頂多只能應(yīng)付制程微縮的需求，沒有多余的資金可蓋新廠房。 　　再者，2010年各廠轉(zhuǎn)進50或是4
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海力士1Q獲利季增25%

  • 　　韓國半導(dǎo)體大廠海力士(Hynix)公布2010會計年度第1季 (2010年1~3月)財報，與2009年同期凈損1.18兆韓元(約10.62億美元)相比，海力士本季達成獲利8,220億韓元，比前季成長25%。營收則達2.82兆韓元，比2009年同期成長115%，亦比前季略增220億韓元。 　　海力士營收穩(wěn)定成長，主要受到存儲器市場景氣興盛、DRAM出貨量增加及存儲器平均價格拉臺刺激。 　　海力士表示，DRAM本季平均價格成長3%、出貨量成長6%。NAND Flash平均價格雖下滑8%，然出貨量持平。
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三星、海力士停電　PC恐受沖擊

  • 　　存儲器大廠三星電子(Samsung Electronics)器興廠3月底甫發(fā)生停電事件，海力士(Hynix)位于韓國M10廠房21日亦出現(xiàn)停電意外，海力士宣稱僅發(fā)生0.1秒瞬間電壓下降，由于有不斷電系統(tǒng)支應(yīng)，并未造成任何損失，存儲器業(yè)者則傳出這次海力士實際停電時間是下午1~3點，長達2小時之久，盡管停電事件對于實際產(chǎn)出影響有限，然因目前DRAM市場供給嚴重吃緊，若韓系大廠再減少一些產(chǎn)能，恐怕將對PC廠出貨造成沖擊。 　　海力士位于韓國京畿道M10廠房在 21日下午傳出突然停電事件，公司在第1時間出面
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設(shè)備產(chǎn)能皆不足 模擬IC缺貨潮不停歇

  • 　　全球模擬IC市場自2010年初以來，一路傳出的缺貨聲浪至今未歇，雖然模擬IC供貨商不斷加班趕貨，但比起下游客戶預(yù)先在淡季建立庫存，及越買不到越要買的心態(tài)，市場供不應(yīng)求的缺口看來比整個半導(dǎo)體供應(yīng)鏈想得都還要大。業(yè)者更是直言，此模擬IC供需吃緊風潮將至少延續(xù)到2010年底。 　　原因無他，國外模擬IC供應(yīng)廠在機臺設(shè)備采買名單上，只能算是個后段名單，而臺系模擬IC設(shè)計業(yè)者在搶產(chǎn)能動作上，也只算是個較慢的族群，當兩者因素放在一起時，就是客戶缺貨抱怨的電子信件一路傳送下去。 　　國外模擬IC供貨商雖然普遍都
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存儲器中采用銅工藝對于設(shè)備市場的影響

  • 　　按Information Network總裁Robert Casterllano的說法,2009年存儲器芯片向銅互連工藝過渡開始熱了起來，由此雖然2009年整個半導(dǎo)體設(shè)備市場下降超過40%以上, 而與銅互連直接相關(guān)連的設(shè)備僅下降8.7%。 　　在2006未Micron技術(shù)公司首先在DRAM產(chǎn)品制造中采用銅工藝代替鋁。一年之后Elpida跟進。之后所有的存儲器制造商, 以三星為首都對于存儲器生產(chǎn)線進行升級改造, 導(dǎo)入銅工藝。因此影響了2009年銅淀積設(shè)備和材料的市場。公司認為此種趨勢將影響半導(dǎo)體設(shè)備市
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茂德出售竹科12寸廠　爾必達旺宏受益

  • 　　茂德以新臺幣85億元價格將茂德位于竹科12寸晶圓廠Fab-2(未來將成為旺宏的Fab-3)出售予旺宏電子。茂德售廠所獲得新臺幣85億元資金中，估計約有25億~30億元將用于償還銀行債務(wù)，減輕償債壓力。由于茂德另一12寸廠位于中科的Fab-3制程僅為75nm，欠缺競爭力，因此茂德售廠后獲得資金將可提升其Fab-3，并于2010年第4季增加產(chǎn)出。 　　因茂德替爾必達(Elpida)代工，故在 DRAM市場爭奪戰(zhàn)中，爾比達將是主要受益者;另一方面，旺宏在ROM及NOR Flash產(chǎn)品市場近一年來，因NOR
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爾必達CEO看好DRAM市場 重申6億美元的年度資本開支預(yù)算

  • 　　爾必達(Elpida Memory Inc.)總裁兼首席執(zhí)行長阪本幸雄(Yukio Sakamoto)上周五表示，目前個人電腦市場的內(nèi)存芯片需求十分強勁，而今年的全球供應(yīng)有可能低于需求。 　　阪本幸雄在臺灣舉行的新聞發(fā)布會上對記者表示，今年動態(tài)隨機存儲器(DRAM)芯片的全球產(chǎn)能可能增長30%-40%，但需求增幅有可能高達50%-60%。 　　爾必達與臺灣茂德科技(ProMOS Technologies Inc.)上周五還共同宣布，雙方將擴大合作，生產(chǎn)用于數(shù)字消費電子產(chǎn)品和移動設(shè)備的DRAM芯片。
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