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LSI 針對企業(yè)網(wǎng)絡(luò)和存儲應(yīng)用擴展定制 IP 產(chǎn)品系列

  • 　　LSI 公司日前宣布推出具有多核功能的 PowerPC 476 微處理器內(nèi)核和高速嵌入式 DRAM 內(nèi)存模塊，進(jìn)一步豐富了其業(yè)界領(lǐng)先的定制芯片 IP 產(chǎn)品系列。該新型處理器內(nèi)核和內(nèi)存模塊旨在加速用于諸如企業(yè)級交換機、路由器、RAID 存儲器、服務(wù)器以及基站等高性能應(yīng)用中的高級網(wǎng)絡(luò)和存儲SoC 的開發(fā)。 　　定制多核集成電路 (IC) 使 OEM 廠商能夠針對計算密集型應(yīng)用開發(fā)出高度差異化的高性能解決方案。LSI 推出的這款新型 PowerPC 476FP 器件采用 TSMC 40G 工藝制造而成，能
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DRAM迎來希望之光 年底將“春光燦爛”

  • 　　在DRAM市場的歷史上，2009年初可能是最黑暗的時期之一，當(dāng)時廠商能活下來就不錯了。 　　但是，繼春季溫和復(fù)蘇之后，DRAM供應(yīng)商的黑暗日子結(jié)束，夏天迎來了光明。價格在春季的基礎(chǔ)上持續(xù)上漲，營業(yè)收入也水漲船高。三星走在前列，營業(yè)利潤率為19%，營業(yè)收入達(dá)22億美元，市場份額擴大到35.5%的最高水平。 　　DDR3來臨 　　第三季度，下一代DRAM技術(shù)——DDR3看到希望，而且顯然這種技術(shù)代表未來的一股潮流。iSuppli公司預(yù)測，DDR3出貨量將在2010年第一季度超
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爾必達(dá)預(yù)計2010年DRAM將出現(xiàn)供應(yīng)短缺

  • 　　據(jù)國外媒體報道，日本芯片生產(chǎn)商爾必達(dá)記憶體(Elpida)公司今日表示，預(yù)計2010年動態(tài)隨機存取記憶體(DRAM)將出現(xiàn)供應(yīng)短缺。 　　爾必達(dá)社長本幸雄在新聞發(fā)布會上接受采訪時表示，DRAM的價格可能將在截至2011年3月的會計年度企穩(wěn)。
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DRAM跌價襲擊　模塊廠1月營收處變不驚

  • 　　2010年1月農(nóng)歷春節(jié)前的補貨行情落空，DRAM價格大跌，所幸NAND Flash價格比預(yù)期強勢，存儲器模塊廠1月營收可望維持平穩(wěn)，與2009年12月相較，呈現(xiàn)小漲或小跌的局面，整體第1季營收受到2月農(nóng)歷過年工作天數(shù)減少影響，而呈現(xiàn)下滑，但整體行情不看淡;模塊廠認(rèn)為，DDR3目前仍是缺貨，往下修正的幅度有限，一方面DDR3利潤較高，另一方面DDR3短期會被DDR2價格帶下來，但整體第1季DDR3供貨仍相對吃緊。 　　存儲器模塊廠2009年交出豐厚的成績單，創(chuàng)見、威剛都賺足1個股本，但2010年1月立
  • 關(guān)鍵字： DRAM  NAND  DDR3  

設(shè)備交期拉長 恐影響設(shè)備業(yè)2010年成長力道

  • 　　近期晶圓代工、DRAM等科技大廠擴產(chǎn)計劃不斷，不少業(yè)者的機臺進(jìn)廠時間落在下半年，從目前的設(shè)備交期6~9個月來推算，部分機臺交貨時間恐怕落到2011年。 　　在2010年科技業(yè)大擴產(chǎn)風(fēng)潮下，市場紛紛看好設(shè)備業(yè)業(yè)績可望較2009年成長4~5成，不過近期在關(guān)鍵設(shè)備交期拉長到6~9個月的隱憂下，設(shè)備業(yè)者已開始擔(dān)憂，交期拉長恐怕使部分原本可在2010年交貨的機臺，延后到2011年，使全年業(yè)績成長幅度受到壓抑。 　　設(shè)備短缺現(xiàn)象自2009年第4季就已出現(xiàn)，尤其是關(guān)鍵機臺包括LED的金屬有機物化學(xué)氣相沉積(MO
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DDR3來臨 2010年DRAM市場云開月明

  • 　　2009年DRAM 市場烏云籠罩，廠商艱難度過黑暗時期，終于守得云開見月明。春季溫和復(fù)蘇，夏季迎來光明。價格在春季的基礎(chǔ)上持續(xù)上漲，營業(yè)收入也水漲船高。 　　三星走在前列，營業(yè)利潤率為19%，營業(yè)收入達(dá)22 億美元，市場份額擴大到35.5%的最高水平。 　　DDR3 來臨 　　第三季度，下一代 DRAM 技術(shù)——DDR3 看到希望，而且顯然這種技術(shù)代表未來的一股潮流。iSuppli 公司預(yù)測，DDR3 出貨量將在2010 年第一季度超過DDR2。 　　三星在 DDR3
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機臺交期延　DRAM廠制程微縮絆腳石

  • 　　2010年臺DRAM廠將決戰(zhàn)50和40奈米制程技術(shù)，但新制程關(guān)鍵恐未必在技術(shù)上，而在于浸潤式微顯影(Immersion Scanner)機臺設(shè)備采購是否能跟上腳步，近期業(yè)界傳出瑞晶機臺原本2月要交貨，但目前交期已遞延至4月，南亞科和華亞科之前亦傳出機臺交貨不及，公司則澄清前期機臺已順利拉進(jìn)來，轉(zhuǎn)換制程進(jìn)度一切正常。 　　DRAM廠決戰(zhàn)50和40奈米制程技術(shù)最大挑戰(zhàn)是資金問題，其中，機臺購置成本占相當(dāng)大比重，由于1臺機臺設(shè)備動輒要價新臺幣10億元，且每臺機器產(chǎn)能約僅1萬片，若1座產(chǎn)能達(dá)10萬片的12寸
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嵌入式系統(tǒng)中DRAM控制器的CPLD解決方案

  • 嵌入式系統(tǒng)中DRAM控制器的CPLD解決方案,介紹怎樣在嵌入式CPU 80C186XL DRAM刷新控制單元的基礎(chǔ)上，利用CPLD技術(shù)和80C196XL的時序特征設(shè)計一個低價格、功能完整的DRAM控制器的方法，并采用VHDL語言編程實現(xiàn)。
  • 關(guān)鍵字： CPLD  解決方案  控制器  DRAM  系統(tǒng)  嵌入式  

南亞科擴建12寸廠　全球市占挑戰(zhàn)10%

  • 　　南亞科將逆勢擴建旗下12寸廠，從現(xiàn)有3萬片擴增至5萬~6萬片，成為此波DRAM景氣復(fù)蘇后，首家擴產(chǎn)的臺系DRAM廠。值得注意的是，南亞科單月產(chǎn)能(加計華亞科)約9.5萬片，以目前全球單月12寸廠產(chǎn)能約100萬片計算，南亞科擴產(chǎn)后，全球市占率將首度挑戰(zhàn)10%，成為臺塑集團(tuán)在 DRAM產(chǎn)業(yè)重要里程碑。 　　DRAM廠喜迎產(chǎn)業(yè)景氣復(fù)蘇，但苦于無錢擴增產(chǎn)能，2009年下半除趕緊將減產(chǎn)的產(chǎn)能回復(fù)，對于制程演進(jìn)亦快馬加鞭，包括美光(Micron)、爾必達(dá)(Elpida)陣營2010年紛宣布要轉(zhuǎn)進(jìn)40奈米制程世代
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4大DRAM陣營競爭激烈 美光、爾必達(dá)提前導(dǎo)入40納米

  • 　　2010年4大DRAM陣營三星電子(Samsung Electronics)、海力士(Hynix)、爾必達(dá)(Elpida)和美光(Micron)戰(zhàn)場直接拉到40納米世代!繼爾必達(dá)跳過50納米制程，大舉轉(zhuǎn)換至45納米后，美光陣營也不甘示弱宣布年中將同步轉(zhuǎn)42納米。華亞科表示，表示旗下的50納米制程是最正統(tǒng)的完整世代技術(shù)，并非是制程微縮下的產(chǎn)物，因此成本競爭力有十足把握;在爾必達(dá)、美光跟上制程進(jìn)度后，年底4大陣營技術(shù)實力大幅縮小，競爭更激烈。 　　雖然三星電子和海力士已先一步轉(zhuǎn)到40納米世代，其中三星是
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海力士第4季獲利6,570億韓元　創(chuàng)3年新高

  • 　　全球第2大計算機存儲器制造商海力士(Hynix)公布2009年第4季財報，隨著全球個人計算機(PC)景氣回溫，海力士獲利創(chuàng)下3年來新高。 　　2009年第4季海力士營收為2.8兆韓元(約24.7億美元)，較第3季大幅成長32%，海力士營收成長主因為DRAM及NAND Flash存儲器出貨量成長，同時，DRAM平均售價也上揚，此外，第4季海力士凈利為6,570億韓元，更較第3季大幅成長167%。 　　和2009年第3季相較，2009年第4季海力士DRAM平均售價及出貨量分別成長26%及12%，至于N
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三星將向Rambus支付9億內(nèi)存專利授權(quán)費以達(dá)成和解

  • 　　韓國三星公司與Rambus公司本周二宣布就兩家之間的專利權(quán)官司達(dá)成和解協(xié)議，三星公司將在五年之內(nèi)逐步向Rambus公司支付總額達(dá)9億美金的專利授 權(quán)費用.據(jù)協(xié)議規(guī)定，三星將首先一次性支付給Rambus公司2億美元，并在此后的5年之中以平均每季度支付2500萬美元的方式逐步將剩下的金額以專利授權(quán)費的形式支付給對方，其中包括一筆用于購買三星現(xiàn)有DRAM產(chǎn)品所使用的Rambus專利終身授權(quán)的資金。另外，協(xié)議還規(guī)定三星將向Rambus公司投資2億美元。 　　據(jù)Rambus公司高級副總裁Sharon Holt
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廠商采取搭售策略 挽回DDR2銷售頹勢

  • 　　全球DRAM市場正加速進(jìn)行世代交替，DDR3芯片因缺貨使得價格持續(xù)上漲，DDR2價格卻嚴(yán)重下跌，且累積庫存越來越多，近期韓系DRAM大廠開始祭出買DDR3模塊必須搭配買DDR2模塊的搭售策略，希望系統(tǒng)廠和模塊廠不要只購買DDR3模塊，由于DDR3模塊在現(xiàn)貨市場貨源奇缺，使得部分下游通路商亦跟進(jìn)DRAM大廠，采取搭售策略，希望在DDR2與DDR3 模塊世代交替的同時，避免產(chǎn)品價格嚴(yán)重背道而馳。 　　近期DRAM市場已呈現(xiàn)兩極化發(fā)展，DDR3芯片市場缺貨情況持續(xù)惡化，但DDR2芯片庫存卻是愈堆愈多，存儲
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DDR3成主流產(chǎn)品 海力士增NAND Flash產(chǎn)能

  • 　　據(jù)彭博(Bloomberg)報導(dǎo)，海力士執(zhí)行長金鐘甲(Jong-Kap Kim)表示，2010年第1季DDR3將取代DDR2成為存儲器產(chǎn)業(yè)的主流產(chǎn)品，同時，海力士希望于2010年增加在DRAM市場的市占率，并倍增NAND Flash的產(chǎn)能。 　　根據(jù)研究機構(gòu)iSuppli資料，2009年第3季海力士于全球DRAM市場市占率為21.7%，落后三星電子(Samsung Electronics)的35.5%， 　　海力士也將增加NAND Flash產(chǎn)能，金鐘甲表示，2010年底前海力士計劃倍增NAND
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海力士擬償還8.88億美元債務(wù) 得益于芯片需求

  • 　　據(jù)國外媒體報道，由于計算機內(nèi)存芯片供不應(yīng)求可能有助于利潤創(chuàng)下4年來新高，全球第二大內(nèi)存芯片廠商海力士計劃今年償還逾1萬億韓元債務(wù)(約合8.88億美元)。 　　海力士首席執(zhí)行官金鐘甲(Kim Jong-kap)日前在接受采訪時表示，“我們的目標(biāo)是，在進(jìn)行必要投資的同時償還巨額債務(wù)。目前，海力士有息債務(wù)約為7萬億韓元(約合62.16億美元)。” 　　更少的債務(wù)和更高的利潤有助于海力士吸引其他收購方。去年11月，曉星公司撤消了收購海力士的收購要約。分析師稱，由于PC需求增長，今年
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