1α dram 文章 進(jìn)入1α dram技術(shù)社區(qū)
美光爭取華亞科主導(dǎo)權(quán) 臺塑拒絕成瑞晶翻版
- 華亞科辦理6.4億股的現(xiàn)金增資,南亞科和美光(Micron)等大股東按原持股比例認(rèn)購現(xiàn)增額度,但近期傳出美光向臺塑集團(tuán)攤牌,希望能增加認(rèn)購比例,爭取華亞科更多股權(quán),惟臺塑集團(tuán)回決此提議,認(rèn)為目前「等權(quán)共治」策略較佳。內(nèi)存業(yè)者表示,在瑞晶股權(quán)落入爾必達(dá)(Elpida)手中后,華亞科主導(dǎo)權(quán)亦成為臺、美雙方角力戰(zhàn)場,背后意義在于DRAM產(chǎn)能分配和潛在市占率。不過,針對美光要求提高華亞科持股一事,華亞科與南亞科均不予置評。 2009年臺DRAM產(chǎn)業(yè)整合計(jì)劃白忙1年,而茂德與海力士(Hynix)分手,亦使
- 關(guān)鍵字: 華亞科 DRAM DDR3
2010年全球DRAM市場展望
- 全球DRAM廠商自2006年紛紛投入“擴(kuò)廠競賽”以來,DRAM市場嚴(yán)重供過于求的陰霾就揮之不去,在這樣心理預(yù)期下,DRAM價(jià)格持續(xù)性下跌也就顯得理所當(dāng)然。 所幸,金融海嘯的發(fā)生,迫使除三星電子(Samsung Electronics)外的全球DRAM廠商都必須削減資本支出,停止原先擴(kuò)廠計(jì)劃,單就臺灣各家DRAM業(yè)者為例,2008年第4季以來就有5座12吋廠、合計(jì)31萬片12吋晶圓月產(chǎn)能的建廠計(jì)劃遭到凍結(jié)或延后,茂德更為確保現(xiàn)金,暫時退出標(biāo)準(zhǔn)型DRAM生產(chǎn)行列,轉(zhuǎn)而投入晶圓
- 關(guān)鍵字: Samsung DRAM
臺12寸DRAM廠廢墟變黃金 美日都覬覦
- 臺灣DRAM產(chǎn)業(yè)成也12吋晶圓廠、敗也12吋晶圓廠!在金融風(fēng)暴期間,臺灣DRAM產(chǎn)業(yè)身背2,000億元的負(fù)債,每天搖旗吶喊希望政府金援,否則整個產(chǎn)業(yè)面臨垮臺的命運(yùn),根本原因就是過去幾年間,業(yè)者太容易拿到資本市場的資金,因此盲目蓋了太多的12吋廠,隨著微軟(Microsoft)的Vista換機(jī)潮成夢一場,DRAM供需失衡的問題浮出,全球金融風(fēng)暴成為壓垮駱駝的最后1根稻草,DRAM產(chǎn)業(yè)從此陷入惡夢。 熬過2009年,第1個出局的,反而不是始終為人詬病沒有技術(shù)扎根的臺灣DRAM廠,而是奇夢達(dá)(Qimo
- 關(guān)鍵字: 奇夢達(dá) DRAM 晶圓
2010年內(nèi)存市場預(yù)測:價(jià)格走高 產(chǎn)能不足
- 隨著2010年寒假及春節(jié)的臨近,電子賣場即將迎來新一輪的銷售高潮。記者在走訪中關(guān)村電子賣場時了解到,步入2010年,多數(shù)型號內(nèi)存價(jià)格已有小幅上漲,或已計(jì)劃漲價(jià)。銷售人員向記者介紹道,從2009年中旬至今,內(nèi)存價(jià)格一路上揚(yáng),其主要原因在于金融危機(jī)對中國市場的影響逐漸消逝,而各廠家的出貨量沒有迅速提高,導(dǎo)致部分廠家、型號的內(nèi)存出現(xiàn)短時間缺貨。 據(jù)商家預(yù)計(jì),2010年內(nèi)存價(jià)格仍會緩慢上漲,寒假銷售情況被普遍看好。 據(jù)國外專業(yè)分析機(jī)構(gòu)DRAMeXchange報(bào)道,受2010年P(guān)C銷量看漲以及OEM
- 關(guān)鍵字: 奇夢達(dá) DRAM DDR3 內(nèi)存
韓結(jié)束3年反壟斷調(diào)查 未發(fā)現(xiàn)芯片廠操縱價(jià)格
- 韓國公平交易委員會(FTC)周三宣布,并未發(fā)現(xiàn)NAND快閃記憶芯片制造商在韓國或其它地區(qū)有操縱市場價(jià)格的行為,也宣告終止近3年來對該產(chǎn)業(yè)的反壟斷調(diào)查。 反壟斷監(jiān)管單位聲明,針對計(jì)算機(jī)記憶芯片產(chǎn)業(yè) (包括DRAM芯片、NAND芯片等) 相關(guān)的價(jià)格操縱調(diào)查已經(jīng)全部結(jié)束。 2007年1月,F(xiàn)TC宣布將針對NAND快閃記憶芯片制造商進(jìn)行反壟斷調(diào)查,偵查是否有操縱價(jià)格的事實(shí),之后已針對全球4家企業(yè)進(jìn)行調(diào)查,其中2家位于韓國,另外2家分別在美國和日本,但FTC并未公布詳細(xì)的企業(yè)名單。 韓國快閃記
- 關(guān)鍵字: 海力士 NAND DRAM
韓國FTC:NAND Flash大廠無操控價(jià)格
- 據(jù)華爾街日報(bào)(WSJ)報(bào)導(dǎo),韓國公平貿(mào)易委員會(FTC)并未發(fā)現(xiàn)NAND Flash存儲器大廠有任何操控價(jià)格的證據(jù),將結(jié)束為期將近3年的調(diào)查。此外,韓國FTC表示,至目前為止所有和存儲器市場相關(guān)的操控價(jià)格調(diào)查皆已完成,包括DRAM、SRAM及NAND Flash市場。 韓國FTC自2007年1月開始調(diào)查存儲器產(chǎn)業(yè)是否存在操控價(jià)格的不法行為,并調(diào)查4家全球存儲器大廠,包括兩家韓國廠商、1家日本及1家美國廠商,然FTC并未透露遭調(diào)查的廠商名稱。 存儲器產(chǎn)業(yè)近年來遭數(shù)個國家調(diào)查是否存在柯斷,近期
- 關(guān)鍵字: Samsung DRAM 存儲器芯片 NAND
華亞科現(xiàn)金增資案過關(guān)
- 2010年DRAM產(chǎn)業(yè)前景看好,臺系DRAM廠忙著搶錢擴(kuò)大產(chǎn)能,華亞科日前宣布辦理現(xiàn)金增資,預(yù)計(jì)再募資超過新臺幣百億元,日前已正式獲得證期局的同意。華亞科預(yù)計(jì)2010年資本支出上看450億元,與同為臺塑集團(tuán)的南亞科合計(jì)資本支出高達(dá)640億元,2家DRAM廠雙雙展開搶錢大作戰(zhàn),一同轉(zhuǎn)進(jìn)50奈米制程世代,且同時增加DDR3新產(chǎn)品的出貨比重,屆時生產(chǎn)成本可持續(xù)降低。 經(jīng)歷2008年金融風(fēng)暴洗禮,全球DRAM廠從破產(chǎn)邊緣逐漸爬起,也使得各廠都沒有多余的資金可以擴(kuò)產(chǎn)和進(jìn)行制程微縮,配合終端需求有Windo
- 關(guān)鍵字: 華亞科 DRAM DDR3
記取DRAM再造失敗教訓(xùn) 臺“經(jīng)濟(jì)部”擬推動“產(chǎn)業(yè)再造法”
- 臺“經(jīng)濟(jì)部”主導(dǎo)的「DRAM產(chǎn)業(yè)再造方案」幾乎已確定翻案無望,“經(jīng)濟(jì)部”長施顏祥29日首度松口表示,若國發(fā)基金無法投資臺灣創(chuàng)新存儲器公司(TIMC),或許可改由民間資金投入。由于產(chǎn)業(yè)經(jīng)常會遇到再造的需求,“經(jīng)濟(jì)部”也可能要仿效日本,制定「產(chǎn)業(yè)再造法」,作為政府解決產(chǎn)業(yè)危機(jī)的主要依據(jù)。 “經(jīng)濟(jì)部”長施顏祥29日舉行“經(jīng)濟(jì)部”年終記者會,對于TIMC停擺,政府的「DRAM產(chǎn)業(yè)再造方
- 關(guān)鍵字: TIMC DRAM
DRAM內(nèi)存芯片2010年將嚴(yán)重缺貨 廠商受益
- 由于消費(fèi)者需求增長,以及企業(yè)進(jìn)入PC更換周期,2010年下半年DRAM內(nèi)存將嚴(yán)重缺貨。 2009年,DRAM芯片價(jià)格在大部分時間內(nèi)都呈增長趨勢,因?yàn)槭芙?jīng)濟(jì)低迷影響許多廠商都削減了產(chǎn)量,只是在剛剛過去的兩個月內(nèi)趨于穩(wěn)定。 調(diào)研公司DRAMeXchange認(rèn)為:“受PC銷量增長推動,DRAM芯片明年下半年將出現(xiàn)嚴(yán)重缺貨。對于DRAM廠商而言,2010年全年盈利的機(jī)會較大。” DRAMeXchange預(yù)計(jì),2010年P(guān)C出貨量將增長13%。其中,筆記本將增長22.5
- 關(guān)鍵字: DRAM 芯片
海力士調(diào)高資本支出 規(guī)模逼近華亞科
- 國際DRAM廠相繼傳來調(diào)高資本支出的消息,韓國大廠海力士(Hynix)宣布調(diào)高2010年資本支出,預(yù)估將從1兆韓元調(diào)高至1.5兆韓元,相當(dāng)于12.7億美元,雖然以全球的角度來看,2010年的資本支出仍高居全球第三大,然經(jīng)此一調(diào)高,海力士明年資本支出規(guī)模已經(jīng)接近華亞科(3474)的13.85億美元,且資本支出的規(guī)模也是2007年的高峰以來,最大規(guī)模的一次行動。 目前已知將調(diào)高資本支出的國際廠商包括爾必達(dá)、三星半導(dǎo)體、華邦電,上周25日,韓國大廠海力士也跟進(jìn)宣布調(diào)高資本支出。 根據(jù)外電指出,海
- 關(guān)鍵字: Hynix DRAM
機(jī)構(gòu)預(yù)計(jì)2010年下半年內(nèi)存芯片緊缺
- 業(yè)界分析機(jī)構(gòu)DRAMeXchange表示,受消費(fèi)者需求和企業(yè)更新PC拉動影響,預(yù)計(jì)明年下半年計(jì)算機(jī)芯片將出現(xiàn)緊缺。 芯片廠商受經(jīng)濟(jì)低迷打擊削減產(chǎn)量和資本支出,導(dǎo)致DRAM芯片緊缺,其價(jià)格在今年一直上漲,DRAM價(jià)格在過去兩個月中已企穩(wěn)。 DRAMeXchange周四預(yù)計(jì)明年P(guān)C發(fā)貨量將增長13%,筆記本發(fā)貨量將增長22.5%至1.6億臺,上網(wǎng)本發(fā)貨量將增長22%至3500萬臺。 DRAMeXchange稱:“在PC熱銷的拉動下,DRAM芯片將在2010年下半年面臨嚴(yán)重的緊
- 關(guān)鍵字: DRAM 芯片
基于當(dāng)代DRAM結(jié)構(gòu)的存儲器控制器設(shè)計(jì)
- 1、引言
當(dāng)代計(jì)算機(jī)系統(tǒng)越來越受存儲性能的限制。處理器性能每年以60%的速率增長,存儲器芯片每年僅僅增加10%的帶寬,本文就如何設(shè)計(jì)一種符合當(dāng)代DRAM結(jié)構(gòu)的高效存儲器控制器進(jìn)行研究。
本文第二部分介紹當(dāng)代D - 關(guān)鍵字: 控制器 設(shè)計(jì) 存儲器 結(jié)構(gòu) 當(dāng)代 DRAM 基于
1α dram介紹
您好,目前還沒有人創(chuàng)建詞條1α dram!
歡迎您創(chuàng)建該詞條,闡述對1α dram的理解,并與今后在此搜索1α dram的朋友們分享。 創(chuàng)建詞條
歡迎您創(chuàng)建該詞條,闡述對1α dram的理解,并與今后在此搜索1α dram的朋友們分享。 創(chuàng)建詞條
關(guān)于我們 -
廣告服務(wù) -
企業(yè)會員服務(wù) -
網(wǎng)站地圖 -
聯(lián)系我們 -
征稿 -
友情鏈接 -
手機(jī)EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權(quán)所有 北京東曉國際技術(shù)信息咨詢有限公司
京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案:1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權(quán)所有 北京東曉國際技術(shù)信息咨詢有限公司
京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案:1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473