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金援DRAM廠再添一例 創(chuàng)見借貸15億予力晶
- 2010年DRAM貨源持續(xù)短缺,由于Windows 7換機潮驅(qū)動下,PC大廠DRAM采購規(guī)模持續(xù)擴大,排擠到存儲器模塊廠的貨源,為進一步確保與DRAM廠間的合作關(guān)系,且彼此拉進距離,日前創(chuàng)見董事會同意貸款給力晶新臺幣15億元,同時以瑞晶股票作擔(dān)保品,并依債權(quán)的100%設(shè)定質(zhì)權(quán)予創(chuàng)見。 過去DRAM價格崩盤之時,也常出現(xiàn)存儲器模塊廠金援上游廠的例子,彼此互相協(xié)助來共度難關(guān),以往模塊廠常以預(yù)付貨款的方式,協(xié)助DRAM廠買原物料生產(chǎn),再以??顚S梅绞絹泶_保產(chǎn)能回銷給模塊廠。 創(chuàng)見指出,這次貸款給
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爾必達釋配貨權(quán)力晶獲瑞晶產(chǎn)能 然DRAM現(xiàn)貨供應(yīng)恐減少
- 盡管爾必達(Elpida)與力晶之間買回瑞晶股權(quán)爭議還未達成協(xié)議,但在DRAM產(chǎn)能分配上已先獲得共識,力晶已超過1年未向瑞晶拿貨,近期與爾必達協(xié)商成功,4月起重獲瑞晶產(chǎn)能分配權(quán),未來每月將多出2.4萬片產(chǎn)能挹注,爾必達則要求力晶12寸廠代工比重要提升50%,且力晶自瑞晶所取得配貨權(quán),多數(shù)要再回銷給爾必達來供應(yīng)PC客戶,未來該陣營釋放至現(xiàn)貨市場DRAM貨源,恐將進一步短缺。 爾必達與力晶分別對瑞晶持股 64%和34%,目前瑞晶12寸晶圓廠產(chǎn)能8萬片,2大股東可按照持股比例,獲得同等的瑞晶產(chǎn)能分配,
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爾必達擬增資187億日圓 金士頓成為金主
- 日本存儲器大廠爾必達(Elpida)將向存儲器模塊大廠金士頓(Kingston)發(fā)行新股與可轉(zhuǎn)換公司債,籌資187億日圓(約1.98億美元),以作為2010年度中擴充廣島廠半導(dǎo)體尖端設(shè)備之用。而金士頓亦將因此握有爾必達4.79%的持股,成為爾必達的第6大股東。 此次,爾必達向金士頓發(fā)行的新股為647萬股,每股發(fā)行價格為1,805日圓,總額約117億日圓;另發(fā)行可轉(zhuǎn)換公司債約70億日圓。 金士頓為爾必達的主要客戶之1,金士頓希望透過注資爾必達,穩(wěn)定DRAM模塊貨源。而爾必達則為將廣島廠產(chǎn)線由
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日立東芝三菱和解芯片價格訴訟
- 據(jù)國外媒體報道,美國舊金山聯(lián)邦法院的文件顯示,日立、東芝和三菱同意支付2780萬美元和解芯片價格操縱指控。 該案原告為DRAM芯片的直接采購方,他們指控上述三家公司在1999年至2002年間向美國用戶收取了超額費用。根據(jù)原告方律師周四提交的文件,日立將支付1150萬美元,東芝將支付920萬美元,三菱則支付710萬美元。 但根據(jù)和解協(xié)議,上述三家公司均未承認不當(dāng)行為。三家公司的律師和發(fā)言人也均未對此置評。 DRAM是一種被用于電腦、手機和其他電子設(shè)備的芯片。美國司法部曾于2002年對多
- 關(guān)鍵字: 東芝 DRAM
日立東芝三菱和解芯片價格訴訟
- 據(jù)國外媒體報道,美國舊金山聯(lián)邦法院的文件顯示,日立、東芝和三菱同意支付2780萬美元和解芯片價格操縱指控。 該案原告為DRAM芯片的直接采購方,他們指控上述三家公司在1999年至2002年間向美國用戶收取了超額費用。根據(jù)原告方律師周四提交的文件,日立將支付1150萬美元,東芝將支付920萬美元,三菱則支付710萬美元。 但根據(jù)和解協(xié)議,上述三家公司均未承認不當(dāng)行為。三家公司的律師和發(fā)言人也均未對此置評。 DRAM是一種被用于電腦、手機和其他電子設(shè)備的芯片。美國司法部曾于2002年對多
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三星電子芯片業(yè)務(wù)上半年利潤或超35億美元
- 受全球存儲芯片供應(yīng)短缺利好影響,三星電子存儲芯片業(yè)務(wù)增長明顯,預(yù)計其2010年上半年營業(yè)利潤有望超過4萬億韓元,約合35億美元。 三星公司消息人士稱,三星電子自身預(yù)估2010年全年的芯片業(yè)務(wù)營業(yè)利潤將最多可增至4.4萬億韓元,但韓國媒體報道稱,三星電子發(fā)言人拒絕就此事宜發(fā)表言論。 據(jù)悉,三星電子是目前全球最大的存儲芯片生產(chǎn)商,其09年在全球DRAM市場的份額從08年的29%增加至36%,而NAND閃存芯片市場份額則一直保持在40%左右。
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三星電子:半導(dǎo)體廠房跳電損失估計不到90億韓元
- 三星電子(SamsungElectronics)表示,截至臺北時間25日下午3時為止,南韓京畿省(Gyeonggi)器興市(Giheung)半導(dǎo)體廠房跳電所造成的損失估計不到90億韓圜(790萬美元)。三星并表示,目前尚未找出跳電的原因。MeritzSecurities分析師LeeSun- tae指出,三星半導(dǎo)體廠房跳電造成的影響其實不大,主因多數(shù)面臨沖擊者為非內(nèi)存生產(chǎn)線。 YonhapNews于南韓時間24日下午7時48分報導(dǎo),三星電子器興市半導(dǎo)體廠房24日突然跳電,其K2、K5廠區(qū)在當(dāng)?shù)貢r間
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三星電子:半導(dǎo)體廠房跳電損失估計不到90億韓圜
- 三星電子(Samsung Electronics)表示,截至臺北時間25日下午3時為止,南韓京畿省(Gyeonggi)器興市(Giheung)半導(dǎo)體廠房跳電所造成的損失估計不到90億韓圜(790萬美元)。三星并表示,目前尚未找出跳電的原因。 Meritz Securities分析師Lee Sun-tae指出,三星半導(dǎo)體廠房跳電造成的影響其實不大,主因多數(shù)面臨沖擊者為非內(nèi)存生產(chǎn)線。 Yonhap News于南韓時間24日下午7時48分報導(dǎo),三星電子器興市半導(dǎo)體廠房24日突然跳電,其K2、K5廠區(qū)在
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LED市場持續(xù)火熱 臺資加速布局大陸設(shè)廠
- 隨著中國大陸LED市場迅速增長,臺資企業(yè)正在加快搶灘登陸的步伐,以期盡早在大陸LED產(chǎn)業(yè)卡位布局。比如日前廣東中山科技局的一位工作人員就告訴記者,現(xiàn)在可以明顯感受到,外資尤其是臺廠對中國大陸LED行業(yè)投資腳步的加快和投資力度的加大,早在2002年臺灣最大的封裝廠億光就在中山小欖設(shè)廠,而近來臺企投資腳步則更加頻繁。 如果細分近期有意向至大陸設(shè)廠的臺企,大體可分成三類:一是臺灣大型LED企業(yè),為擴大產(chǎn)能需要,在大陸投資設(shè)廠。比如日前市場傳出臺灣LED外延大廠晶電計劃與封裝廠光寶攜手布局大陸LED市場
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三星跳電 存儲器產(chǎn)業(yè)鏈繃緊神經(jīng)
- 三星電子(Samsung Electronics)韓國器興廠24日下午停電約1小時,雖然三星官方指出影響不大,但業(yè)界對于已極度缺貨的DRAM市場相當(dāng)緊張,甚至傳出高容量 32Gb NAND Flash芯片亦受影響,尤其目前包括Mobile RAM、SDRAM和NOR Flash等存儲器零組件都供貨吃緊,三星跳電事件恐讓存儲器供應(yīng)鏈出現(xiàn)供貨排擠效應(yīng)。 三星器興廠發(fā)生停電意外,在啟動不斷電系統(tǒng) (UPS)后,1小時內(nèi)便恢復(fù)運作,估計此事件對公司營運影響不大。 存儲器業(yè)者指出,這次三星受影響廠區(qū)
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供給有限、需求強勁 DRAM產(chǎn)業(yè)可連賺三年
- 根據(jù)DRAMeXchange的預(yù)測,從今年到2012年,DRAM產(chǎn)業(yè)供給方面在產(chǎn)能擴充、資本支出、浸潤式機臺供給有限,以及40nm以下制程轉(zhuǎn)進難度高影響下,位成長有限。而DRAM需求在全球景氣復(fù)蘇,帶動消費者及企業(yè)換機潮,以及智能型手機帶動行動內(nèi)存需求大幅成長下則將動力強勁,預(yù)期未來三年DRAM產(chǎn)業(yè)有機會連續(xù)獲利。 DRAMeXchange指出,DRAM產(chǎn)業(yè)過去十幾年來,幾乎每三年為一景氣循環(huán)周期,以DRAM廠的營業(yè)獲利率分析,2001至2003年DRAM產(chǎn)業(yè)連續(xù)三年虧損,2004至2006年轉(zhuǎn)
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三星美光反對擴大DRAM產(chǎn)能
- 近期內(nèi)存價格的持續(xù)上漲讓DRAM芯片廠商嘗到了甜頭,不過在包括三星、美光、力晶等在內(nèi)的DRAM廠商看來,好光景來之不易,不應(yīng)該一味擴大產(chǎn)能惡性競爭而重新導(dǎo)致DRAM內(nèi)存暴跌。 韓國三星半導(dǎo)體業(yè)務(wù)總裁權(quán)五鉉日前表示,DRAM制造商不應(yīng)該盲目擴大產(chǎn)能,而應(yīng)當(dāng)把大規(guī)模投資放在提升技術(shù)水平上。美國美光官方近日也表示,今年無意擴大DRAM產(chǎn)能,而是將全力投入制造工藝升級,進一步增強其在DRAM市場的競爭力。臺灣力晶半導(dǎo)體董事長黃崇仁同樣認為,廠商們在對待產(chǎn)能的問題上應(yīng)當(dāng)更加謹慎,避免重蹈當(dāng)年的覆轍。
- 關(guān)鍵字: 三星 DRAM
英飛凌對爾必達提專利侵權(quán)訴訟 美ITC展開調(diào)查
- 據(jù)外電報道,美國國際貿(mào)易委員會(USITC)將對DRAM半導(dǎo)體、產(chǎn)品、記憶模塊展開調(diào)查,因德商英飛凌于今年2月19 日提出專利侵權(quán)指控。 英飛凌方面稱,爾必達制造并向美國進口銷售的某些DRAM半導(dǎo)體產(chǎn)品侵犯了英飛凌在半導(dǎo)體制程和元件制造方面4項重要發(fā)明專利,涉嫌不公平貿(mào)易。通過訴訟以尋求USITC下達禁令,禁止?fàn)柋剡_或以爾必達的名義,向美國進口侵犯英飛凌專利的DRAM半導(dǎo)體產(chǎn)品。 被調(diào)查的企業(yè)名單 USITC表示,將依據(jù)1930年美國關(guān)稅法第337條,對下列廠商展開調(diào)查,包括日商爾必
- 關(guān)鍵字: 英飛凌 DRAM
芯片缺很大 電子生產(chǎn)鏈上肥下瘦
- 由于ODM/OEM廠對第2季及第3季的旺季需求期待甚高,芯片缺貨問題持續(xù)延燒,除了繪圖芯片及整流二極管持續(xù)供貨短缺外,電源管理IC、NOR閃存、LCD驅(qū)動IC、功率放大器(PA)等產(chǎn)品線均出現(xiàn)供給缺口。隨著芯片供貨商3月起陸續(xù)漲價5%至10%,但電子終端產(chǎn)品價格并未跟進調(diào)漲,顯示今年電子生產(chǎn)鏈上肥下瘦已成定局。 根據(jù)通路業(yè)者指出,今年中國農(nóng)歷年期間因終端市場需求強勁,大幅去化芯片庫存,去年底就缺貨的繪圖芯片、整流二極管、金氧半場效晶體管(MOSFET)等,現(xiàn)在仍有10%左右的供給缺口,另包括電源
- 關(guān)鍵字: 電源管理 NOR閃存 DRAM
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您好,目前還沒有人創(chuàng)建詞條1α dram!
歡迎您創(chuàng)建該詞條,闡述對1α dram的理解,并與今后在此搜索1α dram的朋友們分享。 創(chuàng)建詞條
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