1α dram 文章 進入1α dram技術(shù)社區(qū)
DRAM廠想靠DDR3翻身 得先過技術(shù)門檻
- 市場研究機構(gòu)DIGITIMES Research指出,2007年以來,全球DRAM廠商在過度樂觀的預(yù)期下,相繼投入產(chǎn)能擴充競賽,這也使得DRAM供過于求的陰影揮之不去;自此,DRAM價格持續(xù)下挫,過去八季中,除龍頭廠商三星電子外,多數(shù)DRAM廠商也都難逃嚴重虧損的命運。 其中,德國DRAM制造商奇夢達更因不堪虧損,于2009年第一季宣布破產(chǎn),自此退出DRAM市場。正因如此,新一代DRAM規(guī)格DDR3的推出,被視為全球DRAM產(chǎn)業(yè)再起的重要關(guān)鍵。 DIGITIMES Research指出,事
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DRAM臺日5家聯(lián)手抗韓 隱見TIMC身影
- 盡管臺灣創(chuàng)新存儲器公司TIMC在立院緊急喊卡,但最近與TIMC洽談合作的日商爾必達,仍是與臺灣的茂德、華邦電進行業(yè)務(wù)合作,如果加上力晶和瑞晶,也形成臺日5家DRAM廠,聯(lián)手抗韓的局面,爾必達系統(tǒng)廠商,未來的市占率和排名第二的韓國海力士,也只有百分之零點三的差距。至于爾必達與茂德、華邦電的合作,是否由宣明智穿針引線,他則是強調(diào)對方相當(dāng)重視臺灣業(yè)界。 全球DRAM大廠日商爾必達,連日來動作頻頻,接連與茂德和華邦電進行合作計畫,加上力晶本來就是爾必達的合作廠商,又握有瑞晶六成四的股份,以爾必達為首的臺
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臺“立法院”要求“經(jīng)濟部”停止推動DRAM產(chǎn)業(yè)再造計劃
- 臺“經(jīng)濟部”力推「DRAM產(chǎn)業(yè)再造方案計畫」,在宣布臺灣創(chuàng)新存儲器公司(TIMC)已獲審查通過后,“立法院”經(jīng)濟委員會11日提出重要決議,要求“經(jīng)濟部”停止推動DRAM產(chǎn)業(yè)再造計畫,等同禁止“經(jīng)濟部”協(xié)助TIMC獲得國發(fā)基金投資。 值得注意的是,目前TIMC浮上臺面投資金主包括矽品、京元電、兆豐金等,潛在投資者更囊括半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)和創(chuàng)投資金,但前提必須是TIMC要明確獲得國發(fā)基金資金挹注,原本投資TIMC
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DDR內(nèi)存合約價格大漲 南科華亞科受惠
- 據(jù)臺灣媒體報道,11月上旬動態(tài)隨機存取內(nèi)存(DRAM)合約價出爐,DDR2 1Gb與DDR3 1Gb顆粒合約均價皆大漲超過15%,DDR2 2Gb合約均價漲幅也達13.9%,預(yù)估11月下旬DDR2合約價可望持續(xù)攀高,以合約市場為主的南科、華亞科預(yù)估受惠較大。 集邦科技昨最新報價,11月上旬DDR2 1Gb顆粒合約均價達2.38美元,比10月下旬大漲15.53%;DDR3 1Gb顆粒合約均價達2.25美元,大漲15.98%。 另DDR2 2Gb合約均價從36美元上漲到41美元,漲幅達13.9
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DRAM合約價大漲,今年沒淡季
- 2009年DRAM產(chǎn)業(yè)沒有淡季,11月上旬DDR2和DDR3合約價持續(xù)大漲近20%,2GB DDR2模塊甚至一度飆到50美元天價,足見PC OEM廠拉貨力道沒有休息跡象,DRAM廠為確保DDR2和DDR3買氣同步增溫,趁機向下游廠祭出搭售方式。DRAM廠認為,隨著PC OEM廠第4季大量轉(zhuǎn)進DDR3平臺,未來DDR3現(xiàn)貨及合約價將同步凌駕DDR2,而現(xiàn)貨市場DDR3報價亦展開攻勢,一舉站上3美元大關(guān)。 DRAM價格11月上旬漲幅超乎預(yù)期,2GB DDR2模塊漲勢尤其猛烈,大漲19~21%,平均價
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爾必達和茂德簽署DRAM代工協(xié)議
- 茂德(ProMos)已和爾必達(Elpida)簽署DRAM代工合約,爾必達將提供先進的制程技術(shù)與產(chǎn)品技術(shù)給茂德,茂德將以中科12寸晶圓廠提供爾必達DRAM代工服務(wù)。 茂德表示,代工服務(wù)以爾必達最先進的1G DDR3產(chǎn)品為主,預(yù)計2010年上半完成試產(chǎn),2010年下半大量生產(chǎn)。此外,爾必達發(fā)言人Hiroshi Tsuboi表示,茂德每月將使用多達3.5萬片12寸晶圓為爾必達制造芯片,同時,采用65奈米制程技術(shù)。 茂德董事長暨總經(jīng)理陳民良表示,爾必達在全球DRAM產(chǎn)業(yè)中以尖端制程技術(shù)的創(chuàng)新研發(fā)
- 關(guān)鍵字: Elpida DRAM 晶圓 DDR3
集邦:全球DRAM產(chǎn)業(yè)Q3營收季增率高達40.7%
- 根據(jù)調(diào)查,今年第三季,DDR3在計算機系統(tǒng)廠商積極拉抬PC搭載DDR3比例下,需求量激增,DDR3合約價在第三季大漲36%,現(xiàn)貨價也在合約價的帶動下上漲24%。DDR2方面,由于DDR3合約價格大漲,亦帶動DDR2合約價格的漲勢,且在第三季國際DRAM大廠轉(zhuǎn)進DDR3相當(dāng)積極,導(dǎo)致DDR2出貨量減少效應(yīng)持續(xù)發(fā)酵,部份PC OEM廠商亦已逆向操作增加DDR2的庫存水位,使得本季DDR2合約價漲幅高達31%、現(xiàn)貨價格漲幅亦高達30%,漲幅與DDR3不惶多讓。 第三季各DRAM廠商營收在DDR3合約價
- 關(guān)鍵字: 三星 DRAM DDR3 DDR2
TIMC與DRAM產(chǎn)業(yè)再造計劃
- 2008年DRAM產(chǎn)業(yè)跌落谷底,臺灣DRAM廠開門做生意平均每天虧新臺幣1億元,且龐大的負債成為臺灣科技產(chǎn)業(yè)的巨大問題,因此經(jīng)濟部為挽救臺灣內(nèi)存演產(chǎn)業(yè),宣布要進行產(chǎn)業(yè)再造,成立臺灣內(nèi)存公司(Taiwan Memory Company;TMC),之后因為此名字已被其它公司注冊,因此改名為Taiwan Innovation Memory Company,簡稱為TIMC。 TIMC正式于2009年7月31日登記成立,董事長為聯(lián)電榮譽副董事長宣明智,帶領(lǐng)臺灣內(nèi)存產(chǎn)業(yè)再造的任務(wù),目的在于協(xié)助臺灣DRAM產(chǎn)
- 關(guān)鍵字: TIMC DRAM NAND Flash
產(chǎn)業(yè)明顯好轉(zhuǎn)但是前景仍不明朗
- 全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)受金融危機的沖擊已經(jīng)一年過去。此次危機是歷史上最嚴重的一次,所以盡管各國政府都奮力相救,但是由于受損太嚴重,產(chǎn)業(yè)的完全康復(fù)仍需要過程與時間。 至此,產(chǎn)業(yè)鏈中各類公司今年前三個季度的財報都已紛紛出籠,正如ICInsight公司所言,如果依季度比較,工業(yè)恢復(fù)的過程十分明顯。今年的Q1是慘不成睹,仍在下降軌跡,半導(dǎo)體的產(chǎn)能利用率在50%以下,各類投資幾乎為零。到Q2時已經(jīng)看到回升的跡象,但是大部分公司仍陷赤字之中。至Q3結(jié)束時,部分公司已經(jīng)扭虧為盈,工業(yè)已經(jīng)明顯看到好轉(zhuǎn)的局面,但是與去年
- 關(guān)鍵字: 半導(dǎo)體 DRAM
對DRAM價格樂觀 力晶停止紓困
- 力晶在DRAM價格強勁回文件下,將恢復(fù)財務(wù)自主能力,力晶董事會2日通過,從明年開始停止紓困,全力正?;謴?fù)營運,可望從明年起針對銀行正常還款。力晶對第四季價格仍保持每顆2美元至2.5美元的樂觀預(yù)期,今年第四季將有機會轉(zhuǎn)虧為盈。 力晶昨日領(lǐng)先各大DRAM廠,率先公布10月營收,由于產(chǎn)能滿載,加上DRAM價格回文件,該公司10月營收達42.39億元(新臺幣,以下同)、較9月大增28%,創(chuàng)下今年以來新高,預(yù)估11月、12月營收將會維持持續(xù)成長的動能。 力晶指出,在政府政策與銀行團大力支持之下,透過
- 關(guān)鍵字: 力晶 DRAM 封測
臺系DRAM廠3Q虧損175億元 4Q可望飛越損平點
- 受惠DRAM價格谷底翻身,臺系DRAM廠第3季虧損金額大幅縮小,合計力晶、茂德、南亞科和華亞科4家DRAM廠共虧新臺幣175億元,累計前3季虧損731億元,其中茂德虧損最多,華亞科虧損金額最小,展望第4季,DRAM價格持續(xù)走強越過2.5美元后,頗有朝3美元的實力,各廠全產(chǎn)能投片后,可望力拼單月?lián)p益兩平,其中力晶旗下瑞晶第3季已轉(zhuǎn)虧為盈,力晶董事長黃崇仁也表示,若報價維持在2.5美元水平,第4季也有機會擠身獲利之林。 DRAM 產(chǎn)業(yè)在2008年此時受到供過于求嚴重失衡的影響,虧損嚴重到一度將存儲器
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Intel宣布一項技術(shù)突破 內(nèi)存加工工藝可縮小到5納米
- 英特爾和芯片技術(shù)公司Numonyx本周三發(fā)布了一項新技術(shù).這兩家公司稱,這種新技術(shù)將使非易失性存儲器突破NAND閃存的20納米的極限,使加工工藝縮小到5納米,從而更加節(jié)省成本. 英特爾研究員和內(nèi)存技術(shù)開發(fā)經(jīng)理Al Fazio星期三向記者解釋說,這種技術(shù)產(chǎn)生的堆疊內(nèi)存陣列有可能取代目前DRAM內(nèi)存和NAND閃存的一些工作.這種技術(shù)甚至能夠讓系統(tǒng)設(shè)計師把一些DRAM內(nèi)存和固態(tài)內(nèi)存的一些存儲屬性縮小到一個內(nèi)存類. This image shows phase-change memory bu
- 關(guān)鍵字: Intel 5納米 DRAM NAND
福布斯:亞洲芯片商前景樂觀 下滑趨勢將結(jié)束
- 據(jù)國外媒體報道,數(shù)家亞洲大型芯片廠商財報預(yù)期顯示,本季度有望實現(xiàn)數(shù)年來的首次扭虧為盈,芯片下滑趨勢或?qū)⒔Y(jié)束。 三星電子本月初表示,其季度利潤有望超市場預(yù)期,分析師對其預(yù)期為每股收益1.98萬韓元(約合16.83美元)。 投行Macquarie Group對三星股票評級為“表現(xiàn)突出”(outperform),將三星目標(biāo)股價由84萬韓元調(diào)高至90萬韓元。該投行在研究報告中稱,因三星上半年收益強勁,預(yù)計其股價將持續(xù)上漲。周一,三星股價在首爾股票交易所收盤于75.3萬韓元(
- 關(guān)鍵字: 海力士 DRAM 內(nèi)存芯片
宣明智:DRAM年年都要過冬 該做的就做
- 盡管上周南亞科及華亞科法說會時,公司對于DRAM市場多抱持樂觀看法,不過臺灣創(chuàng)新存儲器公司(TIMC)董事長宣明智26日上午參觀臺灣寬頻通訊展時卻表達保守看法,認為DRAM年年都要過冬,對DRAM景氣沒有那么樂觀,針對DRAM產(chǎn)業(yè)再造合并時機已過,他則表示,該做的就做。 對于近期DRAM價格回穩(wěn),宣明智認為價錢回到成本以上是好事情,2008年在大家盲目競爭情況下,DRAM價格殺到低于變動成本,目前DRAM市場價位回升,也頗為合理,宣明智表示,希望能大家都夠抓住機會,掌握未來競爭條件,這樣才能讓整
- 關(guān)鍵字: 南亞科 DRAM 華亞科 TIMC
TFC是政治正確產(chǎn)物 TIMC不能沉默是金
- 力晶宣布成立TFC(Taiwan Flash Company)的消息,對內(nèi)存產(chǎn)業(yè)無疑是一枚深水炸彈,不論就技術(shù)自主、產(chǎn)能整合和產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新等條件上,TFC都是力晶精心策劃下的「政治正確」產(chǎn)物,從條件論而言,“經(jīng)濟部"很難直接拒絕TFC計劃,尤其是現(xiàn)在臺灣創(chuàng)新內(nèi)存(TIMC)的技術(shù)來源爾必達(Elpida)在日本政府資金介入后,傳出不讓臺灣地區(qū)政府投資的謠言不絕于耳,力晶在此時拿出TFC計劃,就算不能獲得政府補助,也達到破壞TIMC的目的,臺灣內(nèi)存產(chǎn)業(yè)整合大戲未來要如何演下去,在各廠底
- 關(guān)鍵字: 力晶 DRAM 內(nèi)存
1α dram介紹
您好,目前還沒有人創(chuàng)建詞條1α dram!
歡迎您創(chuàng)建該詞條,闡述對1α dram的理解,并與今后在此搜索1α dram的朋友們分享。 創(chuàng)建詞條
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