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爾必達(dá)內(nèi)存有望今年實(shí)現(xiàn)三年來的首次年度盈利

  • 　　12月11日訊，據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道，受到內(nèi)存需求大于供給的利好影響，日本最大的內(nèi)存生產(chǎn)企業(yè)爾必達(dá)內(nèi)存公司(Elpida Memory Inc)可能在2010年本財(cái)年結(jié)束時(shí)實(shí)現(xiàn)開業(yè)三年來首次出現(xiàn)年度贏利。 　　爾必達(dá)內(nèi)存公司首席執(zhí)行官坂本幸雄(Yukio Sakamoto)宣稱：“由于今年全球電腦市場(chǎng)對(duì)內(nèi)存需求大于供給，我們也將在本財(cái)年結(jié)束時(shí)首次實(shí)現(xiàn)年度盈利。” 　　日本東京Ichiyoshi投資管理公司的總裁秋野充(Mitsushige Akino)宣稱：“盡管這種
  • 關(guān)鍵字： 爾必達(dá)  DRAM  內(nèi)存  

DDR2仍未過時(shí)，但DDR3 將是2010 年的搖錢大樹

  • 　　2009 年即將結(jié)束，DDR2 作為DRAM 市場(chǎng)之王的日子同樣所剩無幾。速度更快且功耗更低的DDR3 幾年前就已經(jīng)問世，iSuppli 公司認(rèn)為，它即將成為世界上最流行的內(nèi)存技術(shù)。 　　DDR2 還不算過時(shí)，而且未來一段時(shí)間之內(nèi)也不會(huì)過時(shí)，它的價(jià)格在過去數(shù)月大幅上漲。然而，DDR3 將是2010 年的搖錢大樹。 　　主要有兩個(gè)原因在推動(dòng)產(chǎn)業(yè)向DDR3 過渡：英特爾新款處理器和制造工藝的成熟。 　　新款英特爾處理器 　　促進(jìn)產(chǎn)業(yè)向DDR3 過渡的一個(gè)事實(shí)是，新款英特爾微處理器將需要DDR3 內(nèi)
  • 關(guān)鍵字： DRAM  DDR2  DDR3   

DDR2仍未過時(shí)，但DDR3 將是2010 年的搖錢大樹

  • 　　2009 年即將結(jié)束，DDR2 作為DRAM 市場(chǎng)之王的日子同樣所剩無幾。速度更快且功耗更低的DDR3 幾年前就已經(jīng)問世，iSuppli 公司認(rèn)為，它即將成為世界上最流行的內(nèi)存技術(shù)。 　　DDR2 還不算過時(shí)，而且未來一段時(shí)間之內(nèi)也不會(huì)過時(shí)，它的價(jià)格在過去數(shù)月大幅上漲。然而，DDR3 將是2010 年的搖錢大樹。 　　主要有兩個(gè)原因在推動(dòng)產(chǎn)業(yè)向DDR3 過渡：英特爾新款處理器和制造工藝的成熟。 　　新款英特爾處理器 　　促進(jìn)產(chǎn)業(yè)向DDR3 過渡的一個(gè)事實(shí)是，新款英特爾微處理器將需要DDR3 內(nèi)
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張忠謀：臺(tái)灣企業(yè)五年內(nèi)將面臨三大挑戰(zhàn)

  • 　　臺(tái)積電董事長(zhǎng)張忠謀日前表示，臺(tái)灣企業(yè)五年內(nèi)成本將面臨三大挑戰(zhàn)，包括美元弱勢(shì)引起的新臺(tái)幣匯率挑戰(zhàn)，石油等原物料價(jià)格上漲引發(fā)的通膨，還有減碳增加的環(huán)保稅負(fù)成本。 　　張忠謀只提到美元弱勢(shì)，并沒有說新臺(tái)幣有升值壓力，張忠謀認(rèn)為，全球經(jīng)濟(jì)都在復(fù)蘇中，復(fù)蘇力道緩慢，盡管景氣慢慢復(fù)蘇，但張忠謀認(rèn)為，企業(yè)近中程的三大挑戰(zhàn)相當(dāng)嚴(yán)峻，所謂近中程大概是五年內(nèi)，所以嚴(yán)峻因?yàn)槭沁^去兩年、甚至十年沒遇見過。 　　第一個(gè)挑戰(zhàn)是匯率。張忠謀說，臺(tái)灣過去20年沒有遭遇很大的匯率挑戰(zhàn)，但美元愈來愈弱，這會(huì)是一個(gè)趨勢(shì)，相對(duì)地新臺(tái)幣波
  • 關(guān)鍵字： 臺(tái)積電  芯片代工  DRAM  NAND  

12月上旬合約價(jià)DRAM持平　Flash下跌

  • 　　12月上旬的存儲(chǔ)器合約價(jià)格中，DRAM合約價(jià)意外持平開出，南亞科副總經(jīng)理白培霖表示，主要是個(gè)人計(jì)算機(jī)(PC)廠急單涌入之故;而 NAND Flash合約價(jià)格則反應(yīng)市場(chǎng)需求不佳，16Gb芯片價(jià)格下滑5~10%，32Gb芯片下跌2~6%，目前合約價(jià)格貼近現(xiàn)貨價(jià)格水平，下游存儲(chǔ)器業(yè)者都盡量減少庫存水位，以免營(yíng)運(yùn)被跌價(jià)的NAND Flash芯片庫存燙傷。 　　近期DRAM現(xiàn)貨價(jià)格持續(xù)反彈，1Gb容量DDR2價(jià)格從2美元反彈至2.5美元，屬于觸底反彈，然整個(gè)市場(chǎng)的交易量是相當(dāng)有限，反倒是原本各界預(yù)期12月上旬
  • 關(guān)鍵字： 南亞科  NAND  DRAM  

張忠謀：臺(tái)灣企業(yè)五年內(nèi)成本將面臨三大挑戰(zhàn)

  • 　　12月9日消息，臺(tái)積電董事長(zhǎng)張忠謀昨日表示，臺(tái)灣企業(yè)五年內(nèi)成本將面臨三大挑戰(zhàn)，包括美元弱勢(shì)引起的新臺(tái)幣匯率挑戰(zhàn)，石油等原物料價(jià)格上漲引發(fā)的通膨，還有減碳增加的環(huán)保稅負(fù)成本。 　　張忠謀只提到美元弱勢(shì)，并沒有說新臺(tái)幣有升值壓力，張忠謀認(rèn)為，全球經(jīng)濟(jì)都在復(fù)蘇中，復(fù)蘇力道緩慢，盡管景氣慢慢復(fù)蘇，但張忠謀認(rèn)為，企業(yè)近中程的三大挑戰(zhàn)相當(dāng)嚴(yán)峻，所謂近中程大概是五年內(nèi)，所以嚴(yán)峻因?yàn)槭沁^去兩年、甚至十年沒遇見過。 　　第一個(gè)挑戰(zhàn)是匯率。張忠謀說，臺(tái)灣過去20年沒有遭遇很大的匯率挑戰(zhàn)，但美元愈來愈弱，這會(huì)是一個(gè)趨勢(shì)
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爾必達(dá)與臺(tái)灣茂德簽DRAM代工 預(yù)計(jì)明年量產(chǎn)

  • 　　據(jù)臺(tái)灣經(jīng)濟(jì)日?qǐng)?bào)報(bào)道，日本記憶體晶片大廠爾必達(dá)與臺(tái)灣茂德、華邦結(jié)盟，市場(chǎng)揣測(cè)會(huì)趁勢(shì)入股茂德與華邦。爾必達(dá)社長(zhǎng)坂本幸雄昨日首度對(duì)入股茂德與華邦猜測(cè)松口表示：“目前沒有，但以后的事很難說。”強(qiáng)調(diào)爾必達(dá)會(huì)積極與臺(tái)灣DRAM廠“共同抗韓”的立場(chǎng)。 　　茂德董事長(zhǎng)陳民良透露，將引進(jìn)新的投資對(duì)象，目前潛在合作對(duì)象有四個(gè)集團(tuán)，但堅(jiān)決不透露是誰中選。 　　業(yè)內(nèi)揣測(cè)，有意入股或金援茂德者，可能是結(jié)盟的爾必達(dá)，或已是茂德大股東的聯(lián)電。另外，外傳旺宏有意買下茂德竹科8吋與1
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TIMC案觸礁　施顏祥提出3大處理原則

  • 　　在臺(tái)灣“立法院”受到空前阻力的「DRAM產(chǎn)業(yè)再造方案」幾乎確定無法過關(guān)之后，國(guó)發(fā)基金投資臺(tái)灣創(chuàng)新存儲(chǔ)器公司(TIMC)也面臨停擺。“經(jīng)濟(jì)部”長(zhǎng)施顏祥對(duì)此表示，“立法院”和社會(huì)各界對(duì)于國(guó)發(fā)基金投資TIMC有意見，“經(jīng)濟(jì)部”都聽到了。目前經(jīng)濟(jì)部對(duì)DRAM產(chǎn)業(yè)再造的僵局有3大處理原則，分別是調(diào)整 DRAM產(chǎn)業(yè)結(jié)構(gòu)、持續(xù)與立法委員溝通、思考新的替代方案。 　　施顏祥表示，臺(tái)灣每年支付DRAM技術(shù)母廠新臺(tái)幣200億
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爾必達(dá)蠶食臺(tái)12寸廠DRAM產(chǎn)能

  • 　　日系DRAM大廠爾必達(dá)(Elpida)社長(zhǎng)坂本幸雄再度訪臺(tái)，8日將與新策略聯(lián)盟伙伴茂德董事長(zhǎng)陳民良聯(lián)合召開記者會(huì)，說明雙方合作代工細(xì)節(jié)。由于坂本幸雄過去慣常與力晶合作亮相，這次換成茂德，變化過程頗耐人尋味，爾必達(dá)2009年以來除拉攏茂德合作DDR3代工，亦與華邦電展開繪圖存儲(chǔ)器(GDDR)代工合作，日廠在臺(tái)灣存儲(chǔ)器領(lǐng)域勢(shì)力越來越龐大，不論臺(tái)灣創(chuàng)新存儲(chǔ)器公司(TIMC)未來怎么走，爾必達(dá)可說是這場(chǎng)臺(tái)美日DRAM廠整并下的大贏家。 　　爾必達(dá)經(jīng)過2008年DRAM產(chǎn)業(yè)崩盤襲擊，2009年元?dú)庵饾u恢復(fù)后，
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中國(guó)臺(tái)灣芯片公司改變策略應(yīng)對(duì)市場(chǎng)下滑危機(jī)

  • 　　臺(tái)灣半導(dǎo)體生產(chǎn)商期望通過轉(zhuǎn)變策略來應(yīng)對(duì)電腦存儲(chǔ)芯片市場(chǎng)占有率下降帶來的挑戰(zhàn)，但此舉可能導(dǎo)致它們?nèi)P退出核心業(yè)務(wù)。 　　由于芯片行業(yè)從2007年起陷入有史以來最嚴(yán)重的滑坡，南亞科技及臺(tái)灣力晶半導(dǎo)體股份有限公司(簡(jiǎn)稱：力晶)等臺(tái)灣芯片行業(yè)的支柱公司已在虧損中掙扎了兩年多。盡管今年芯片價(jià)格出現(xiàn)反彈，但力晶和茂德科技(ProMOS Technologies Inc.)等公司仍處于貸款違約的邊緣。 　　與此同時(shí)，韓國(guó)和日本的競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手憑藉更先進(jìn)、成本更低的生產(chǎn)技術(shù)持續(xù)發(fā)展壯大。 　　為應(yīng)對(duì)上述局面，臺(tái)資公司
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三星每年提高一倍代工芯片產(chǎn)能 目標(biāo)直指臺(tái)積電

  • 　　據(jù)報(bào)道，為了更加快速的追趕臺(tái)積電，三星計(jì)劃將以后每年的代工芯片產(chǎn)能提高一倍直至達(dá)到臺(tái)積電的規(guī)模。 　　根據(jù)iSuppli的統(tǒng)計(jì)，去年全球芯片代工市場(chǎng)的產(chǎn)值為190億美元，而臺(tái)積電獨(dú)自占據(jù)了其中的100億美元。 　　三星是全球第二大芯片制造商，在DRAM內(nèi)存和NAND閃存市場(chǎng)處于領(lǐng)先地位，但是他們?cè)诖な袌?chǎng)的收入?yún)s只有可憐的幾億美元。三星發(fā)言人近日表示，三星已經(jīng)決定擴(kuò)大其代工產(chǎn)能，目標(biāo)直指臺(tái)積電。 　　三星目前在韓國(guó)器興(Giheung)有一座占地350英畝的晶圓廠，專門用于代工業(yè)務(wù)。三星一直強(qiáng)調(diào)
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DRAM廠資本支出競(jìng)賽　三星更勝臺(tái)廠一籌

  • 　　臺(tái)系DRAM廠開始規(guī)劃2010年資本支出，估計(jì)包括南亞科、華亞科、力晶和茂德4家DRAM廠2010年資本支出逾新臺(tái)幣700億元，且主要支出集中在臺(tái)塑集團(tuán)身上，臺(tái)DRAM廠似乎又生龍活虎起來，開始擴(kuò)大投資規(guī)模，然相較于三星電子(Samsung Electronics)2010年在存儲(chǔ)器領(lǐng)域資本支出至少30億美元來看，臺(tái)系4家DRAM廠合計(jì)資本支出仍遠(yuǎn)落后三星，未來三星不僅將穩(wěn)坐龍頭，且恐將再度侵蝕臺(tái)DRAM廠既有市占率。 　　三星是這一波DRAM產(chǎn)業(yè)海嘯大贏家，這波巨浪吹倒臺(tái)DRAM產(chǎn)業(yè)，亦讓美、日系
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臺(tái)“經(jīng)濟(jì)部”無力扭轉(zhuǎn)情勢(shì)　DRAM再造方案全面停擺

  • 　　根據(jù)政府官員表示，日前“立法院”經(jīng)濟(jì)委員會(huì)通過決議，要求行政院國(guó)發(fā)基金不得用于「DRAM產(chǎn)業(yè)再造計(jì)畫」一事，經(jīng)過“經(jīng)濟(jì)部”一再向立委溝通，確定未獲得立委同意，目前「DRAM產(chǎn)業(yè)再造方案」已面臨全面停擺的情況。 　　官員透露，在和爾必達(dá)(Elpida)談判的過程中，爾必達(dá)始終未承諾提出符合行政院所要求的相關(guān)承諾，恐怕讓“經(jīng)濟(jì)部”失去為臺(tái)灣創(chuàng)新存儲(chǔ)器公司(TIMC)繼續(xù)向“立法院”爭(zhēng)取國(guó)發(fā)基金挹注的重要立足點(diǎn)
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海力士CEO稱Win 7系統(tǒng)有助于DRAM行業(yè)

  • 　　據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道，全球第二大內(nèi)存制造商海力士半導(dǎo)體CEO周三表示，公司預(yù)計(jì)明年1至3月DRAM收入下滑將小于以往季度。 　　“過去在第一季度，DRAM收入會(huì)下滑20%，但我認(rèn)為在2010年首季不會(huì)出現(xiàn)這種幅度的下滑。”首席執(zhí)行官Kim Jong-Kap表示。 　　Kim稱，微軟新操作系統(tǒng)Windows 7推漲了個(gè)人電腦的需求。同時(shí)有利的因素還包括新興市場(chǎng)的需求增長(zhǎng)，以及趨緊的供貨。
  • 關(guān)鍵字： 海力士  DRAM  內(nèi)存制造  

三星擬明年投資60億美元擴(kuò)大芯片業(yè)務(wù)

  • 　　北京時(shí)間12月2日消息，據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道，《韓國(guó)先驅(qū)報(bào)》援引匿名消息人士的話報(bào)道稱，三星2010年計(jì)劃投資約7萬億韓元(約合60億美元)擴(kuò)大芯片業(yè)務(wù)。 　　消息稱，其中約5萬億韓元(約合43億美元)將用于擴(kuò)大DRAM芯片業(yè)務(wù)，2萬億(約合17億美元)韓元將用于擴(kuò)大NAND閃存和邏輯芯片業(yè)務(wù)。 　　三星2010年芯片投資將比2009年的4萬億韓元(約合34億美元)高75%。10月份發(fā)布第三季度財(cái)報(bào)時(shí)，三星曾表示明年芯片投資將超過5.5萬億韓元(約合47億美元)。
  • 關(guān)鍵字： 三星  NAND  邏輯芯片  DRAM  
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