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今年第二三季度DRAM內(nèi)存芯片業(yè)強(qiáng)勁復(fù)蘇

  • 　　市場研究公司iSuppli稱，今年第二、三季度DRAM內(nèi)存芯片銷售額和價格環(huán)比增幅創(chuàng)下過去5年來的最高記錄，這表明市場正在復(fù)蘇，這一趨勢將至少持續(xù)到明年。 　　據(jù)國外媒體報道稱，iSuppli發(fā)布的初步統(tǒng)計數(shù)字顯示，第三季度全球DRAM芯片銷售額環(huán)比增長了35%，第二季度環(huán)比增長了34%。iSuppli分析師邁克·霍華德發(fā)表聲明稱，這些數(shù)字表明DRAM市場確實在復(fù)蘇中，價格的持續(xù)增長是DRAM內(nèi)存芯片走出低迷的又一個跡象。 　　iSuppli表示，過去兩個季度終結(jié)了DRAM內(nèi)存芯片銷
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海力士半導(dǎo)體預(yù)期第四季DRAM價格上揚 明年市場趨緊

  • 　　韓國海力士半導(dǎo)體預(yù)估，動態(tài)隨機(jī)存取記憶體(DRAM)晶片市場將在第四季維持強(qiáng)勁，并指出合約價格可能在11月進(jìn)一步揚升，12月時趨穩(wěn)。 　　海力士公司主管在投資人電話會議中稱，由于產(chǎn)業(yè)供應(yīng)增長有限，2010年料出現(xiàn)DRAM短缺。 　　他們表示，低耗能的高速DDR3晶片將在明年第一季成為DRAM市場的主流。
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iSuppli：DRAM業(yè)復(fù)蘇 2010年可望延續(xù)

  • 　　研究機(jī)構(gòu)iSuppli表示，第2、第3季DRAM銷售額與價格連續(xù)增長的幅度，至少創(chuàng)下5年來之最。該機(jī)構(gòu)遂看好產(chǎn)業(yè)后市，2010年也將持續(xù)復(fù)蘇。 　　據(jù)國外媒體報道，根據(jù)iSuppli初步預(yù)測，第3季全球DRAM銷售額季增35%，第2季則增長34%;全球DRAM平均售價上漲21%，同樣超越第2季增幅的19%。 　　iSuppli表示，就全年銷售額來看，全球DRAM市場自2007年起連續(xù)衰退后，今年雖有第2、第3季的支撐，但由于首季表現(xiàn)太差，2009全年仍將下滑12.9%。 　　2007年全球DRA
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內(nèi)存市場價量普漲，存儲廠商轉(zhuǎn)虧為盈

  • 　　最近幾個月來，DRAM價格連連上漲，同時也拉升了NAND Flash顆粒的價格。各大晶圓廠和模組廠也都連連傳出利好消息。雖然各大內(nèi)存廠商的產(chǎn)品訂單和資金流相較2009年年初的金融海嘯時期已經(jīng)有較大起色，但是這內(nèi)存的價格上漲也波及到了電子賣場中的零售價格。那么究竟現(xiàn)在的內(nèi)存產(chǎn)品是怎樣的一個局面呢，下面小編就給大家來個深度分析，給你講講這里面的道道。 　　9月DRAM價格猛增13% Flash亦漲4% 　　9月的1Gbit DDR2 DRAM的平均報價約為 1.70 美元，較上個月多出了近 13%。D
  • 關(guān)鍵字： NAND  DRAM  內(nèi)存  存儲  

北卡羅萊納州立大學(xué)開發(fā)出1TB小型內(nèi)存技術(shù)

  • 　　北卡羅萊納州立大學(xué)的工程師聲稱已經(jīng)開發(fā)出一種比人的指甲還要小的芯片，它可以加大目前DRAM內(nèi)存芯片的容量50倍，理論上可以實現(xiàn)一個指甲大小的芯片寸1TB數(shù)據(jù)。 　　學(xué)校的材料科學(xué)與工程系教授Jagdish Narayan表示他通過添加鎳、氧化鎂，混合金屬和陶瓷來完成了數(shù)據(jù)存儲容量的改變，新的合金鎳原子占用空間不到10平方納米，最困難的挑戰(zhàn)就是精確的納米點和讀取方式，目前通過使用脈沖層，研究人員就能夠?qū)崿F(xiàn)對過程的控制。 　　Jagdish Narayan認(rèn)為，原型產(chǎn)品可在1-2年出現(xiàn)，而且價格并不比
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南亞科、華亞科沖刺50納米　明年資本支出逾600億新臺幣

  • 　　臺塑集團(tuán)旗下DRAM廠南亞科和華亞科2009年第3季虧損均大幅縮小，并紛摩拳擦掌準(zhǔn)備沖刺先進(jìn)制程，其中，南亞科10月中已全數(shù)轉(zhuǎn)換至 68納米制程，首批50納米產(chǎn)品已試產(chǎn)成功，目標(biāo)2010年第2季全數(shù)轉(zhuǎn)至50納米制程，屆時將全數(shù)出貨2Gb DDR3芯片，趕搭DDR3主流列車;華亞科則預(yù)計2010年第1季50納米制程量產(chǎn)，2010年底旗下13萬片12寸晶圓廠產(chǎn)能全轉(zhuǎn)至50納米制程，南亞科和華亞科2010年資本支出合計將達(dá)640億元，主要用于50納米制程。 　　南亞科和華亞科第3季營運表現(xiàn)明顯好轉(zhuǎn)，對于先
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南亞科2010年DRAM產(chǎn)業(yè)可望回到1995年榮景

  • 　　隨著DRAM價格開始反彈，南亞科和華亞科財報虧損金額大幅減少，南亞科發(fā)言人白培霖指出，11月DRAM合約價可持續(xù)成長，更看好PC市場因為Vista因素，累計整整3年未換機(jī)的能量，加上近2年DRAM產(chǎn)業(yè)都沒有新產(chǎn)能開出，將在2010年出現(xiàn)供不應(yīng)求的情況，甚至重演1995年DRAM產(chǎn)業(yè)的黃金年代，當(dāng)時1年的DRAM產(chǎn)值超過400億美元，達(dá)到史上最高紀(jì)錄。 　　白培霖指出，2009年DRAM合約價從8月開始，每個月以成長20%的速度往上調(diào)，11月DRAM合約價可持續(xù)成長近2個月DDR3幾乎是持平，主要漲幅
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力晶成立TFC 拋出NAND Flash深水炸彈規(guī)劃投入200億元

  • 　　“經(jīng)濟(jì)部”「DRAM產(chǎn)業(yè)再造計畫」20日最后截止日期，卻出現(xiàn)戲劇性變化!臺塑集團(tuán)旗下南亞科和華亞科宣布不送件，形同退出這次計畫;而力晶更是突然宣布成立TFC(Taiwan Flash Company)，并將這次臺灣存儲器產(chǎn)業(yè)整合規(guī)模推升到NAND Flash格局，反將了臺灣創(chuàng)新存儲器公司(TIMC)一軍。力晶董事長黃崇仁表示，2010年將投入40奈米制程量產(chǎn)NAND Flash，且100%為自有技術(shù)，比任何同業(yè)都符合“經(jīng)濟(jì)部”所要求技術(shù)扎根條件，未來力晶
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臺DRAM產(chǎn)業(yè)再造方案錯良機(jī)？ 要求“經(jīng)濟(jì)部”退場聲浪大

  • 　　10月20日是臺“經(jīng)濟(jì)部”「DRAM產(chǎn)業(yè)再造方案」送件的最后期限。立法院經(jīng)濟(jì)委員會關(guān)切DRAM前途的立委19日幾乎一致要求，在政府國發(fā)基金還未投資之前，“經(jīng)濟(jì)部”的DRAM產(chǎn)業(yè)再造方案應(yīng)趕快煞車，或「下車」、「了斷」。 　　“經(jīng)濟(jì)部”「DRAM產(chǎn)業(yè)再造方案」迄今只有聯(lián)電榮譽董事長宣明智主導(dǎo)的臺灣創(chuàng)新存儲器公司(TIMC)，以整合爾必達(dá)(Elpida)、茂德的營運計畫書送至“經(jīng)濟(jì)部”，外傳整合華邦電失利的南
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明年2Q晶圓代工產(chǎn)能供不應(yīng)求？ 需求增加然擴(kuò)產(chǎn)無門

  • 　　晶圓代工產(chǎn)能吃緊?這句話若在6個月前說出，肯定會笑掉人家大牙，不過面對2009年第4季臺系2大晶圓代工廠產(chǎn)能利用率仍近90%，加上設(shè)備供應(yīng)商2008年底、2009年初停掉的生產(chǎn)線無法有效恢復(fù)，而臺積電又包下不少新增機(jī)臺訂單后，在全球晶圓代工產(chǎn)能2010年的開出速度及幅度肯定不若預(yù)期下，2010年第2季晶圓代工產(chǎn)能會吃緊，已是有跡可尋。 　　從 2009年第1季全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)景氣觸底以來，我們已聽過太多生產(chǎn)線開工不及，產(chǎn)線良率拉高不順，產(chǎn)能開出不若預(yù)期的消息，如TFT面板廠、DRAM廠生產(chǎn)完全停工，臺
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華邦電退出　臺塑集團(tuán)DRAM整合計劃書難產(chǎn)

  • 　　臺塑集團(tuán)旗下DRAM廠南亞科和華亞科的DRAM整合策略再度大轉(zhuǎn)彎，從原本堅持一定要送件，以爭取與臺灣創(chuàng)新存儲器公司(TIMC)同等待遇的補助款，19日改口考慮不一定會送件;業(yè)者透露，原本臺塑在計劃書中提議要整合的對象為華邦電，但華邦電卻表示無意參與這次的整合，讓臺塑內(nèi)部相當(dāng)頭痛，于是提出腹案，考慮不提計劃書，而改采訴諸媒體公論方式瓦解TIMC。 　　這次“經(jīng)濟(jì)部”提出的「DRAM產(chǎn)業(yè)再造方案」，目前僅有TIMC提出申請計劃，外界相當(dāng)期待臺塑集團(tuán)加入申請補助行列，隨著最后申請截
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DRAM報價高檔不墜　爾必達(dá)8季以來首次獲利

  • 　　日系DRAM大廠爾必達(dá)(Elpida) 2010會計年度第2季(7~9月)出現(xiàn)連虧8季以來的首度由虧轉(zhuǎn)盈，營收960億日圓(約10.66億美元)，營業(yè)利益5億日圓，加上日前1Gb容量 DDR2價格沖上2.5美元價位， DRAM廠營運狀況大幅轉(zhuǎn)好，更開始進(jìn)入獲利狀態(tài)。業(yè)界預(yù)估，如果DRAM價格2美元以上的水平可以再維持1季，爾必達(dá)即不需要獲得日本政府基金的補助款，屆時美光向美國WTO告狀一事，也不會成為困擾。2009年爾必達(dá)打算跳過50奈米制程，直接投資40奈米制程生產(chǎn)線，成本大幅降低，可正式與三星電子
  • 關(guān)鍵字： Samsung  DRAM  DDR2  

內(nèi)存瘋閃存噴 存儲業(yè)界漲勢深度分析

  • 　　9月DRAM價格猛增13% Flash亦漲4% 　　最近幾個月來，DRAM價格連連上漲，同時也拉升了NAND Flash顆粒的價格。各大晶圓廠和模組廠也都連連傳出利好消息。雖然各大內(nèi)存廠商的產(chǎn)品訂單和資金流相較2009年年初的金融海嘯時期已經(jīng)有較大起色，但是這內(nèi)存的價格上漲也波及到了電子賣場中的零售價格。那么究竟現(xiàn)在的內(nèi)存產(chǎn)品是怎樣的一個局面呢，下面小編就給大家來個深度分析，給你講講這里面的道道。 　　9 月的1Gbit DDR2 DRAM的平均報價約為 1.70 美元，較上個月多出了近 13%。
  • 關(guān)鍵字： 內(nèi)存  DRAM  40納米  

DRAM價格再攻新高點！ 力晶想為瑞晶贖身

  • 　　日系DRAM制造大廠爾必達(dá)(Elpida Memory)取得瑞晶70%以上主導(dǎo)權(quán)，讓瑞晶成為名符其實的日系公司，惟存儲器業(yè)者透露，當(dāng)初力晶因為債務(wù)問題，將瑞晶持股賣給爾必達(dá)時，設(shè)下「買回期限」，在期限內(nèi)有權(quán)再將瑞晶持股買回，因此近期力晶計劃向爾必達(dá)提出買回瑞晶的持股，惟一切問題都卡在錢關(guān)，力晶營運開始有現(xiàn)金流入后，將手上資金大力放在增加產(chǎn)能用途，加上2010年初到期的ECB要償還，力晶是否可在「買回期限」籌到錢為瑞晶贖身，市場相當(dāng)關(guān)切。 　　隨著DDR2價格大漲，力晶營運度過最艱難的時期，每月開始有
  • 關(guān)鍵字： 爾必達(dá)  DRAM  DDR2  

爾必達(dá)將提高瑞晶電子持股比率超過7成

  • 　　根據(jù)日經(jīng)新聞(Nikkei)報導(dǎo)，日本半導(dǎo)體大廠爾必達(dá) (Elpida Memory)為強(qiáng)化在臺灣的生產(chǎn)體系，除了2009年將提高合資企業(yè)瑞晶電子的持股比率超過7成之外，也正研議是否于臺灣設(shè)立第1個海外研究開發(fā)據(jù)點。爾必達(dá)計劃與臺灣DRAM廠合作，重建事業(yè)版圖，并考量加強(qiáng)對瑞晶電子的影響力以獲取日臺合資的主導(dǎo)權(quán)。 　　瑞晶電子是爾必達(dá)與臺灣力晶半導(dǎo)體于2007年合資成立，當(dāng)時爾必達(dá)出資52%，擁有12寸晶圓廠的制造設(shè)備，每月產(chǎn)能可達(dá)7.5萬片，主要生產(chǎn)一般PC所使用的DRAM。
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