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ASML：客戶下單增溫　微顯影設(shè)備2010年成長(zhǎng)30%

  • 　　半導(dǎo)體市場(chǎng)回溫，ASML市場(chǎng)智庫(kù)總監(jiān)Antonio Mesquida Küsters表示，客戶對(duì)設(shè)備下單需求增溫，他引用研究機(jī)構(gòu)預(yù)測(cè)，2010年半導(dǎo)體微顯影設(shè)備可望成長(zhǎng)30%至少達(dá)到40億歐元。尤其晶圓代工領(lǐng)域，經(jīng)過(guò)18個(gè)月的壓低資本支出，現(xiàn)在業(yè)者更積極投資擴(kuò)充產(chǎn)能，他個(gè)人亦樂(lè)見(jiàn)臺(tái)積電積極擴(kuò)充產(chǎn)能，滿足客戶投單需求的做法。 　　Küsters表示，2008 年是變動(dòng)相當(dāng)劇烈的一年，回顧2007年時(shí)研究機(jī)構(gòu)還對(duì)2008年奧運(yùn)所帶來(lái)的商機(jī)相當(dāng)樂(lè)觀，孰料DRAM價(jià)格快速崩落約65%，緊
  • 關(guān)鍵字： ASML  DRAM  晶圓代工  

爭(zhēng)議不斷的TMC政策是該檢討了

  • 　　在金融海嘯、全球經(jīng)濟(jì)不景氣期間，由劉內(nèi)閣所推出的半導(dǎo)體業(yè)整并計(jì)劃，最近又出現(xiàn)了新的變化。由于當(dāng)局規(guī)劃整合的TMC公司選擇與日商爾必達(dá)合作，引起美商美光公司不悅，狀告美國(guó)參議員，聲言這是不公平競(jìng)爭(zhēng)，將要求美國(guó)政府貿(mào)易干預(yù)。如果此事成真，則政府投資的經(jīng)費(fèi)將如泥牛入海，全無(wú)投資報(bào)酬可言。消息傳出后，不但爾必達(dá)在日本股價(jià)大跌，我們的半導(dǎo)體整并案也陷入極大的不確定性，使?jié)撛谕顿Y者與政府都忐忑不安，前景堪慮。 　　對(duì)于美光公司的指控，“經(jīng)濟(jì)部”官員雖然提出答辯，但內(nèi)容顯然不夠完整。工業(yè)局
  • 關(guān)鍵字： TMC  DRAM  

宣明智：TIMC營(yíng)運(yùn)計(jì)畫(huà)不變　朝利基型市場(chǎng)挺進(jìn)

  • 　　TIMC成立至今尚未正式獲得政府的資金挹注，然美光(Micron)透過(guò)美國(guó)政府和WTO施壓，引發(fā)外界認(rèn)為TIMC投資爾必達(dá) (Elpida)的計(jì)畫(huà)是否會(huì)生變?宣明智5日認(rèn)為，此事與TIMC成立規(guī)畫(huà)和投資爾必達(dá)的計(jì)畫(huà)之間沒(méi)有關(guān)連性，不明白外界為何會(huì)如此聯(lián)想，同時(shí)TIMC營(yíng)運(yùn)的概況并不會(huì)受到影響。而工業(yè)局在上周也公開(kāi)力挺表示，TIMC投資爾必達(dá)將有助深化雙方合作，對(duì)于政府推動(dòng)DRAM技術(shù)扎根的策略，相當(dāng)有助益，即使未來(lái)TIMC投資爾必達(dá)，并無(wú)違反 WTO公平競(jìng)爭(zhēng)的原則。 　　由宣明智領(lǐng)軍的TIMC雖然已
  • 關(guān)鍵字： TIMC  DRAM  存儲(chǔ)器  

DRAM：全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的推動(dòng)力

  • 　　歷史發(fā)展 　　自從1971年Intel公司研發(fā)出lKB的DRAM，距今已近40年，從此開(kāi)創(chuàng)了DRAM的歷史。DRAM不僅推進(jìn)了電子技術(shù)的前進(jìn)，而且對(duì)各國(guó)半導(dǎo)體業(yè)的發(fā)展也發(fā)揮了舉足輕重、無(wú)可取代的巨大作用。 　　眾所周知，進(jìn)入上世紀(jì)80年代，隨著大型計(jì)算機(jī)市場(chǎng)擴(kuò)大，DRAM需求巨增。由于當(dāng)時(shí)DRAM技術(shù)要求較低，其特點(diǎn)是量大面廣，勝負(fù)在于大規(guī)模生產(chǎn)技術(shù)，而這正是日本公司的強(qiáng)項(xiàng)。因而盡管日本在LSI(大規(guī)模集成電路)DRAM時(shí)代還落后于美國(guó)兩年，但在“官產(chǎn)學(xué)”舉國(guó)一致的努力下，
  • 關(guān)鍵字： Intel  DRAM  VLSI  LSI  200910  

美政府承諾就半導(dǎo)體補(bǔ)貼政策向日本和中國(guó)施壓

  • 　　據(jù)國(guó)外媒體今日?qǐng)?bào)道，在美國(guó)閃存芯片廠商美光科技提出投訴后，美國(guó)政府承諾就日本最大電腦閃存廠商必爾達(dá)的補(bǔ)貼問(wèn)題向日本和中國(guó)臺(tái)灣施加壓力。 　　美國(guó)貿(mào)易代表榮·基克(Ron Kirk)向愛(ài)達(dá)荷州共和黨參議員邁克·卡拉普(Mike Crapo)致函，承諾會(huì)通過(guò)世界貿(mào)易組織以及單獨(dú)會(huì)晤擁有半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的國(guó)家，要求日本和中國(guó)臺(tái)灣就補(bǔ)貼問(wèn)題提供更多信息。愛(ài)達(dá)荷州是美光科技的總部所在地。 　　基克在這封9月24日的信件中表示：“我們理解這個(gè)問(wèn)題對(duì)你和對(duì)美國(guó)DRAM芯片制造商
  • 關(guān)鍵字： 美光  DRAM  閃存芯片  

溫度自適應(yīng)性DRAM刷新時(shí)鐘電路

  • 動(dòng)態(tài)存儲(chǔ)器(DRAM)需要通過(guò)刷新來(lái)保持內(nèi)部的數(shù)據(jù)。為降低存儲(chǔ)器刷新過(guò)程的電路功耗，設(shè)計(jì)一種具有溫度自適應(yīng)特性的刷新控制電路。根據(jù)二極管的電流在閾值電壓附近的溫度特性，利用電容充放電的結(jié)構(gòu)，提出一種具有溫度自適應(yīng)特性的刷新時(shí)鐘電路，使存儲(chǔ)器刷新頻率隨電路溫度變化而變化，其趨勢(shì)符合動(dòng)態(tài)存儲(chǔ)器的刷新要求。仿真實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明，新的電路在保證DRAM信息得到及時(shí)刷新的前提下，有效地降低了其刷新過(guò)程中的功耗。
  • 關(guān)鍵字： DRAM  溫度  時(shí)鐘電路    

茂德努力與爾必達(dá)、臺(tái)灣創(chuàng)新內(nèi)存合作

  • 　　美林證券最新出爐的報(bào)告，茂德股價(jià)慘跌，技術(shù)遲遲沒(méi)有更新，目前正致力于重整，管理高層表示，內(nèi)部將研發(fā)72納米的技術(shù)來(lái)制作 1GB，采用日本內(nèi)存芯片大廠爾必達(dá)(Elpida) 65納米的技術(shù)，但是這項(xiàng)協(xié)議還在洽談之中，目前正在看臺(tái)灣創(chuàng)新內(nèi)存公司(TIMC)合作行動(dòng)內(nèi)存(Mobile DRAM) ，以充足資本額。 　　美林證券預(yù)期，茂德今年第4季的營(yíng)業(yè)利益率為負(fù)141%，關(guān)鍵是技術(shù)缺乏競(jìng)爭(zhēng)力，而且晶圓的產(chǎn)能利用率低于 40%，給予“表現(xiàn)低于大盤(pán)”評(píng)等，目標(biāo)價(jià)降低19%，從 1.05
  • 關(guān)鍵字： 爾必達(dá)  65納米  DRAM  

臺(tái)DRAM廠復(fù)活賽　瑞晶、華亞科跑最快

  • 　　隨著DRAM價(jià)格自谷底翻揚(yáng)，原本哀鴻遍野的DRAM廠傳出轉(zhuǎn)虧為盈好消息，具臺(tái)系色彩的瑞晶將搶下頭香，率先于9月開(kāi)始小幅獲利，第3季可望損益兩平，華亞科則有機(jī)會(huì)接棒，估計(jì)營(yíng)收只要站上40億元大關(guān)，便可跨越損益平衡點(diǎn)、順利轉(zhuǎn)虧為盈。目前除瑞晶和華亞科外，包括茂德、力晶都已現(xiàn)金凈流入，南亞科自有產(chǎn)能亦開(kāi)始有現(xiàn)金流入，臺(tái)系DRAM廠逐漸走出悲情、迎向春天。 　　相較于三星電子(Samsung Electronics)和海力士(Hynix)50奈米制程紛已開(kāi)始量產(chǎn)，臺(tái)系DRAM廠仍停留在70奈米制程，由于臺(tái)、
  • 關(guān)鍵字： Hynix  50納米  DRAM  

美國(guó)承諾介入海外芯片廠商補(bǔ)貼問(wèn)題

  • 　　據(jù)國(guó)外媒體今日?qǐng)?bào)道，在美國(guó)閃存芯片廠商美光科技提出投訴后，美國(guó)政府承諾就日本最大電腦閃存廠商必爾達(dá)的補(bǔ)貼問(wèn)題向日本和中國(guó)臺(tái)灣施加壓力。 　　美國(guó)貿(mào)易代表榮·基克(Ron Kirk)向愛(ài)達(dá)荷州共和黨參議員邁克·卡拉普(Mike Crapo)致函，承諾會(huì)通過(guò)世界貿(mào)易組織以及單獨(dú)會(huì)晤擁有半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的國(guó)家，要求日本和中國(guó)臺(tái)灣就補(bǔ)貼問(wèn)題提供更多信息。愛(ài)達(dá)荷州是美光科技的總部所在地。 　　基克在這封9月24日的信件中表示：“我們理解這個(gè)問(wèn)題對(duì)你和對(duì)美國(guó)DRAM芯片制造商
  • 關(guān)鍵字： 閃存芯片  DRAM  

臺(tái)灣DRAM產(chǎn)業(yè)發(fā)展的轉(zhuǎn)折點(diǎn)

  • 由于DRAM產(chǎn)業(yè)過(guò)度擴(kuò)產(chǎn)，加上金融風(fēng)暴的襲擊，2008年全球DRAM產(chǎn)業(yè)面臨最大規(guī)模的衰退，全球廠商無(wú)一幸免，德國(guó)業(yè)者Qimonda更因此宣告破產(chǎn)。鑒于半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)對(duì)于電子產(chǎn)業(yè)發(fā)展的關(guān)鍵及關(guān)聯(lián)性，以及產(chǎn)業(yè)崩盤(pán)可能衍生的問(wèn)題，近來(lái)引發(fā)不同立場(chǎng)的討論，救與不救，正反意見(jiàn)相互沖擊
  • 關(guān)鍵字： DRAM  電子產(chǎn)業(yè)  

Uni-chem收購(gòu)Hynix美國(guó)DRAM廠 轉(zhuǎn)產(chǎn)太陽(yáng)能電池

  • 　　南韓皮革供貨商Uni-chem Co. 26日在接受專訪時(shí)表示，該公司將斥資5,000萬(wàn)美元買下南韓內(nèi)存芯片大廠Hynix Semiconductor Inc.位于美國(guó)奧勒岡州猶吉尼市已停止運(yùn)作的DRAM廠。根據(jù)報(bào)導(dǎo)，Uni-chem計(jì)劃利用該座廠房生產(chǎn)太陽(yáng)能電池，以便開(kāi)拓新事業(yè)。Uni-chem主要供應(yīng)皮革給現(xiàn)代汽車、起亞汽車以及Burberry、Coach等豪華精品商。 　　根據(jù)報(bào)導(dǎo)，Uni-chem甫于2009年8月收購(gòu)太陽(yáng)能電池企業(yè)Spire Corp.子公司Spire Solar Syst
  • 關(guān)鍵字： Hynix  DRAM  晶圓  

英特爾：為產(chǎn)業(yè)融合而重組

  • 　　英特爾在2005年1月17日重組的4年之后，于2009年9月14日再次對(duì)其組織架構(gòu)大刀闊斧地進(jìn)行了重組。 　　坊間著實(shí)對(duì)此熱議了一陣。從這些文章的標(biāo)題看，有就事論事說(shuō)主要產(chǎn)品部門整合到英特爾架構(gòu)事業(yè)部的，也有說(shuō)重組是為了給CEO歐德寧騰出時(shí)間專注企業(yè)戰(zhàn)略的，還有說(shuō)是因?yàn)橹袊?guó)讀者熟悉的基辛格離職去了EMC的，而筆者發(fā)現(xiàn)最多而又最離譜的文章標(biāo)題是《英特爾重組 為物色CEO接班人做準(zhǔn)備》。 　　西方現(xiàn)代管理制度強(qiáng)調(diào)的是因事用人，而因人設(shè)事最為忌諱。事實(shí)上，英特爾自創(chuàng)始以來(lái)，從諾伊斯到摩爾再到貝瑞特直到現(xiàn)
  • 關(guān)鍵字： 英特爾  CPU  存儲(chǔ)器  DRAM  

三星DRAM芯片停止對(duì)臺(tái)供貨

  • 　　三星電子(Samsung Electronics)2009年隨著新經(jīng)營(yíng)團(tuán)隊(duì)上任，營(yíng)運(yùn)策略出現(xiàn)不少重大轉(zhuǎn)變，將影響存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)生態(tài)，三星日前決定全面停止對(duì)臺(tái)銷售DRAM芯片，一律只銷售DRAM模塊。存儲(chǔ)器廠表示，三星策略明顯側(cè)重OEM市場(chǎng)，減少與現(xiàn)貨客戶合作，就連NAND Flash芯片供貨策略，亦同樣以消費(fèi)性電子大廠為優(yōu)先，尤其近期PC廠對(duì)于DRAM模塊需求強(qiáng)勁，三星供應(yīng)臺(tái)灣DRAM模塊數(shù)量大減，市場(chǎng)日前甚至喊出 1條DDR2模塊40美元天價(jià)。 　　存儲(chǔ)器業(yè)者指出，三星2009年在全球供貨策略出現(xiàn)許多
  • 關(guān)鍵字： Samsung  DRAM  NAND  

TMC爭(zhēng)取政府注資 低于百億新臺(tái)幣

  • 　　臺(tái)灣創(chuàng)新內(nèi)存公司(TMC)召集人宣明智28日再度前往“經(jīng)濟(jì)部”，與新任“經(jīng)濟(jì)部”長(zhǎng)施顏祥見(jiàn)面，爭(zhēng)取TMC營(yíng)運(yùn)資金。據(jù)了解，TMC規(guī)劃，政府注資金額低于100億元(新臺(tái)幣，下同)，由于金額遠(yuǎn)低于官方與業(yè)界原預(yù)期，一般認(rèn)為TMC將可如愿獲得政府注資，正式邁入營(yíng)運(yùn)。 　　DRAM現(xiàn)貨價(jià)直逼2美元，DRAM廠即將邁入轉(zhuǎn)盈之際，TMC仍然積極運(yùn)作。施顏祥先前擔(dān)任經(jīng)濟(jì)部常務(wù)次長(zhǎng)時(shí)，便負(fù)責(zé)協(xié)助TMC籌劃與溝通等重要工作，與宣明智互動(dòng)密切。這是施顏祥就任“
  • 關(guān)鍵字： TMC  DRAM  

制程差距擴(kuò)大 臺(tái)灣DRAM廠隱憂

  • 　　臺(tái)灣DRAM大廠南科宣布8億股現(xiàn)金增資計(jì)劃，預(yù)計(jì)籌措100億元以上資金，全數(shù)投入50納米制程，以及償還公司債，盡管DRAM現(xiàn)貨價(jià)格已站上每顆2美元，時(shí)間點(diǎn)來(lái)得比預(yù)期早，國(guó)內(nèi)DRAM廠暫時(shí)度過(guò)最艱困的時(shí)刻，但三星半導(dǎo)體將在明年把40納米推升為生產(chǎn)線主力，成本大幅降低的優(yōu)勢(shì)，勢(shì)必更加顯著，臺(tái)廠與國(guó)外一線大廠的苦戰(zhàn)還是難免。 　　由于DDR2過(guò)渡至DDR3面臨產(chǎn)能轉(zhuǎn)換的瓶頸期，導(dǎo)致DDR3產(chǎn)能不足，進(jìn)一步拉抬DDR2價(jià)格，原本內(nèi)存模塊廠預(yù)測(cè)，今年第四季底，DDR2現(xiàn)貨價(jià)才有機(jī)會(huì)達(dá)到2美元，但根據(jù)集邦科技報(bào)
  • 關(guān)鍵字： 南科  50納米  40納米  DRAM  
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1β dram介紹

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