10nm 文章進(jìn)入10nm 技術(shù)社區(qū)

臺(tái)積電：不用等7nm，10nm我們就超越英特爾

　　以晶圓代工起家的臺(tái)積電稍早前發(fā)布消息稱，公司將在2017年量產(chǎn)10nm芯片，公司聯(lián)席CEO劉德音近日又在公司會(huì)議宣布7nm芯片的生產(chǎn)將在2018年啟動(dòng)。公司董事長顧問蔣尚義對(duì)此解釋，臺(tái)積電目標(biāo)就是要超越英特爾，成為全球技術(shù)最先進(jìn)的芯片制造商。　　近年來半導(dǎo)體業(yè)出現(xiàn)了一系列并購案，包括英特爾合并全球可程式邏輯晶片大廠之一Altera，英特爾并以15億美元投資手機(jī)晶片大廠展訊母公司清華紫光，持股比達(dá)20%。Altera和展訊均為臺(tái)積電先進(jìn)制程的主要客戶，如今被英特爾并購和入股，按照英特爾“
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三星10nm 拚明年底量產(chǎn)

　　半導(dǎo)體市場第2季需求明顯趨緩，但國際半導(dǎo)體設(shè)備材料產(chǎn)業(yè)協(xié)會(huì)(SEMI)公布2015年4月份北美半導(dǎo)體設(shè)備訂單及出貨金額，卻同步攀上近3年新高，其中有2個(gè)主要原因，一是記憶體廠力拚20奈米DRAM制程微縮及3D NAND擴(kuò)產(chǎn);二是晶圓代工廠10奈米制程競賽正式開打。　　臺(tái)積電16奈米鰭式場效電晶體(FinFET)制程已進(jìn)入量產(chǎn)階段，雖然進(jìn)度上落后三星14奈米FinFET制程，但臺(tái)積電信心滿滿，認(rèn)為第3季產(chǎn)能快速拉升后，明年將可奪回14/16奈米FinFET制程市場占有率，且加計(jì)20奈米的市占率將在
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10nm制程技術(shù)穩(wěn)定 Intel新處理器順利推出

　　稍早宣布更新的15寸MacBook Pro with Retina Display，確定仍維持使用Intel Haswell平臺(tái)的第四代Core i7系列處理器，顯示Intel確定選擇在Computex 2015期間正式解禁高效能表現(xiàn)的Broadwell平臺(tái)H系列處理器，以及兩款高階桌機(jī)版處理器。　　另外就先前消息顯示，Intel預(yù)期在今年下半年于美國IDF 2015期間揭曉采用14nm制程技術(shù)生產(chǎn)的Skylake平臺(tái)處理器，分別將推出S系列、Y系列、U系列，以及H系列規(guī)格，藉此讓新款處理器能在2
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推進(jìn)10nm制程 ARM擬提前揭曉新核心架構(gòu)

完全沒看出來ARM要往服務(wù)企業(yè)領(lǐng)域發(fā)展，還是在繼續(xù)強(qiáng)化移動(dòng)設(shè)備領(lǐng)域，聽說ARM表示有相當(dāng)信心維持領(lǐng)先地位同時(shí)也認(rèn)為Intel即便加速追趕也無法造成明顯威脅。
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臺(tái)積電10nm報(bào)喜 2020年?duì)I收占比將達(dá)55%

　　分享外資透露，臺(tái)積電共同執(zhí)行長劉德音18日在美林論壇專題演講中指出，物聯(lián)網(wǎng)將是繼移動(dòng)設(shè)備之后，半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的成長新機(jī)會(huì)。臺(tái)積電先進(jìn)制程也捎來喜訊，劉德音預(yù)估，2020年時(shí)10納米制程占臺(tái)積電總營收比重將達(dá)55%。　　業(yè)界認(rèn)為，物聯(lián)網(wǎng)商機(jī)龐大，估計(jì)至2020年時(shí)，可創(chuàng)造約500億顆芯片需求，臺(tái)積電身為全球晶圓代工龍頭，在物聯(lián)網(wǎng)應(yīng)用的成熟制程已取得制高點(diǎn)位置，加上臺(tái)積電10納米先進(jìn)制程可望成為2020年?duì)I收主力，追趕英特爾，在成熟與先進(jìn)制程同步大躍進(jìn)帶動(dòng)下，臺(tái)積電后市看俏。　　劉德音受邀在美林論壇以
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臺(tái)積電10nm訂單傳出好消息趕超英特爾？

　　外資圈17日傳出，因臺(tái)積電10納米制程技術(shù)大幅提升，先前在14納米制程琵琶別抱英特爾的阿爾特拉(Altera)，將在臺(tái)積電與英特爾中擇一作為10納米合作伙伴。外資法人認(rèn)為，阿爾特拉訂單若重回臺(tái)積電懷抱，將是繼去年拿下蘋果A8訂單后的另一項(xiàng)利多題材，投資價(jià)值將進(jìn)一步攀升。　　　　臺(tái)積電各制程成本節(jié)省幅度　　外資回頭買超臺(tái)積電　　受此利多消息，外資昨天又回頭買超臺(tái)積電8，139張，暫時(shí)化解“賣臺(tái)積電、轉(zhuǎn)買三星”的潛在危機(jī)，臺(tái)積電昨天以2.05%漲
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10nm級(jí)移動(dòng)應(yīng)用處理器戰(zhàn)火一觸即發(fā)

　　10納米級(jí)移動(dòng)應(yīng)用處理器(AP)戰(zhàn)火一觸即發(fā)，據(jù)傳英特爾(Intel)繼三星電子 (Samsung Electronics)之后，2015年將推出14納米移動(dòng)AP Cherry Trail，英特爾與三星電子的移動(dòng)AP之爭，勢(shì)將對(duì)業(yè)界龍頭高通(Qualcomm)產(chǎn)生威脅。　　據(jù)Digital Times報(bào)導(dǎo)，日前業(yè)界傳出消息，指出繼應(yīng)用14納米制程技術(shù)的Broadwell中央處理器(CPU)后，2015年內(nèi)英特爾將再推移動(dòng)AP Cherry Trail，目前已開始為制造商供貨，預(yù)定將在2015年中旬
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臺(tái)積電預(yù)計(jì)2017年量產(chǎn)10nm 追上英特爾

　　晶圓代工龍頭臺(tái)積電(TSMC)透露該公司將在2017年開始量產(chǎn)10納米制程，屆時(shí)將能與英特爾(Intel)并駕齊驅(qū);“我們的10納米制程性能表現(xiàn)，包括速度、功率與密度，將會(huì)與我們認(rèn)為英特爾為其10納米技術(shù)所定義的規(guī)格相當(dāng);”臺(tái)積電企業(yè)通訊部門總監(jiān)Elizabeth Sun表示：“憑藉技術(shù)實(shí)力，我們認(rèn)為能在10納米節(jié)點(diǎn)拉近差距。” 　　而臺(tái)積電首度表示，今年預(yù)期將會(huì)有半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)界最大規(guī)模的資本支出，其目標(biāo)是鞏固其晶圓代工市場領(lǐng)導(dǎo)地位，以對(duì)抗英特爾、三星
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英特爾：10nm工藝離大家不遠(yuǎn)了

　　半導(dǎo)體技術(shù)可以說是人類社會(huì)發(fā)展速度最快的一項(xiàng)技術(shù)了，摩爾定律的魔力刺激著信息社會(huì)飛速發(fā)展，半導(dǎo)體的工藝制程現(xiàn)在已經(jīng)邁入了驚人的14納米級(jí)別，誰還能想像到50年前笨重的晶體管時(shí)代? 　　不過在半導(dǎo)體工藝進(jìn)入14nm之后，芯片的發(fā)展速度有變慢的趨勢(shì)。2014年，英特爾就在14納米工藝處理器的發(fā)布時(shí)間上放了大家鴿子，采用14nm工藝的Broadwell原本2014年年中發(fā)布，但實(shí)際上到今年才會(huì)實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。半導(dǎo)體工藝在進(jìn)入10nm級(jí)別后就已經(jīng)逼近硅基半導(dǎo)體的物理極限，制造成本和風(fēng)險(xiǎn)都在不斷提高，本來按照英特爾
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Intel 10nm時(shí)間敲定拒絕14nm悲劇再演

如果認(rèn)為英特爾推遲14nm，打破摩爾定律或者英特爾的節(jié)奏是個(gè)悲劇，那么這種看法才是真正的悲劇，因?yàn)槟柖杀旧硎莻€(gè)總結(jié)性的現(xiàn)象，而非預(yù)測(cè)性的或者技術(shù)發(fā)展的本質(zhì)規(guī)律。
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英特爾芯片開發(fā)受阻 10nm要等到2017

　　半導(dǎo)體工藝進(jìn)入1xnm節(jié)點(diǎn)之后，各大巨頭都遭遇了嚴(yán)重的困難，尤其是Intel 14nm出現(xiàn)了前所未有的延遲，與計(jì)劃進(jìn)度嚴(yán)重脫節(jié)，至今只有寥寥兩個(gè)產(chǎn)品線，今年下半年才會(huì)全面普及。　　臺(tái)積電16nm原本寄予厚望，2015年初就要快速量產(chǎn)，結(jié)果連續(xù)跳票，現(xiàn)在看最快也得年底了，甚至得2016年。　　三星14nm相對(duì)還好一些，起步雖晚但是進(jìn)步很快，據(jù)說良品率提高很快，又拉上Global Foundries做同盟，已經(jīng)贏得了蘋果、高通的芳心。　　如果按照原先的Tick-Tock發(fā)展模式，后續(xù)進(jìn)展順利的
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Intel昭告未來：10nm報(bào)到

　　在工藝技術(shù)上，Intel一直保持著遙遙領(lǐng)先的節(jié)奏。現(xiàn)在，10nm已經(jīng)來了。
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ARM與臺(tái)積電宣布采用10nm FinFET工藝

　　在宣布將以16nm FinFET制程技術(shù)量產(chǎn)ARM 64位處理器后，臺(tái)積電再進(jìn)一步與ARM攜手宣布，未來將透過10nm FinFET制程技術(shù)制作64位架構(gòu)ARMv8-A處理器，預(yù)計(jì)最快在2015年第四季啟用此項(xiàng)技術(shù)，屆時(shí)將可支持各客戶采用10nm FinFET制程技術(shù)完成64位ARM架構(gòu)處理器的設(shè)計(jì)定案。　　進(jìn)一步縮減制程技術(shù)后，預(yù)期將使相同架構(gòu)處理器產(chǎn)品能以更少電功耗發(fā)揮更高的運(yùn)作效能，或是更進(jìn)一步縮減硬件產(chǎn)品體積、散熱所需空間等特性。
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檢測(cè)10nm以下半導(dǎo)體　CD-SEM量測(cè)技術(shù)邁大步

　　半導(dǎo)體進(jìn)入10奈米以下技術(shù)節(jié)點(diǎn)或三維(3D)結(jié)構(gòu)時(shí)，將面臨嚴(yán)重的導(dǎo)孔偏移問題，所幸，設(shè)備商已研發(fā)出具備更高影像解析能力的微距量測(cè)掃描式電子顯微鏡(CD-SEM)，可提供更清晰的對(duì)焦和更精細(xì)的量測(cè)影像，有效克服導(dǎo)孔對(duì)準(zhǔn)挑戰(zhàn)。　　多年來，業(yè)界一直使用微距量測(cè)掃描式電子顯微鏡(CD-SEM)來進(jìn)行量測(cè)，此種顯微鏡會(huì)射出電子束，與要掃描的材料作用，然后回傳訊號(hào)，再由量測(cè)機(jī)臺(tái)比對(duì)運(yùn)算這些訊號(hào)。今日，針對(duì)小于10奈米(nm)的尺寸，CD-SEM或其他所有量測(cè)設(shè)備，必須處理更多的薄膜層、更高的縱橫比(HAR
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半導(dǎo)體材料爭相從10nm向5nm發(fā)展

　　隨著晶體管向10nm、7nm甚至更小尺寸的發(fā)展，半導(dǎo)體行業(yè)面臨著真正的材料選擇困擾。基板、溝道、柵和接觸材料都迫切需要評(píng)估。　　“在14nm,10nm工藝時(shí)代，器件架構(gòu)是確定的。”Intermolecular有限公司半導(dǎo)體部門高級(jí)副總裁兼總經(jīng)理RajJammy表示，“大多數(shù)情況下采用FinFET架構(gòu)，當(dāng)然也有其它選項(xiàng)，如完全耗盡型絕緣硅(SOI)。” 　　對(duì)于10nm和7nm來說，Jammy認(rèn)為高K值金屬柵將占主導(dǎo)地位，但真正的挑戰(zhàn)將是溝道
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