10nm 文章 進(jìn)入10nm 技術(shù)社區(qū)
英特爾左T右S 發(fā)布10nm和22FFL工藝 超越競爭對手三年
- 2017年9月19日,“英特爾精尖制造日”活動在北京舉行。本次活動云集了英特爾制程、制造方面最權(quán)威的專家團(tuán),包括公司執(zhí)行副總裁兼制造、運(yùn)營與銷售集團(tuán)總裁Stacy Smith,高級院士、技術(shù)與制造事業(yè)部制程架構(gòu)與集成總監(jiān)Mark Bohr,公司技術(shù)與制造事業(yè)部副總裁、晶圓代工業(yè)務(wù)聯(lián)席總經(jīng)理Zane Ball,并了主題演講。 英特爾公司全球副總裁兼中國區(qū)總裁楊旭登臺致辭,歡迎來自合作伙伴、客戶、政府部門和學(xué)術(shù)界的嘉賓以及新聞媒體出席2017年9月19日在北京舉行的&ldqu
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半導(dǎo)體制造新工藝層出不窮 數(shù)字飆升的背后
- 對任何半導(dǎo)體產(chǎn)品來說,工藝永遠(yuǎn)是繞不過去的檻。工藝基本上決定了處理器的性能檔次、性能功耗比水平——當(dāng)然半導(dǎo)體架構(gòu)設(shè)計(jì)和優(yōu)化也會起到很大的作用,但是工藝帶來的改善是根本的、具有決定性意義的,是任何優(yōu)化都難以企及的。目前,業(yè)內(nèi)最重要的代工企業(yè)臺積電和三星在工藝的發(fā)展上越來越激進(jìn),10nm、7nm等新工藝層出不窮。那么,這些新工藝帶來了怎樣的優(yōu)勢?本文就帶你一探究竟。 說起工藝,人們往往會想到英特爾。的確,英特爾擁有著全球綜合性能最強(qiáng)悍的半導(dǎo)體制造能力,其工藝無論在頻率、功耗還
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晶圓廠沖量產(chǎn) 10nm芯片將如雨后春筍般涌現(xiàn)
- 半導(dǎo)體2017年新一代制程技術(shù)將進(jìn)入量產(chǎn)階段,且多數(shù)針對消費(fèi)應(yīng)用設(shè)計(jì),尤其是手機(jī)芯片。據(jù)ElectronicDesign報導(dǎo),確定使用10納米制程生產(chǎn)的芯片包括三星電子(SamsungElectronics)和高通(Qualcomm)的Snapdragon835、聯(lián)發(fā)科HelioX30處理器和樂金電子(LGElectronics)新一代處理器。 英特爾(Intel)使用14納米先進(jìn)制程生產(chǎn)微處理器已有一段時間,執(zhí)行長BrianKrzanich在2017年消費(fèi)性電子展(CES)上展示內(nèi)含英特爾最新
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英特爾10nm制程進(jìn)展:Cannon Lake在路上
- 根據(jù)路線圖,英特爾第一代10nm制程酷睿處理器Cannon Lake將于17年下半年面世,英特爾今日通過推特透露最新10nm進(jìn)程進(jìn)展,該公司稱第一代10nm制程酷睿處理器Cannon Lake已經(jīng)在路上,而第二代10nm制程處理器Ice Lake也已經(jīng)完成最終設(shè)計(jì),10nm制程達(dá)成新里程碑。 推文中的“在路上”或許是英特爾在強(qiáng)調(diào)Cannon Lake芯片將會遵守路線圖,于今年下半年開始出貨,并且在明年上半年進(jìn)行大批量出貨,破除此前的跳票傳聞。10nm制程的Cannon L
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10nm工藝麒麟970芯片曝光 驍龍835要被秒的節(jié)奏
- 隨著10nm工藝的驍龍835處理器新機(jī)陸續(xù)問世,華為何時推出全新麒麟處理器來應(yīng)對,自然也成了不少關(guān)心的話題。而根據(jù)網(wǎng)友在微博的最新爆料稱,華為下代麒麟970處理器將采用10nm FinFET工藝,并在處理器架構(gòu)方面使用ARM公版的Cortex-A73核心,至于GPU則或?qū)⑹装l(fā)ARM Heimdallr MP,以及5載波聚合的全球全網(wǎng)通基帶,預(yù)計(jì)將在今年十月份聯(lián)袂華為Mate 10與我們正式見面。 10nm FinFET工藝 根據(jù)網(wǎng)友@草Grass草在微博上的最新爆料稱,華為
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三星VS臺積電 10nm之后聽誰的
- 2017年3月,三星和臺積電分別就其半導(dǎo)體制程工藝的現(xiàn)狀和未來發(fā)展情況發(fā)布了幾份非常重要的公告。三星表示,該公司有超過7萬個晶圓加工過程都采用了第一代10nm FinFET工藝,未來這一數(shù)量還會繼續(xù)增加,同時,三星還公布了未來的即將采用的工藝路線圖。特別是,三星計(jì)劃在未來將公布三個工藝,目前為止,我們對于這三個工藝均一無所知。 另一方面,臺積電表示,采用其第一代10nm工藝的芯片將會很快實(shí)現(xiàn)量產(chǎn),同時,臺積電也表示,在未來幾年,臺積電將會陸續(xù)推出幾項(xiàng)全新的工藝,這其中就包括將在2019年推出的首
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精測:10nm為今年主力,7nm需求明年浮現(xiàn)
- 臺股股后精測今日舉行在線法說會,公司預(yù)期10奈米應(yīng)用處理器(AP)產(chǎn)品將是今年主力,7奈米應(yīng)用需求明年才會浮現(xiàn)。 而為因應(yīng)未來7奈米以下測試需求,公司研發(fā)費(fèi)用及整體營業(yè)費(fèi)用率預(yù)期將維持一定比例,以維持整體競爭力。 至于營運(yùn)總部建置規(guī)畫部分,精測預(yù)期7月底、8月初將正式動土,興建時間需花費(fèi)2年,啟用時間估落于2019年中。 為充實(shí)營運(yùn)資金及建廠投資需求,公司規(guī)畫辦理現(xiàn)增發(fā)行2000張普通股,將提請6月8日股東常會表決通過后,再向主管機(jī)關(guān)遞交申請。 精測目前營業(yè)費(fèi)用率約25%,財務(wù)長許憶萍說明
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如虎添翼 三星第二代10nm制程開發(fā)完成!
- 三星周四宣布,第二代10納米FinFET制程已經(jīng)開發(fā)完成,未來爭取10納米產(chǎn)品代工訂單將如虎添翼。 三星第一代10納米制程于去年10月領(lǐng)先同業(yè)導(dǎo)入量產(chǎn),目前的三星Exynos 9與高通驍龍835處理器均是以第一代10納米制程生產(chǎn)。 據(jù)三星表示,第二代10納米FinFET制程與第一代做比較,運(yùn)算效能提升10%,用電效率則提高15%。 三星為確保10納米制程長期供貨穩(wěn)定,其位在首爾西南方華城市的最新晶圓廠已增添新設(shè)備,預(yù)計(jì)第四季可就定位開始生產(chǎn)。 雖然三星未透露第二代10納米制程的
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三星宣布10nm制程新進(jìn)展:已完成二代10nm工藝LPP驗(yàn)證工作
- 三星今天宣布,繼去年10月率先量產(chǎn)10nm工藝移動芯片后,日前已經(jīng)完成了第二代10nm的質(zhì)量驗(yàn)證工作,即將量產(chǎn)。 按照三星的說法,此前的10nm采用的是LPE(low-power early),比如驍龍835和Exynos 8895,而第二代是LPP(Low Power Plus),事實(shí)上更加先進(jìn),可以滿足更高的性能指標(biāo)要求。 據(jù)悉,三星已經(jīng)在位于韓國華城的S3產(chǎn)線部署安裝相關(guān)設(shè)備,定于Q4開始量產(chǎn)工作。 另外,此前韓國巨頭還表示,它們10nm的內(nèi)部研發(fā)進(jìn)度已經(jīng)到了第三代LP
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