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三星宣布11nm新工藝：7nm全面上極紫外光刻

  • 　　Intel雖然一再強(qiáng)調(diào)自己的xxnm工藝才是最精確的，比如同樣標(biāo)稱10nm，自己要比三星、臺(tái)積電的領(lǐng)先整整一代，但是沒辦法，人家的腳步要快得多。 　　今天，三星電子又宣布了新的11nm FinFET制造工藝“11LPP”(Low Power Plus)，并確認(rèn)未來7nm工藝將上EUV極紫外光刻。 　　   　　三星11LPP工藝不是全新的，而是14nm、10nm的融合，一方面采用10nm BEOL(后端工藝)，可以大大縮小芯片面積，另一方面則沿用14nm
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三星11nm FinFET欲登場(chǎng)，臺(tái)積電的大麻煩？

  • 三星正在與臺(tái)積電進(jìn)行10nm工藝競(jìng)爭(zhēng)，并將成為第一個(gè)部署7nm制程的公司。
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三星宣布將為中高端機(jī)型推出11nm芯片

  • 　　本周一，三星宣布了全新的11nm LPP工藝，它將用于三星后續(xù)推出的中高端機(jī)型。三星在新聞公告中表示，11nm LLP的性能相比此前的14nm LLP提升了15%，單位面積的功耗降低了10%。 　　目前三星的14nm LLP芯片主要用于2017年版Galaxy A系列和J系列手機(jī)。三星表示，10nm用于旗艦手機(jī)，11nm用于中高端，形成差異化，預(yù)計(jì)2018年上半年在市場(chǎng)投放。與此同時(shí)，三星也成為了市場(chǎng)上最先確認(rèn)7nm的企業(yè)，其7nm LPP定于2018下半年開始試產(chǎn)，采用EUV極紫外光刻技術(shù)。 　
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Intel欲將193nm沉浸式光刻技術(shù)延用至11nm制程節(jié)點(diǎn)

  • 　　在本月21日舉辦的LithoVision2010大會(huì)上，Intel公司公布了其未來幾年的光刻技術(shù)發(fā)展計(jì)劃，按這份驚人的計(jì)劃顯示，Intel計(jì)劃將 193nm波長(zhǎng)沉浸式光刻技術(shù)延用至11nm制程節(jié)點(diǎn)，這表明他們?cè)俅魏笱恿似錁O紫外光刻(EUV)技術(shù)的啟用日期。 　　Intel實(shí)驗(yàn)室中的EUV曝光設(shè)備 　　根據(jù)會(huì)上Intel展示的光刻技術(shù)發(fā)展路線圖顯示，目前Intel 45nm制程工藝中使用的仍是193nm干式光刻技術(shù)，而32nm制程工藝則使用的是193nm沉浸式光刻技術(shù)，沉浸式光刻工具方面，Int
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11nm介紹

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