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三星11nm FinFET欲登場,臺積電的大麻煩?

作者: 時間:2017-09-13 來源:與非網(wǎng) 收藏
編者按:三星正在與臺積電進(jìn)行10nm工藝競爭,并將成為第一個部署7nm制程的公司。

  公司表示,LPP或者11LPP是從上一代14nm工藝進(jìn)一步發(fā)展而來,它能提供15%的性能提升,減少10%面積,但功耗卻保持不變。

本文引用地址:http://m.butianyuan.cn/article/201709/364204.htm

  補(bǔ)充道:使用該制程的產(chǎn)品將在2018年上半年才開始。

  這位韓國科技巨頭在去年年底就為自己的芯片和客戶提供了先進(jìn)的10nm工藝,目前也在為最新的Galaxy Note 8的處理器使用第二代10nm工藝。

  表示,10nm工藝是針對旗艦手機(jī)的處理器,而11nm則將被用于中高端手機(jī)。將為客戶提供“更廣泛的選擇”。


三星11nm FinFET欲登場,臺積電的大麻煩?

  得益于極紫外(EUV)光刻技術(shù)的成熟,表示其7nm的定價和收益的優(yōu)勢高于臺積電。

  三星還在計劃能在2018年上半年提供8nm制程,該工藝將比臺積電7nm工藝在價格競爭上更具優(yōu)勢,而且在技術(shù)水準(zhǔn)上卻很接近。

  自2014年以來,三星已經(jīng)使用EUV光刻制造了20萬個晶圓,并包攬了805的256M SRAM產(chǎn)量。

  今年5月,三星將芯片制造部門提升為一項業(yè)務(wù)。它以前是在邏輯芯片業(yè)務(wù)下生產(chǎn)處理器的。



關(guān)鍵詞: 三星 11nm

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