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Intel欲將193nm沉浸式光刻技術(shù)延用至11nm制程節(jié)點

作者: 時間:2010-02-23 來源:CNBeta 收藏

  在本月21日舉辦的LithoVision2010大會上,公司公布了其未來幾年的技術(shù)發(fā)展計劃,按這份驚人的計劃顯示,計劃將 193nm波長沉浸式技術(shù)延用至制程節(jié)點,這表明他們再次后延了其極紫外(EUV)技術(shù)的啟用日期。

本文引用地址:http://m.butianyuan.cn/article/106179.htm

  實驗室中的EUV曝光設(shè)備

  根據(jù)會上Intel展示的光刻技術(shù)發(fā)展路線圖顯示,目前Intel 45nm制程工藝中使用的仍是193nm干式光刻技術(shù),而32nm制程工藝則使用的是193nm沉浸式光刻技術(shù),沉浸式光刻工具方面,Intel從去年開始便獨家使用尼康公司的193nm沉浸式光刻機制造32nm制程產(chǎn)品。(此前曾有傳言稱臺積電最近也購買了尼康公司的193nm沉浸式光刻設(shè)備,不過雙方后來矢口否認了這一傳言.)

  過去Intel曾計劃在22nm制程節(jié)點轉(zhuǎn)向EUV技術(shù),并計劃明年開始采用這種技術(shù)。不過據(jù)Intel負責(zé)高級光刻技術(shù)的高管Yan Borodovsky表示,Intel目前還沒有做好在22/15nm制程節(jié)點引入EUV技術(shù)的準備。他并表示Intel將在22nm制程節(jié)點繼續(xù)使用193nm沉浸式光刻技術(shù)。

  Intel還在會上表示他們有能力將193nm沉浸式光刻技術(shù)延用至15nm制程節(jié)點,也就是說這項技術(shù)的壽命可望延續(xù)到2013年左右,Borodovsky并認為,按照目前的情況看來,193nm沉浸式光刻+pitch division的工藝組合才是實現(xiàn)15nm制程產(chǎn)品量產(chǎn)的“唯一選擇”。

  不過他表示,在15nm節(jié)點制程處,Intel將“首先采用EUV技術(shù)進行試產(chǎn),假如屆時無掩模技術(shù)已經(jīng)成熟,那么我們還會采用這種技術(shù)進行試產(chǎn)。”

  在接下來的制程節(jié)點中,Intel仍有計劃想在五重掩模技術(shù)(five mask)的配合下繼續(xù)延用193nm沉浸式光刻技術(shù),Borodovsky稱:“193nm沉浸式光刻技術(shù)應(yīng)可在五重掩模技術(shù)的配合下滿足制程的要求。”

  據(jù)Intel表示,11nm制程節(jié)點上該公司的光刻技術(shù)將采用多種光刻工藝互補混搭的策略,將193nm沉浸式光刻技術(shù)與EUV,無掩模光刻(maskless)等技術(shù)混合在一起來滿足11nm制程的需求。

  目前還不清楚Intel最終會采用EUV或無掩模光刻技術(shù)中的哪一種,Intel表示留給EUV技術(shù)最終成熟的時間點是在2011/2012年前;而留給無掩模技術(shù)的時間點則是在2012年以前。而其EUV領(lǐng)域的主要競爭對手三星公司將EUV技術(shù)投入實用的時間點也同樣定在了2012年前。



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