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EEPW首頁(yè) >> 主題列表 >> 14nm

英特爾下代眾核處理器將采用14nm工藝制造 可用作主處理器

  • 　　英特爾在“2013 International Supercomputing Conference(ISC2013)”(2013年6月16日～20日在德國(guó)萊比錫舉行)上發(fā)布了“Xeon Phi協(xié)處理器”的新產(chǎn)品并披露了下一代產(chǎn)品的部分情況。Xeon Phi協(xié)處理器是配備基于“MIC(眾核)架構(gòu)”的處理器芯片的PCI Express擴(kuò)展卡，MIC架構(gòu)具有多個(gè)支持x86指令集的處理器內(nèi)核。 　　Xeon Phi協(xié)處理器的首款產(chǎn)品是2
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聯(lián)電完成14nm制程FinFET結(jié)構(gòu)晶體管芯片流片

  • 　　在Synopsys 的協(xié)助下，臺(tái)灣聯(lián)電(UMC)首款基于14nm制程及FinFET晶體管技術(shù)的測(cè)試用芯片日前完成了流片。聯(lián)電公司早前曾宣布明年下半年有意啟動(dòng)14nm制程FinFET產(chǎn)品的制造，而這次這款測(cè)試芯片完成流片設(shè)計(jì)則顯然向?qū)崿F(xiàn)這一目標(biāo)又邁進(jìn)了一步，當(dāng)然流片完成之后還需要對(duì)過(guò)程工藝等等項(xiàng)目進(jìn)行完善和改進(jìn)，還有大量工作要做。 　　 ? 　　近年來(lái)，在臺(tái)積電，Globalfoundries，三星等老牌代工商的沖擊下，聯(lián)電在代工行業(yè)的排名一再下跌，更何況Intel也開(kāi)始染指代工市場(chǎng)
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聯(lián)電攜手新思 14nm設(shè)計(jì)定案采用Galaxy平臺(tái)

  • 　　聯(lián)電(2303-TW)(UMC-US)與新思科技(Synopsys)(SNPS-US)共同宣布，兩家公司的合作已獲得成果，采用新思科技DesignWare邏輯庫(kù)的IP組合，和Galaxy實(shí)作平臺(tái)的一部分寄生StarRC萃取方案，成功完成聯(lián)電第一個(gè)14奈米FinFET制程驗(yàn)證工具的設(shè)計(jì)定案。 　　在雙方持續(xù)進(jìn)展中的合作關(guān)系上，采用新思科技DesignWare矽智財(cái)解決方案來(lái)認(rèn)證聯(lián)電14奈米FinFET制程，可視為是雙方此次合作的第一座里程碑。 　　聯(lián)電表示，這次合作的第一個(gè)里程碑，可加速聯(lián)電14奈米
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我國(guó)移動(dòng)芯片產(chǎn)業(yè)加速發(fā)展

  • 　　隨著移動(dòng)互聯(lián)網(wǎng)在全球的普及，移動(dòng)智能終端正在快速蠶食傳統(tǒng)PC的市場(chǎng)空間。在終端芯片領(lǐng)域，移動(dòng)芯片的市場(chǎng)占有率卻在不斷提升，逐漸成為芯片產(chǎn)業(yè)的“明星”和領(lǐng)跑者。值得一提的是，在移動(dòng)互聯(lián)網(wǎng)發(fā)展的新浪潮中，我國(guó)的移動(dòng)芯片產(chǎn)業(yè)正在崛起，逐漸在全球芯片市場(chǎng)中占據(jù)一席之地，這不僅促進(jìn)了全球芯片市場(chǎng)的“變局”，更將為我國(guó)ICT產(chǎn)業(yè)的未來(lái)發(fā)展提供支撐和動(dòng)力。 　　移動(dòng)芯片是智能終端的硬件平臺(tái)，是其物理能力的基礎(chǔ)。在我國(guó)智能終端市場(chǎng)上爆發(fā)的激烈“核&rdqu
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ARM：14nm FinFET之路仍有顛簸

  • 　　自從ARM決定從行動(dòng)裝置跨足到伺服器市場(chǎng)后，無(wú)不加快自己在制程技術(shù)上的腳步，好能跟Intel一決高下，不過(guò)當(dāng)然還是必須協(xié)同主要合作夥伴(臺(tái)積電與三星)的技術(shù)進(jìn)度。對(duì)ARM來(lái)說(shuō)，去年年底宣布成功試產(chǎn)(Tape Out)14nm FinFET制程技術(shù)的三星，將是有助于提高自家處理器效能的關(guān)鍵，但目前仍有技術(shù)上的問(wèn)題必須克服。 　　日前ARM已正式對(duì)外公布2013年Q1財(cái)報(bào)，營(yíng)收同樣繼續(xù)維持成長(zhǎng)，主要營(yíng)收的大多比重皆是來(lái)自于IP技術(shù)授權(quán)(ARMv8、Mali、big.LITTLE技術(shù))。而低功耗一直以來(lái)都
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ARM：14nm FinFET之路仍有顛簸

  • 　　自從ARM決定從行動(dòng)裝置跨足到伺服器市場(chǎng)后，無(wú)不加快自己在制程技術(shù)上的腳步，好能跟Intel一決高下，不過(guò)當(dāng)然還是必須協(xié)同主要合作夥伴(臺(tái)積電與三星)的技術(shù)進(jìn)度。對(duì)ARM來(lái)說(shuō)，去年年底宣布成功試產(chǎn)(TapeOut)14nmFinFET制程技術(shù)的三星，將是有助于提高自家處理器效能的關(guān)鍵，但目前仍有技術(shù)上的問(wèn)題必須克服。 　　日前ARM已正式對(duì)外公布2013年Q1財(cái)報(bào)，營(yíng)收同樣繼續(xù)維持成長(zhǎng)，主要營(yíng)收的大多比重皆是來(lái)自于IP技術(shù)授權(quán)(ARMv8、Mali、big.LITTLE技術(shù))。而低功耗一直以來(lái)都是A
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ARM：14nm FinFET之路仍有顛簸

  • 　　自從ARM決定從行動(dòng)裝置跨足到伺服器市場(chǎng)后，無(wú)不加快自己在制程技術(shù)上的腳步，好能跟Intel一決高下，不過(guò)當(dāng)然還是必須協(xié)同主要合作夥伴(臺(tái)積電與三星)的技術(shù)進(jìn)度。對(duì)ARM來(lái)說(shuō)，去年年底宣布成功試產(chǎn)(Tape Out)14nm FinFET制程技術(shù)的三星，將是有助于提高自家處理器效能的關(guān)鍵，但目前仍有技術(shù)上的問(wèn)題必須克服。 　　日前ARM已正式對(duì)外公布2013年Q1財(cái)報(bào)，營(yíng)收同樣繼續(xù)維持成長(zhǎng)，主要營(yíng)收的大多比重皆是來(lái)自于IP技術(shù)授權(quán)(ARMv8、Mali、big.LITTLE技術(shù))。而低功耗一直以來(lái)都
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采用Intel代工，Altera于14nm先下一城

  • 　　2010年，Intel發(fā)布了其第一代22nm三柵極技術(shù)，這無(wú)疑是半導(dǎo)體工藝的一個(gè)突破性進(jìn)展。最近，Altera宣布將采用Intel的第二代14 nm三柵極技術(shù)開(kāi)發(fā)下一代高性能FPGA，同時(shí)也將繼續(xù)與TSMC保持長(zhǎng)期合作。這一消息也無(wú)疑成了最近業(yè)界的重磅話(huà)題之一。 為什么采用Intel的14nm三柵極技術(shù)？ 　　Altera公司國(guó)際市場(chǎng)部總監(jiān)李儉先生將這個(gè)問(wèn)題拆分為兩個(gè)層面，第一個(gè)層面是為什么要采用三柵極技術(shù)，第二個(gè)層面是為什么要采用Intel的技術(shù)。 　　三柵極技術(shù)能夠從三方面帶來(lái)技術(shù)突破：第一
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Altera副總裁：“14nm工藝FPGA的代工只委托英特爾”

  • 　　美國(guó)阿爾特拉(Altera)于2013年2月25日宣布，決定把14nm工藝FPGA的生產(chǎn)委托給美國(guó)英特爾(參閱本站報(bào)道)。3月1日，阿爾特拉產(chǎn)品和企業(yè)營(yíng)銷(xiāo)及技術(shù)服務(wù)副總裁Vince Hu在東京通過(guò)電話(huà)會(huì)議系統(tǒng)，向新聞媒體介紹了該制造委托協(xié)議。 　　Vince Hu說(shuō)，阿爾特拉之所以選擇英特爾作為14nm工藝代工企業(yè)，是因?yàn)橛⑻貭栐诹Ⅲw晶體管(FinFET)技術(shù)方面的量產(chǎn)業(yè)績(jī)獲得好評(píng)。英特爾在業(yè)界率先在22nm工藝上采用了FinFET(該公司稱(chēng)為T(mén)ri-Gate)，阿爾特拉表示，采用該技術(shù)制造的微處理
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Samsung ：也來(lái)看看我們的14nm晶圓吧

  • 　　通用平臺(tái)技術(shù)論壇上，IBM展示了14nm FinFET晶圓和可彎曲的28nm晶圓，GlobalFoundries吹噓了自己14nm工藝的高能效和28nm工藝對(duì)Cortex-A15的貢獻(xiàn)， Samsung 也擺出了自己的14nm晶圓。 　　和Intel、IBM(還有臺(tái)積電16nm)一樣， Samsung 14nm同樣引入了FinFET晶體管技術(shù)，而且又類(lèi)似GlobalFoundries、聯(lián)電， Samsung 也使用了14+20nm混合工藝，大致來(lái)說(shuō)就是晶體管是14nm的，其它各部分則都是20nm的。
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2013年半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)三大巨頭 14nm提前開(kāi)戰(zhàn)

  • 　　2013年半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)聚焦在三巨頭——臺(tái)積電、英特爾與三星的產(chǎn)能與技術(shù)比拚，以及訂單的板塊位移態(tài)勢(shì)，三巨頭今年的資本支出規(guī)模都讓市場(chǎng)吃驚，不約而同的維持高資本支出水位，讓原本預(yù)期資本支出將大減的外界皆有跌破眼鏡之感，三巨頭不但要力拚先進(jìn)制程產(chǎn)能的擴(kuò)增，也都展現(xiàn)出欲在20奈米以下制程與18寸晶圓技術(shù)超越對(duì)手的企圖心。 　　臺(tái)積電2013年資本支出再度上升至90億美元規(guī)模，而英特爾也逆勢(shì)增加至130億美元，三星也并未如外界預(yù)期大砍資本支出規(guī)模，而是宣布2013年資本支出與2012年
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明導(dǎo)支持三星14nm IC制造工藝平臺(tái)問(wèn)世

  • 　　明導(dǎo)公司(Mentor Graphics Corp)今天宣布，用以支持三星14nm IC制造工藝的綜合設(shè)計(jì)、制造與后流片實(shí)現(xiàn)(post tapeout)平臺(tái)問(wèn)世，這一平臺(tái)能夠?yàn)榭蛻?hù)提供完整的從設(shè)計(jì)到晶圓的并行流程，使早期加工成為可能。完全可互操作的Mentor?流程可幫助客戶(hù)實(shí)現(xiàn)快速設(shè)計(jì)周期和晶圓生產(chǎn)的一次性成功。 　　明導(dǎo)專(zhuān)門(mén)用于三星14nm晶圓優(yōu)化的解決方案，包含設(shè)計(jì)規(guī)則檢查(DRC)、LVS查驗(yàn)、提取、可制造性設(shè)計(jì)(DFM)和先進(jìn)填充等功能的Calibre?平臺(tái)，以及Tessent?可測(cè)試性設(shè)
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ARM推A50系列 手機(jī)進(jìn)入64位時(shí)代？

  • 　　智能手機(jī)快速崛起，填補(bǔ)移動(dòng)設(shè)備空白，有望成為人們?nèi)粘Ｊ褂玫幕旧暇W(wǎng)工具，保證隨時(shí)在線(xiàn)互聯(lián)及各種多媒體應(yīng)用，這也使得市場(chǎng)對(duì)智能手機(jī)處理器的聯(lián)網(wǎng)、圖形、視頻等性能有了更高的期待。日前，ARM公司宣布推出首款64位ARMv8架構(gòu)的Cortex-A50處理器系列產(chǎn)品，同時(shí)宣布AMD、博通、Calxeda、海思、三星和意法半導(dǎo)體已獲得Cortex-A50系列架構(gòu)授權(quán)，首批采用該架構(gòu)的設(shè)備有望于2014年發(fā)貨。對(duì)此，有觀點(diǎn)認(rèn)為受益于ARM在智能手機(jī)市場(chǎng)的強(qiáng)勢(shì)地位，未來(lái)智能手機(jī)將快速進(jìn)入64位時(shí)代;但也有觀點(diǎn)認(rèn)為受
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導(dǎo)入FinFET制程技術(shù)　聯(lián)電14奈米后年亮相

  • 　　聯(lián)電14nm鰭式電晶體(FinFET)制程技術(shù)將于后年初開(kāi)始試產(chǎn)。聯(lián)電正全力研發(fā)新一代14nmFinFET制程技術(shù)，預(yù)計(jì)效能可較現(xiàn)今28nm制程提升35～40%，可提供通訊晶片與應(yīng)用處理器低功耗與高效能優(yōu)勢(shì)，擴(kuò)大搶攻通訊與消費(fèi)性電子IC制造商機(jī)。 　　聯(lián)電執(zhí)行長(zhǎng)孫世偉表示，14nmFinFET制程技術(shù)將會(huì)是聯(lián)電切入未來(lái)次世代通訊運(yùn)算市場(chǎng)的最佳利器。 　　聯(lián)電執(zhí)行長(zhǎng)孫世偉表示，由于晶圓從28跨入20nm制程以下的微縮過(guò)程中，勢(shì)必得使用雙重曝光(DoublePatterning)微影技術(shù)才能實(shí)現(xiàn)，而此
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臺(tái)積電在鏖戰(zhàn)中

  • 　　去年?duì)I收146億美元，今年將達(dá)170億美元，臺(tái)灣積體電路制造股份有限公司(TSMC，以下簡(jiǎn)稱(chēng)“臺(tái)積電”)迎來(lái)了兩個(gè)豐收的年頭。10月5日，其市值再次創(chuàng)造新紀(jì)錄—以2兆3587億元新臺(tái)幣的市值高居臺(tái)灣上市公司之首。年屆81歲的張忠謀復(fù)出僅僅3年，就將臺(tái)積電從裁員與訂單流失的泥潭里拉了出來(lái)—2009年第一季度，臺(tái)積電收入出現(xiàn)其史上最大跌幅，幾近虧損。對(duì)常年保持兩位數(shù)增長(zhǎng)的臺(tái)積電和慣于將其視為“模范生”的業(yè)界而言，這樣的消息令人震驚，也
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14nm介紹

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