28nm 文章 進入28nm技術(shù)社區(qū)
臺積電年中將為Altera試產(chǎn)28nm制程FPGA芯片
- 據(jù)業(yè)者透露,臺積電公司將于今年中期開始為Altera公司生產(chǎn)28nm制程FPGA芯片產(chǎn)品。這種FPGA芯片將集成有28Gbps收發(fā)器,產(chǎn)品面向云計算,在線存儲以及移動視頻等應用,Altera公司兩年前曾推出該系列產(chǎn)品的 40nm制程版本。臺積電還宣布其28nm制程將為全代制程(full node:即制程升級時需要對芯片電路進行重新設(shè)計),而且年內(nèi)其28nm制程還將具備可按客戶的需求制作出HKMG(High-K絕緣層+金屬柵極)或SiON(SiON絕緣層+硅柵極)這兩種不同柵極結(jié)構(gòu)的能力. 臺積電
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Altera 發(fā)布28-nm FPGA技術(shù)創(chuàng)新
- Altera公司今天宣布了在即將推出的28nm FPGA中采用的創(chuàng)新技術(shù):嵌入式HardCopy®模塊、部分重新配置新方法以及嵌入式28-Gbps收發(fā)器,這些技術(shù)將極大的提高下一代Altera® FPGA的密度和I/O性能,并進一步鞏固相對于ASIC和ASSP的競爭優(yōu)勢。 快速增長的寬帶應用如高清晰(HD)視頻、云計算、網(wǎng)絡(luò)數(shù)據(jù)存儲和移動視頻等對基礎(chǔ)設(shè)備和最終用戶設(shè)備開發(fā)人員提出了新挑戰(zhàn)。他們怎樣才能夠迅速提高系統(tǒng)帶寬,同時滿足嚴格的功耗和成本要求呢?Altera開發(fā)了最新的創(chuàng)新
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GlobalFoundries和Qualcomm簽訂代工協(xié)議
- Qualcomm擴充了代工廠商,宣布將與GlobalFoundries簽署代工協(xié)議。 此前,GlobalFoundries稱有意為Qualcomm提供45nm低功耗和28nm代工技術(shù),并在未來先進節(jié)點開展合作。 GlobalFoundries將為CDMA2000、WCDMA和4G/LTE手機芯片提供代工。雙方都期待GlobalFoundries今年能在德國Dresden工廠為Qualcomm代工。 除了先進節(jié)點技術(shù),雙方還希望在其他領(lǐng)域,如芯片封裝和3D封裝技術(shù)上開展合作。 此
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2009年臺積電設(shè)備支出達45億美元
- 據(jù)臺積電向臺灣證券交易所(TSE)遞交的文件,臺積電2009年的設(shè)備支出達1450億新臺幣(約合45.7億美元),其競爭對手聯(lián)電的支出為220億新臺幣。 臺積電向Applied Materials訂購了280億新臺幣的設(shè)備,向ASML訂購了240億新臺幣的設(shè)備,向TEL、Dainippon Screen和KLA-Tencor訂購了100億新臺幣的設(shè)備。這些主要的設(shè)備商幾乎占了臺積電設(shè)備支出的70%。 臺積電預計將于2010年第一季度開始28nm低功耗工藝的試產(chǎn),并在第二季度和第三季度開始2
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特許半導體四季度上馬32nm工藝 明年轉(zhuǎn)入28nm
- 新加坡特許半導體計劃在今年第四季度推出32nm制造工藝,明年上半年再進一步轉(zhuǎn)入28nm。 特許半導體很可能會在明天的技術(shù)論壇上公布32nm SOI工藝生產(chǎn)線的試運行計劃,并披露28nm Bulk CMOS工藝路線圖,另外45/40nm LP低功耗工藝也已就緒。 特許的28nm工藝并非獨立研發(fā),而是在其所處的IBM技術(shù)聯(lián)盟中獲取的,將會使用高K金屬柵極(HKMG)技術(shù)以及Gate-first技術(shù)(Intel是Gate-last的堅定支持者)。 特許半導體2009年技術(shù)論壇將在臺灣新竹市
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NVIDIA為何拋棄臺積電 另尋芯片制造商
- 國外的消息報道,Globalfoundries的Jensen表示,由于目前臺積電已經(jīng)擁有了200多家客戶廠商,因此NVIDIA很難在其中立足為中心客戶,而這樣的現(xiàn)象也存在于其他的晶圓生產(chǎn)廠商,包括Globalfoundies在內(nèi)。 不過目前來看,NVIDIA確實需要從中選擇一家工廠,以便他們開展最新的28nm GPU的研發(fā)。并且NVIDIA需要從現(xiàn)在就馬上開始,才會在兩年后完成,甚至需要更久。而Globalfoundies工廠則很有可能會是NVIDIA的被選之一,不過目前來看,可能性較小。
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自信心爆棚:Globalfoundries首腦稱Fab3工廠項目近期出臺
- 最近Globalfoundries公司可謂喜事連連,繼紐約Fab2工廠正式奠基后,又與意法半導體成功簽約。不過按GF公司主席Hector Ruiz的說法,他們現(xiàn)在已經(jīng)開始籌劃第三間制造廠Fab3的項目。目前在建的Fab2將采用300mm技術(shù)生產(chǎn)晶圓,建成初期的2012年,將采用 28nm制程技術(shù)進行生產(chǎn),隨后轉(zhuǎn)向22nm制程。 目前外界很難猜測Fab3項目的細節(jié),更不用說興建計劃的日期了。不過此舉至少說明GF對自己的Fab1/Fab2工廠充滿信心,并對公司的發(fā)展前景非常樂觀。
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28nm介紹
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