3d-nandflash 文章進(jìn)入3d-nandflash技術(shù)社區(qū)

3D NAND究竟出了什么問題？

3D NAND比平面NAND更昂貴，但大家都期待它將有助于快速地降低NAND的成本，以及取代平面NAND，這是為什么呢?
關(guān)鍵字： 3D NAND 存儲(chǔ)器

基于ARM9的USB設(shè)計(jì)與實(shí)現(xiàn)

USB(Universal Serial Bus)是通用串行總線的縮寫，因其具有方便易用，動(dòng)態(tài)分配帶寬，容錯(cuò)性優(yōu)越和高性價(jià)比等特點(diǎn)，現(xiàn)已成為計(jì)算機(jī)的主流接口。
關(guān)鍵字： USB CPU NANDFlash SDRAM

3D電影比比皆是，你真的懂3D是什么原理嗎？

3D電影現(xiàn)在比比皆是，相必大家都不陌生了吧，但是你知道3D的原理嗎?不知道的話，就隨小編一起來學(xué)習(xí)一下吧~~~
關(guān)鍵字： 3d原理 3D

基于3D全息投影技術(shù)助力遠(yuǎn)程醫(yī)療

加拿大皇后大學(xué)人類媒體實(shí)驗(yàn)室研究員研發(fā)成功的“TeleHuman”3D全息投影設(shè)備，能將科幻片中經(jīng)常出現(xiàn)的3D虛擬投影變成現(xiàn)實(shí)。這款設(shè)備開發(fā)本意就是用3D全息影像來代替現(xiàn)有的平面視頻會(huì)議.
關(guān)鍵字： 3D 全息投影技術(shù) 遠(yuǎn)程醫(yī)療

基于3D帽舌助宇航員進(jìn)行太空手術(shù)

近日科學(xué)家為身在國際空間站或者執(zhí)行火星任務(wù)的宇航員研發(fā)了一種虛擬現(xiàn)實(shí)3D帽舌。佩戴該帽舌的宇航員可以看到覆蓋在現(xiàn)實(shí)世界之上的虛擬圖像，后者能夠輔助宇航員獨(dú)自進(jìn)行外科手術(shù)治療疾病。
關(guān)鍵字： 3D 太空手術(shù) 創(chuàng)新技術(shù)

基于FPGA的水聲信號(hào)高速采集存儲(chǔ)系統(tǒng)設(shè)計(jì)

介紹了一種基于FPGA的水聲信號(hào)數(shù)據(jù)采集與存儲(chǔ)系統(tǒng)的設(shè)計(jì)與實(shí)現(xiàn)，給出了系統(tǒng)的總體方案，并對(duì)各部分硬件和軟件的設(shè)計(jì)進(jìn)行了詳細(xì)描述。系統(tǒng)以FPGA作為數(shù)據(jù)的控制處理核心，以存儲(chǔ)容量達(dá)2GB的大容量NAND型Flash作為存儲(chǔ)介質(zhì)。該系統(tǒng)主要由數(shù)據(jù)采集模塊、數(shù)據(jù)存儲(chǔ)模塊和RS～232串行通信模塊組成，具有穩(wěn)定可靠、體積小、功耗低、存儲(chǔ)容量大等特點(diǎn)，實(shí)驗(yàn)證明該系統(tǒng)滿足設(shè)計(jì)要求。
關(guān)鍵字：水聲信號(hào)數(shù)據(jù)采集 NANDFlash FPGA

基于NAND Flash的轉(zhuǎn)譯層的設(shè)計(jì)

基于NAND Flash的嵌入式存儲(chǔ)系統(tǒng)以其輕巧便攜、讀寫速度快等特點(diǎn)成為當(dāng)前嵌入式存儲(chǔ)系統(tǒng)的主流配置。但由于固有壞塊以及在擦、寫過程中隨機(jī)產(chǎn)生的壞塊影響了NAND Flash的實(shí)際應(yīng)用，所設(shè)計(jì)的NAND Flash的驅(qū)動(dòng)轉(zhuǎn)譯層具有壞塊管理機(jī)制并實(shí)現(xiàn)上層文件系統(tǒng)的連續(xù)讀寫功能。
關(guān)鍵字： NANDFlash 壞塊管理存儲(chǔ)系統(tǒng) 轉(zhuǎn)譯層

用IO模擬方式讀寫三星系列的NAND FLASH

三星系列的NAND FLASH芯片容量從8MB到256MB（最近聽說有1G容量的了），對(duì)于需要大容量數(shù)據(jù)存儲(chǔ)的嵌入式系統(tǒng)是一個(gè)很好的選擇，尤其是其接近1MB/元的高性價(jià)比，更是普通nor flash無法比擬的。本文以K9F2808U0C為例，采用AVR芯片連接，進(jìn)行了初步的讀寫試驗(yàn)，完成了芯片的ID讀出功能。
關(guān)鍵字： IO模擬方式 NANDFlash

移動(dòng)通信發(fā)展與天線技術(shù)的創(chuàng)新

隨著移動(dòng)互聯(lián)網(wǎng)的持續(xù)發(fā)展以及物聯(lián)網(wǎng)的高速增長(zhǎng)，移動(dòng)寬帶技術(shù)不斷向前演進(jìn)。移動(dòng)寬帶技術(shù)的發(fā)展刺激了MBB流量的激增。2014年上半年，全球移動(dòng)用戶連接數(shù)預(yù)計(jì)將達(dá)到70億，覆蓋全球96%以上的人口，其中3G和4G移動(dòng)用戶連接數(shù)之和也將達(dá)到24億，占據(jù)全球總量的三分之一以上。這些數(shù)據(jù)表明MBB業(yè) 務(wù)正在快速增長(zhǎng)。
關(guān)鍵字：移動(dòng)通信天線技術(shù) 創(chuàng)新 3D-MIMO 波束智能賦型

3D NAND延續(xù)摩爾定律電容耦合效應(yīng)及可靠度仍為技術(shù)關(guān)鍵

　　DIGITIMES Research觀察，2D NANDFlash制程在物理限制下難度加劇，透過3DNAND Flash制程，無論是效能及儲(chǔ)存容量提升上都有突破性的改善。 3D NAND Flash可謂為摩爾定律在半導(dǎo)體內(nèi)存領(lǐng)域延伸的一項(xiàng)重要技術(shù)。　　3D NAND Flash依存儲(chǔ)元件儲(chǔ)存機(jī)制可分浮動(dòng)閘極(Floating Gate;FG)及電荷缺陷儲(chǔ)存(Charge Trap;CT);依不同堆棧結(jié)構(gòu)技術(shù)又可分為BiCS、P-BiCS、TCAT、VG-NAND Flash、DC-SF、S-SCG
關(guān)鍵字：摩爾定律 3D NAND

2016年全球前十大半導(dǎo)體業(yè)者排名出爐

　　2016年全球前十大半導(dǎo)體業(yè)者排名出爐。據(jù)IHSMarkit所搜集的數(shù)據(jù)顯示，2016年全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的營收成長(zhǎng)2%，而前十大半導(dǎo)體業(yè)者的營收則成長(zhǎng)2.3%，優(yōu)于產(chǎn)業(yè)平均水平。以個(gè)別產(chǎn)品類型來看，DRAM與NANDFlash是2016年?duì)I收成長(zhǎng)動(dòng)能最強(qiáng)的產(chǎn)品，成長(zhǎng)幅度超過30%;車用半導(dǎo)體的市場(chǎng)規(guī)模也比2015年成長(zhǎng)9.7%。　　IHS預(yù)期，由于市場(chǎng)需求強(qiáng)勁，2017年內(nèi)存市場(chǎng)的營收規(guī)?？赏賱?chuàng)新高，車用半導(dǎo)體市場(chǎng)的規(guī)模則有機(jī)會(huì)成長(zhǎng)超過10%。整體來說，2017年半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的表現(xiàn)將出現(xiàn)穩(wěn)健成長(zhǎng)。
關(guān)鍵字： DRAM NANDFlash

三星 3D NAND 快閃存儲(chǔ)器新廠上半年投產(chǎn)

　　三星電子周二宣布，位在首爾南方的新芯片廠施工進(jìn)度順利，將如期于 2017 上半年投產(chǎn)。　　三星新芯片廠于 2015 年動(dòng)土，共投入 15.6 萬億韓元(約 144 億美元)建廠，為三星史上最大單一產(chǎn)線投資項(xiàng)目。據(jù)三星表示，新廠第一階段施工目前已完成九成。　　新芯片廠主要用于生產(chǎn)高容量 3D 立體 NAND 快閃存儲(chǔ)器?？扉W存儲(chǔ)器可取代傳統(tǒng)硬盤，并廣泛應(yīng)用于數(shù)碼相機(jī)、智能手機(jī)與其他 USB 界面儲(chǔ)存設(shè)備。　　市調(diào)機(jī)構(gòu) DRAMeXchange 日前指出，三星穩(wěn)坐去年第四季 NAND 快閃存儲(chǔ)
關(guān)鍵字：三星 3D NAND

發(fā)展3D NAND閃存的意義

“首屆IC咖啡國際智慧科技產(chǎn)業(yè)峰會(huì)”于2017年1月14日在上海召開，長(zhǎng)江存儲(chǔ)集團(tuán)公司CEO楊士寧介紹了對(duì)存儲(chǔ)器市場(chǎng)的看法，及選擇3D NAND閃存作為主打產(chǎn)品的戰(zhàn)略思考。
關(guān)鍵字：存儲(chǔ)器 3D NAND DRAM 20170203

迎需求熱潮！三星或追投西安3D NAND廠43億美元

　　據(jù)海外媒體報(bào)道，傳三星電子于2017～2018年，將大舉追加投資西安3D NAND Flash廠，業(yè)界人士預(yù)估共將投資約5兆韓元(約43.5億美元)，以迎接存儲(chǔ)器市場(chǎng)史上最大需求熱潮。　　Chosun Biz日前引述業(yè)界消息指出，三星與大陸政府正針對(duì)西安廠第二期投資進(jìn)行商議，2017年三星可望與西安市簽署第二期投資及相關(guān)合作備忘錄。三星于2012年開始在西安廠的第一期投資與現(xiàn)在的第二期投資，皆用于打造3D NAND Flash生產(chǎn)所需設(shè)備及人力費(fèi)用。　　三星目前只使用西安廠腹地約34萬坪中的2
關(guān)鍵字：三星 3D NAND

ARM開發(fā)步步深入之NandFlash 4KB突圍

　　實(shí)驗(yàn)?zāi)康模和黄?KB的Steppingstone存儲(chǔ)空間限制，讀取NandFlash中4KB后的代碼實(shí)現(xiàn)“點(diǎn)燈大法”，借此掌握NandFlash的操作?！　?shí)驗(yàn)環(huán)境及說明：恒頤S3C2410開發(fā)板H2410。H2410核心板的NandFlash選用的是三星片上(SOP)K9F1208U0M，該NandFlash容量為64MB?！　?shí)驗(yàn)思路：開發(fā)板上電啟動(dòng)后，自動(dòng)將NandFlash開始的4K數(shù)據(jù)復(fù)制到SRAM中，然后跳轉(zhuǎn)到0地址開始執(zhí)行。然后初始化存儲(chǔ)控制器SDRAM，調(diào)用NandFlash讀函數(shù)操作
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