首頁　 資訊　 商機 　 下載　 拆解 　 高校　 招聘 　 雜志　 會展　 EETV　 百科 　 問答　 電路圖　 工程師手冊 　 Datasheet　 100例 　 活動中心　 E周刊閱讀 　 樣片申請
EEPW首頁 >> 主題列表 >> 3d-nandflash

移動通信發(fā)展與天線技術(shù)的創(chuàng)新

  • 隨著移動互聯(lián)網(wǎng)的持續(xù)發(fā)展以及物聯(lián)網(wǎng)的高速增長，移動寬帶技術(shù)不斷向前演進。移動寬帶技術(shù)的發(fā)展刺激了MBB流量的激增。2014年上半年，全球移動用戶連 接數(shù)預計將達到70億，覆蓋全球96%以上的人口，其中3G和4G移動用戶連接數(shù)之和也將達到24億，占據(jù)全球總量的三分之一以上。這些數(shù)據(jù)表明MBB業(yè) 務(wù)正在快速增長。
  • 關(guān)鍵字： 移動通信  天線技術(shù)  創(chuàng)新  3D-MIMO  波束智能賦型  

3D NAND延續(xù)摩爾定律 電容耦合效應及可靠度仍為技術(shù)關(guān)鍵

  • 　　DIGITIMES Research觀察，2D NANDFlash制程在物理限制下難度加劇，透過3DNAND Flash制程，無論是效能及儲存容量提升上都有突破性的改善。 3D NAND Flash可謂為摩爾定律在半導體內(nèi)存領(lǐng)域延伸的一項重要技術(shù)。 　　3D NAND Flash依存儲元件儲存機制可分浮動閘極(Floating Gate;FG)及電荷缺陷儲存(Charge Trap;CT);依不同堆棧結(jié)構(gòu)技術(shù)又可分為BiCS、P-BiCS、TCAT、VG-NAND Flash、DC-SF、S-SCG
  • 關(guān)鍵字： 摩爾定律  3D NAND  

2016年全球前十大半導體業(yè)者排名出爐

  • 　　2016年全球前十大半導體業(yè)者排名出爐。據(jù)IHSMarkit所搜集的數(shù)據(jù)顯示，2016年全球半導體產(chǎn)業(yè)的營收成長2%，而前十大半導體業(yè)者的營收則成長2.3%，優(yōu)于產(chǎn)業(yè)平均水平。以個別產(chǎn)品類型來看，DRAM與NANDFlash是2016年營收成長動能最強的產(chǎn)品，成長幅度超過30%;車用半導體的市場規(guī)模也比2015年成長9.7%。 　　IHS預期，由于市場需求強勁，2017年內(nèi)存市場的營收規(guī)?？赏賱?chuàng)新高，車用半導體市場的規(guī)模則有機會成長超過10%。整體來說，2017年半導體產(chǎn)業(yè)的表現(xiàn)將出現(xiàn)穩(wěn)健成長。
  • 關(guān)鍵字： DRAM  NANDFlash  

三星 3D NAND 快閃存儲器新廠上半年投產(chǎn)

  • 　　三星電子周二宣布，位在首爾南方的新芯片廠施工進度順利，將如期于 2017 上半年投產(chǎn)。 　　三星新芯片廠于 2015 年動土，共投入 15.6 萬億韓元(約 144 億美元)建廠，為三星史上最大單一產(chǎn)線投資項目。據(jù)三星表示，新廠第一階段施工目前已完成九成。 　　新芯片廠主要用于生產(chǎn)高容量 3D 立體 NAND 快閃存儲器?？扉W存儲器可取代傳統(tǒng)硬盤，并廣泛應用于數(shù)碼相機、智能手機與其他 USB 界面儲存設(shè)備。 　　市調(diào)機構(gòu) DRAMeXchange 日前指出，三星穩(wěn)坐去年第四季 NAND 快閃存儲
  • 關(guān)鍵字： 三星  3D NAND   

發(fā)展3D NAND閃存的意義

  • “首屆IC咖啡國際智慧科技產(chǎn)業(yè)峰會”于2017年1月14日在上海召開，長江存儲集團公司CEO楊士寧介紹了對存儲器市場的看法，及選擇3D NAND閃存作為主打產(chǎn)品的戰(zhàn)略思考。
  • 關(guān)鍵字： 存儲器  3D NAND  DRAM  20170203  

迎需求熱潮！三星或追投西安3D NAND廠43億美元

  • 　　據(jù)海外媒體報道，傳三星電子于2017～2018年，將大舉追加投資西安3D NAND Flash廠，業(yè)界人士預估共將投資約5兆韓元(約43.5億美元)，以迎接存儲器市場史上最大需求熱潮。 　　Chosun Biz日前引述業(yè)界消息指出，三星與大陸政府正針對西安廠第二期投資進行商議，2017年三星可望與西安市簽署第二期投資及相關(guān)合作備忘錄。三星于2012年開始在西安廠的第一期投資與現(xiàn)在的第二期投資，皆用于打造3D NAND Flash生產(chǎn)所需設(shè)備及人力費用。 　　三星目前只使用西安廠腹地約34萬坪中的2
  • 關(guān)鍵字： 三星  3D NAND  

ARM開發(fā)步步深入之NandFlash 4KB突圍

  • 　　實驗目的：突破4KB的Steppingstone存儲空間限制，讀取NandFlash中4KB后的代碼實現(xiàn)“點燈大法”，借此掌握NandFlash的操作。　　實驗環(huán)境及說明：恒頤S3C2410開發(fā)板H2410。H2410核心板的NandFlash選用的是三星片上(SOP)K9F1208U0M，該NandFlash容量為64MB。　　實驗思路：開發(fā)板上電啟動后，自動將NandFlash開始的4K數(shù)據(jù)復制到SRAM中，然后跳轉(zhuǎn)到0地址開始執(zhí)行。然后初始化存儲控制器SDRAM，調(diào)用NandFlash讀函數(shù)操作
  • 關(guān)鍵字： ARM  NandFlash   

技術(shù)革新日新月異：3D NAND及PCIe NVMe SSD晉升巿場主流

  • 容量更大、價格更低、壽命更長、速度更快，新世代SSD產(chǎn)品的卓越價格性能比，預期將大幅拉近與傳統(tǒng)硬盤市場的規(guī)模差距，兩種儲存裝置已逐漸接近黃金交叉點，高速大容量SSD將成為各式系統(tǒng)設(shè)備及消費者的優(yōu)先選擇。
  • 關(guān)鍵字： 3D NAND  SSD  

汽車車載3D技術(shù)應用助力實現(xiàn)安全駕駛

  • 3D并不是什么新技術(shù)，在消費電子領(lǐng)域已有廣泛的應用，但在汽車應用中卻處于起步階段，仍需要相關(guān)技術(shù)和解決方案有所突破。以汽車安全駕駛應用為
  • 關(guān)鍵字： 車載  3D  安全駕駛  

英特爾下一代突破性3D XPoint內(nèi)存遭遇嚴重推遲

  • 　　去年英特爾宣布了內(nèi)存技術(shù)突破。該公司推出了所謂的3D XPoint技術(shù)，它非常適合DRAM和SSD之間的市場。新的非易失性芯片據(jù)稱會從根本上改變計算，但是現(xiàn)在傳出這一技術(shù)及其產(chǎn)品將被嚴重推遲發(fā)布。 　　根據(jù)英特爾自己的營銷材料顯示，3D XPoint技術(shù)不僅提升非易失性存儲器速度，而且還提供了出色的存儲密度。這使得存儲設(shè)備體積顯著小于現(xiàn)有型號。英特爾當時宣稱這一新技術(shù)不僅僅是一些概念證明，而是準備在今年全面生產(chǎn)與推廣。不幸的是，現(xiàn)在看起來英特爾已經(jīng)遇到麻煩，悄然大大推遲了3D XPoint技術(shù)和產(chǎn)品
  • 關(guān)鍵字： 英特爾  3D XPoint  

英特爾下一代突破性3D XPoint內(nèi)存遭遇嚴重推遲

  • 　　去年英特爾宣布了內(nèi)存技術(shù)突破。該公司推出了所謂的3D XPoint技術(shù)，它非常適合DRAM和SSD之間的市場。新的非易失性芯片據(jù)稱會從根本上改變計算，但是現(xiàn)在傳出這一技術(shù)及其產(chǎn)品將被嚴重推遲發(fā)布。 　　根據(jù)英特爾自己的營銷材料顯示，3D XPoint技術(shù)不僅提升非易失性存儲器速度，而且還提供了出色的存儲密度。這使得存儲設(shè)備體積顯著小于現(xiàn)有型號。英特爾當時宣稱這一新技術(shù)不僅僅是一些概念證明，而是準備在今年全面生產(chǎn)與推廣。不幸的是，現(xiàn)在看起來英特爾已經(jīng)遇到麻煩，悄然大大推遲了3D XPoint技術(shù)和產(chǎn)品
  • 關(guān)鍵字： 英特爾  3D XPoint  

2017年中國將推自主生產(chǎn)3D NAND閃存，32層堆棧

  • 　　摘要：由于智能手機、SSD市場需求強烈，閃存、內(nèi)存等存儲芯片最近都在漲價，這也給了中國公司介入存儲芯片市場的機遇。在中國發(fā)展半導體產(chǎn)業(yè)的規(guī)劃中，存儲芯片是最優(yōu)先的，也是全國各地都爭著上馬的項目，其中國家級的存儲芯片基地在武漢，投資超過240億美元，之前是新芯科技主導，現(xiàn)在已經(jīng)變成了紫光公司主導，預計2017年正式推出自主生產(chǎn)的3D NAND閃存，而且是32層堆棧的，起點不算低。 　　2015年中，國家級存儲芯片基地確定落戶武漢市，由武漢新芯科技公司負責建設(shè)，今年3月份12寸晶圓廠正式動工，整個項目預
  • 關(guān)鍵字： SSD  3D NAND  

2017年中國將推自主生產(chǎn)32層堆棧3D NAND閃存

  • 　　由于智能手機、SSD市場需求強烈，閃存、內(nèi)存等存儲芯片最近都在漲價，這也給了中國公司介入存儲芯片市場的機遇。在中國發(fā)展半導體產(chǎn)業(yè)的規(guī)劃中，存儲芯片是最優(yōu)先的，也是全國各地都爭著上馬的項目，其中國家級的存儲芯片基地在武漢，投資超過240億美元，之前是新芯科技主導，現(xiàn)在已經(jīng)變成了紫光公司主導，預計2017年正式推出自主生產(chǎn)的3D NAND閃存，而且是32層堆棧的，起點不算低。 　　   　　2015年中，國家級存儲芯片基地確定落戶武漢市，由武漢新芯科技公司負責建設(shè)，今年3月份12寸晶圓
  • 關(guān)鍵字： 3D NAND  

DIY 3D全息投影儀

  • YouTube上的科技頻道總不乏各種技術(shù)宅的奇思妙想，日前，一位名為“Mrwhosetheboss”發(fā)布了一則有趣的視頻，記錄了他將一臺智能手機打造成一臺3D全息投影儀的全過程。 下面就讓我們一起來見證一下奇跡發(fā)
  • 關(guān)鍵字： 3D  全息投影儀  DIY  

高速信號采集記錄儀設(shè)計

  • 摘要：針對高速信號實時采集存儲的需求，設(shè)計了一種高速信號采集記錄儀。記錄儀通過高速A/D轉(zhuǎn)換器對信號進行采樣，并實時存入NAND FLASH存儲陣列中。為提高數(shù)據(jù)存儲速率，綜合采用并行總線、交錯雙平面頁編程、多級
  • 關(guān)鍵字： 高速采樣  高速存儲  NANDFLASH  
共669條 11/45 |‹ « 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 » ›|

3d-nandflash介紹

您好，目前還沒有人創(chuàng)建詞條3d-nandflash!
歡迎您創(chuàng)建該詞條，闡述對3d-nandflash的理解，并與今后在此搜索3d-nandflash的朋友們分享。    創(chuàng)建詞條

熱門主題

樹莓派    linux   
關(guān)于我們 - 廣告服務(wù) - 企業(yè)會員服務(wù) - 網(wǎng)站地圖 - 聯(lián)系我們 - 征稿 - 友情鏈接 - 手機EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權(quán)所有 北京東曉國際技術(shù)信息咨詢有限公司
備案 京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052    京公網(wǎng)安備11010802012473