EEPW首頁(yè) >>
主題列表 >>
40nm
40nm 文章 進(jìn)入40nm技術(shù)社區(qū)
AMD Ontario APU性能初窺:大勝Atom
- 有關(guān)AMD Fusion APU融合加速處理器的消息最近相當(dāng)多,其中用于超薄本和上網(wǎng)本的40nm Ontario更是將在今年年底正式發(fā)布,AMD路線圖上也出現(xiàn)了新的代號(hào)Zacate,那么Ontario APU的性能到底如何呢?Ontario將由臺(tái)積電采用40nm工藝制造,處理器部分包括兩個(gè)或一個(gè)核心,基于Bobcat新架構(gòu),圖形部分則基于DX11架構(gòu)。顯然,后者擊敗Atom平臺(tái)毫無(wú)懸念,關(guān)鍵就是前者能否做到性能和功耗的平衡。 有趣的是,BOINC(伯克利開(kāi)放式網(wǎng)絡(luò)計(jì)算平臺(tái))近日無(wú)意中透露了Ont
- 關(guān)鍵字: AMD 處理器 40nm
面向移動(dòng)設(shè)備:爾必達(dá)宣布40nm 2Gb密度 LPDDR2芯片開(kāi)發(fā)完成
- 日本內(nèi)存芯片廠商爾必達(dá)公司最近宣稱公司已經(jīng)開(kāi)發(fā)出了世界尺寸最小的LPDDR2內(nèi)存芯片,這種芯片的容量密度達(dá)2Gb,采用40nm制程技術(shù)制作,芯片 的型號(hào)為ECB240ABBCN,芯片數(shù)據(jù)傳輸率達(dá)1066Mbps,工作電壓為1.2V,可在-30-85℃條件下工作。LPDDR2是JEDEC組織 認(rèn)可的低功耗DDR2內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn),支持這種標(biāo)準(zhǔn)的芯片產(chǎn)品專門面向智能手機(jī),平板電腦等移動(dòng)設(shè)備。 爾必達(dá)稱該內(nèi)存芯片產(chǎn)品將于今年8月份開(kāi)始量產(chǎn),產(chǎn)品將以Pop型FBGA封裝和134腳FBGA兩種封裝形式供貨,并可以
- 關(guān)鍵字: 爾必達(dá) 40nm LPDDR2
中國(guó)半導(dǎo)體業(yè)再次發(fā)起沖擊
- 沉寂了一段時(shí)間后,中國(guó)半導(dǎo)體業(yè)又重新開(kāi)始沖剌,表現(xiàn)為上海華力12英寸項(xiàng)目啟動(dòng)及中芯國(guó)際擴(kuò)充北京12英寸生產(chǎn)線產(chǎn)能至4.5萬(wàn)片,包括可能在北京再建一條12英寸生產(chǎn)線等。 然而,從國(guó)外媒體來(lái)的訊息表示的觀點(diǎn)有些不同。如美國(guó)Information Network認(rèn)為中國(guó)半導(dǎo)體業(yè)在政府資金支持下,在未來(lái)的5年內(nèi)將投資250億美元,可能再次掀起高潮。但也不排除,有的市場(chǎng)分析公司對(duì)于投資的回報(bào)率存有質(zhì)疑,其實(shí)這一切才是正常的。因?yàn)橹袊?guó)半導(dǎo)體業(yè)是屬于戰(zhàn)略產(chǎn)業(yè),不是完全可用市場(chǎng)機(jī)制,單一的經(jīng)濟(jì)規(guī)律來(lái)解釋得通。
- 關(guān)鍵字: 半導(dǎo)體 28nm 40nm
“新摩爾時(shí)代”的新興應(yīng)用與技術(shù)探尋(上)
- 有人說(shuō)現(xiàn)在是大公司時(shí)代,強(qiáng)者更強(qiáng),因此電子業(yè)內(nèi)兼并重組現(xiàn)象時(shí)有發(fā)生。有人卻說(shuō),未來(lái)給中小企業(yè)帶來(lái)了機(jī)會(huì),只要你的技術(shù)或產(chǎn)品在專注的領(lǐng)域里能排在前三,因?yàn)榘l(fā)達(dá)的媒體業(yè)鏟平了信息阻隔,為更多的中小企業(yè)創(chuàng)造了貿(mào)易機(jī)會(huì)。 最近,筆者參加了美國(guó)Globalpress公司在硅谷周邊——Santa Cruz舉辦的Electronic Summit2010(電子高峰會(huì)議),有約30家公司參與,大部分是中小企業(yè)。從中感慨到:摩爾定律揭示了半導(dǎo)體業(yè)正向40/32/28nm制程推進(jìn)的必然過(guò)
- 關(guān)鍵字: 摩爾定律 40nm 32nm 28nm 201006
Altera開(kāi)始量產(chǎn)發(fā)售Stratix IV FPGA系列密度最大器件
- Altera公司今天宣布,開(kāi)始量產(chǎn)發(fā)售40-nm Stratix? IV FPGA系列密度最大的器件。Stratix IV E EP4SE820具有820K邏輯單元(LE),非常適合需要高密度、高性能和低功耗FPGA的各類高端應(yīng)用,包括ASIC原型開(kāi)發(fā)和仿真、無(wú)線、固網(wǎng)、軍事、計(jì)算機(jī)和存儲(chǔ)應(yīng)用等。此次發(fā)布后,Altera高端40-nm Stratix IV FPGA系列全部面市,所有器件都已量產(chǎn)發(fā)售。 Stratix IV E器件作為Stratix IV FPGA系列的型號(hào)之一,同時(shí)實(shí)現(xiàn)
- 關(guān)鍵字: Altera 40nm Stratix
東芝發(fā)布40nm工藝SoC用低電壓SRAM技術(shù)
- 東芝在“2010 Symposium on VLSI Technology”(2010年6月15~17日,美國(guó)夏威夷州檀香山)上,發(fā)布了采用09年開(kāi)始量產(chǎn)的40nm工藝SoC的低電壓SRAM技術(shù)。該技術(shù)為主要用于便攜產(chǎn)品及消費(fèi)類產(chǎn)品的低功耗工藝技術(shù)。通過(guò)控制晶體管閾值電壓的經(jīng)時(shí)變化,可抑制SRAM的最小驅(qū)動(dòng)電壓上升。東芝此次證實(shí),單元面積僅為0.24μm2的32Mbit SRAM的驅(qū)動(dòng)電壓可在確保95%以上成品率的情況下降至0.9V。因此,低功耗SoC的驅(qū)動(dòng)電壓可從65n
- 關(guān)鍵字: 東芝 40nm SoC SRAM
拆東墻補(bǔ)西墻:AMD芯片組產(chǎn)品缺貨現(xiàn)象將延續(xù)至9月底
- 據(jù)主板業(yè)者透露,AMD公司為了緩解旗下GPU市場(chǎng)供貨緊缺的問(wèn)題,曾授意其顯卡/芯片組代工廠商臺(tái)積電公司將原先用于生產(chǎn)AMD55nm制程芯片組產(chǎn) 品的產(chǎn)線改為生產(chǎn)GPU芯片,業(yè)者預(yù)計(jì)此舉有可能導(dǎo)致AMD的芯片組產(chǎn)品出現(xiàn)供貨緊缺現(xiàn)象。 2009年下半年,由于臺(tái)積電公司40nm制程良率出現(xiàn)問(wèn)題,AMD公司的40nm制程HD5000系列顯卡曾一度出現(xiàn)嚴(yán)重缺貨,結(jié)果導(dǎo)致顯卡廠商饑不擇食改下55nm Radeon HD4000系列顯卡GPU訂單,不過(guò)由于AMD公司此前對(duì)55nm GPU芯片的市場(chǎng)需求估計(jì)過(guò)低
- 關(guān)鍵字: AMD 40nm GPU
爾必達(dá)宣布全球最小40nm 2Gb移動(dòng)內(nèi)存顆粒
- 據(jù)報(bào)道,日本DRAM大廠爾必達(dá)今天宣布已經(jīng)研發(fā)出40nm 2Gb移動(dòng)(Mobile RAM)內(nèi)存顆粒。該顆粒大小不到50平方毫米,號(hào)稱目前能夠使用40nm工藝實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)的最小顆粒。該2Gb移動(dòng)內(nèi)存顆?;?0nm CMOS工藝,支持x16-bit、x32-bit位寬,采用60/90-ball FBGA或PoP式FBGA封裝。除JEDEC標(biāo)準(zhǔn)的1.8V電壓外,該顆粒還可支持1.2V的低電壓工作,數(shù)據(jù)傳輸率400Mbps,工作溫度-25到85度。 爾必達(dá)稱,新40nm顆粒在使用了爾必達(dá)獨(dú)家設(shè)計(jì)工藝以及
- 關(guān)鍵字: 爾必達(dá) 40nm 內(nèi)存
AMD將使用40nm體硅制程技術(shù)制作Fusion集顯處理器
- 據(jù)Digitimes網(wǎng)站報(bào)道,AMD公司計(jì)劃將其集顯處理器產(chǎn)品Fusion外包給臺(tái)積電公司代工生產(chǎn),而臺(tái)積電公司則將使用40nm體硅制程技術(shù)來(lái)生 產(chǎn)這款產(chǎn)品,另外這款處理器的后端封裝等則將外包給矽品願(yuàn)景( Siliconware Precision Industries:(SPIL)公司。而與AMD關(guān)系緊密的Globalfoundries也將獲得Fusion集顯處理器的一部分訂單,據(jù) TechEye網(wǎng)站最近的一篇報(bào)道顯示, Globalfoundries公司目前正在使用32nm SOI制程技術(shù)為AMD
- 關(guān)鍵字: AMD 40nm 集顯處理器
三星將加大40nm制程DDR3內(nèi)存芯片產(chǎn)能
- 頂級(jí)內(nèi)存/閃存芯片廠商三星公司近日宣布由于Intel至強(qiáng)5600系列新處理器的出爐,刺激服務(wù)器廠商對(duì)DDR3內(nèi)存的需求量大增,因此公司將增加 40nm制程DDR3內(nèi)存芯片的產(chǎn)能。三星表示其40nm制程DDR3內(nèi)存芯片產(chǎn)品的耗電量將比60nm制程產(chǎn)品低40%左右,目前其40nm制程 DDR3內(nèi)存芯片產(chǎn)品的型號(hào)主要有1Gb/2Gb/4Gb幾種,可用于制作1GB/2GB/4GB/8GB/16GB以及32GB registed內(nèi)存條。 三星半導(dǎo)體公司的副總裁Jim Elliott表示:“當(dāng)與
- 關(guān)鍵字: 三星 內(nèi)存芯片 40nm DDR3
Altera公布第一季度業(yè)績(jī)
- Altera公司今天發(fā)布宣布,第一季度銷售額達(dá)到4.023億美元,比2009年第四季度增長(zhǎng)10%,比2009年第一季度增長(zhǎng)52%。新產(chǎn)品銷售持續(xù)增長(zhǎng)29%。今年第一季度凈收入達(dá)到1.532億美元,每股攤薄后收益為0.5美元,而2009年第四季度凈收入為1.03億美元,每股攤薄后收益0.34美元,2009年第一季度凈收入為0.44億美元,每股攤薄后收益0.15美元。 運(yùn)營(yíng)現(xiàn)金流為1.327億美元。Altera本季度末流動(dòng)資金和短期投入達(dá)到17億美元。 Altera董事會(huì)宣布,每股0.05美元
- 關(guān)鍵字: Altera FPGA 65nm 40nm
全球最大容量 爾必達(dá)4Gb DDR3顆粒開(kāi)發(fā)完成
- 日本DRAM大廠爾必達(dá)今天宣布,已經(jīng)成功開(kāi)發(fā)出4Gbit容量DDR3內(nèi)存顆粒。這是目前市場(chǎng)上DDR3顆粒的最大容量,只需單面8顆即可組成 4GB容量?jī)?nèi)存條,雙面16顆即可構(gòu)成單條8GB內(nèi)存。該顆粒使用40nm CMOS工藝制造,相比同工藝的2Gb顆??晒?jié)能30%。支持x4、x8、x16 bit位寬,其中x4/x8位寬版本采用78-ball FBGA封裝,x16bit產(chǎn)品采用96-ball FBGA封裝。除DDR3標(biāo)準(zhǔn)的1.5V電壓外,還可支持1.35V低壓標(biāo)準(zhǔn)。 爾必達(dá)計(jì)劃將該顆粒使用在單條32
- 關(guān)鍵字: 爾必達(dá) 40nm CMOS DDR3
供給有限、需求強(qiáng)勁 DRAM產(chǎn)業(yè)可連賺三年
- 根據(jù)DRAMeXchange的預(yù)測(cè),從今年到2012年,DRAM產(chǎn)業(yè)供給方面在產(chǎn)能擴(kuò)充、資本支出、浸潤(rùn)式機(jī)臺(tái)供給有限,以及40nm以下制程轉(zhuǎn)進(jìn)難度高影響下,位成長(zhǎng)有限。而DRAM需求在全球景氣復(fù)蘇,帶動(dòng)消費(fèi)者及企業(yè)換機(jī)潮,以及智能型手機(jī)帶動(dòng)行動(dòng)內(nèi)存需求大幅成長(zhǎng)下則將動(dòng)力強(qiáng)勁,預(yù)期未來(lái)三年DRAM產(chǎn)業(yè)有機(jī)會(huì)連續(xù)獲利。 DRAMeXchange指出,DRAM產(chǎn)業(yè)過(guò)去十幾年來(lái),幾乎每三年為一景氣循環(huán)周期,以DRAM廠的營(yíng)業(yè)獲利率分析,2001至2003年DRAM產(chǎn)業(yè)連續(xù)三年虧損,2004至2006年轉(zhuǎn)
- 關(guān)鍵字: 智能手機(jī) DRAM 40nm
IMEC、瑞薩、M4S聯(lián)手推出單芯片無(wú)線收發(fā)器
- 在2010年2月10日召開(kāi)的國(guó)際固態(tài)電子電路大會(huì)上,IMEC、株式會(huì)社瑞薩科技(以下簡(jiǎn)稱瑞薩)、M4S聯(lián)手推出了利用40nm低功耗CMOS工藝制造而成、帶有RF、基帶和數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器電路的完整收發(fā)器。這款完全可重配置的收發(fā)器符合各種無(wú)線標(biāo)準(zhǔn)和應(yīng)用要求,并且符合即將推出的移動(dòng)寬帶3GPP-LTE標(biāo)準(zhǔn)。 可隨時(shí)隨地為用戶提供大量服務(wù)的無(wú)線通信終端發(fā)展趨勢(shì),推動(dòng)了利用深亞微米CMOS工藝制造而成的可重配置無(wú)線電的發(fā)展。就3GPP-LTE標(biāo)準(zhǔn)自身非常靈活的特性而言,可重配置無(wú)線電就成為其最經(jīng)濟(jì)的實(shí)現(xiàn)方式。并
- 關(guān)鍵字: 瑞薩 40nm CMOS 無(wú)線收發(fā)器
您好,目前還沒(méi)有人創(chuàng)建詞條40nm!
歡迎您創(chuàng)建該詞條,闡述對(duì)40nm的理解,并與今后在此搜索40nm的朋友們分享。 創(chuàng)建詞條
歡迎您創(chuàng)建該詞條,闡述對(duì)40nm的理解,并與今后在此搜索40nm的朋友們分享。 創(chuàng)建詞條
關(guān)于我們 -
廣告服務(wù) -
企業(yè)會(huì)員服務(wù) -
網(wǎng)站地圖 -
聯(lián)系我們 -
征稿 -
友情鏈接 -
手機(jī)EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權(quán)所有 北京東曉國(guó)際技術(shù)信息咨詢有限公司
京ICP備12027778號(hào)-2 北京市公安局備案:1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權(quán)所有 北京東曉國(guó)際技術(shù)信息咨詢有限公司
京ICP備12027778號(hào)-2 北京市公安局備案:1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473