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臺(tái)積電計(jì)劃于2012年Q3開始試產(chǎn)22nm HP制程芯片

  • 　　據(jù)臺(tái)積電公司負(fù)責(zé)開發(fā)的高級(jí)副總裁蔣尚義透露，他們計(jì)劃于2012年第三季度開始試產(chǎn)22nm HP(高性能)制程的芯片產(chǎn)品，并將于2013年第一季度開始試產(chǎn)22nm LP(低功耗)制程的芯片產(chǎn)品。蔣尚義是在日前于日本橫濱召開的一次半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)論壇會(huì)議上透露這些信息的。 　　會(huì)上蔣尚義還透露了臺(tái)積電28nm制程推進(jìn)計(jì)劃的細(xì)節(jié)，據(jù)他表示，臺(tái)積電將于今年6月底前開始試產(chǎn)28nm低功耗制程(LP)產(chǎn)品，基于這種制程產(chǎn)品將采用SiON+多晶硅材料制作管子的柵極絕緣層和柵極;隨后的9月份臺(tái)積電計(jì)劃啟動(dòng)首款基于HKMG
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三星首家量產(chǎn)40nm級(jí)工藝4Gb DDR3綠色內(nèi)存芯片

  • 　　三星電子宣布，該公司已經(jīng)在業(yè)內(nèi)第一家使用40nm級(jí)別工藝批量生產(chǎn)低功耗的4Gb DDR3內(nèi)存芯片。 　　這種內(nèi)存芯片支持1.5V和1.35V兩種工作電壓，可組裝成16/32GB RDIMM服務(wù)器內(nèi)存條或者8GB SO-DIMM筆記本內(nèi)存條，性能1.6Gbps，功耗相比于上一代產(chǎn)品降低35%，能為數(shù)據(jù)中心、服務(wù)器系統(tǒng)或者高端筆記本節(jié)省大量能源。 　　三星指出，目前服務(wù)器系統(tǒng)平均每路處理器搭配六條RDIMM內(nèi)存條，總?cè)萘孔畲?6GB，如果是60nm 1Gb DDR2芯片，內(nèi)存子系統(tǒng)功耗可達(dá)210W，換
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產(chǎn)能堪憂：臺(tái)積電40nm制程一波未平一波又起

  • 　　在近日舉辦的Nvidia公司季度財(cái)報(bào)會(huì)議上，公司高管表示Nvidia公司去年第四季度本可售出更多數(shù)量的顯卡產(chǎn)品，不過由于代工商方面的40nm制程 產(chǎn)能有限，因此無法及時(shí)供應(yīng)足夠數(shù)量的顯卡芯片，公司未能達(dá)成預(yù)期的銷售目標(biāo)。Nvidia高管并估計(jì)公司因此而遭受的損失在1-1.5億美元左右。 　　Nvidia公司在會(huì)上表示目前全球40nm制程產(chǎn)品的產(chǎn)能仍較為有限，并且這種產(chǎn)能低下的狀態(tài)可能會(huì)延遲到今年上半年。盡管沒有指明道姓，但作為Nvidia公司第一代工商的臺(tái)積電公司顯然難辭其咎;不過，其客戶Nvidi
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Nvida稱公司業(yè)績(jī)受TSMC產(chǎn)能限制影響

  • 　　Nvidia公布了強(qiáng)勁的季度數(shù)據(jù)，但該顯示芯片巨頭稱公司仍然受代工廠商產(chǎn)能限制的困擾。 　　據(jù)報(bào)道，Nvidia正在受其代工合作伙伴TSMC 40nm產(chǎn)能短缺的困擾。TSMC 40nm制程遇到了良率問題，但該公司稱主要問題已經(jīng)得到解決。 　　Nvida受TSMC產(chǎn)能的影響。在一次電話會(huì)議上，Nvidia宣稱本季度公司本可以出貨更多芯片。Nvidia稱因此減少的銷售額約為1億至1.5億美元。
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華邦電子宣布將于年內(nèi)開始40nm制程技術(shù)研發(fā)

  • 　　華邦電子公司的總裁詹東義近日宣布，華邦公司將于年內(nèi)開始40nm制程工藝的開發(fā)，不過華邦拒絕就其將于爾必達(dá)合作進(jìn)行40nm制程產(chǎn)品制作的傳言進(jìn)行評(píng)論。華邦公司今年的資本支出預(yù)算為67億新臺(tái)幣(約20.2915億美元)，比去年的42億新臺(tái)幣有較大增長(zhǎng)，據(jù)悉開發(fā)40nm制程所需的費(fèi)用已經(jīng)包含在今年的預(yù)算中。 　　公司計(jì)劃將旗下12英寸芯片廠的月產(chǎn)能由目前的3.2萬片提升到3.4萬片左右，另外公司還計(jì)劃將NOR閃存芯片12英寸晶圓的月產(chǎn)能由現(xiàn)有的月產(chǎn)4000片提升至6000片。
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AMD獨(dú)顯市場(chǎng)份額下降 疑因臺(tái)積電40nm制程良率不佳

  • 　　據(jù)Jon Peddie Research市調(diào)公司最近的調(diào)查數(shù)據(jù)顯示，去年四季度Intel公司的集顯產(chǎn)品銷售成績(jī)相當(dāng)不錯(cuò)，而AMD和Nvidia的相關(guān)市場(chǎng)份額則相比前年同 期均有不同程度的下跌。   　　據(jù)JPR的調(diào)查數(shù)據(jù)顯示，AMD公司在筆記本集顯GPU市場(chǎng)上的份額有所增加，不過他們?cè)谂_(tái)式機(jī)以及筆記本平臺(tái)上的獨(dú)顯市場(chǎng)份額則出現(xiàn)了下降現(xiàn)象--估計(jì)是由于臺(tái)積電40nm制程良率不佳的影響。于此同時(shí)，Nvidia公司臺(tái)式機(jī)平臺(tái)的獨(dú)顯市場(chǎng)份額則出現(xiàn)了提升，而在集顯市場(chǎng)上出現(xiàn)了下跌--這種下跌的
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賽靈思40nm Virtex-6 FPGA系列通過全生產(chǎn)驗(yàn)證

  • 　　全球可編程邏輯解決方案領(lǐng)導(dǎo)廠商賽靈思公司(Xilinx, Inc. )與全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體代工廠商聯(lián)華電子( UMC (NYSE: UMC; TSE: 2303))今天共同宣布，采用聯(lián)華電子高性能40nm工藝的Virtex®-6 FPGA，已經(jīng)完全通過生產(chǎn)前的驗(yàn)證。這是雙方工程團(tuán)隊(duì)為進(jìn)一步提升良率、增強(qiáng)可靠性并縮短生產(chǎn)周期而努力合作的成果。Virtex-6系列通過生產(chǎn)驗(yàn)證， 意味著聯(lián)華電子繼2009年3月發(fā)布首批基于40nm工藝的器件后，正式將該工藝轉(zhuǎn)入量產(chǎn)。 　　“對(duì)于我們長(zhǎng)
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臺(tái)積電稱其已解決造成40nm制程良率不佳的工藝問題

  • 　　據(jù)臺(tái)積電公司高級(jí)副總裁劉德音最近在一次公司會(huì)議上表示，臺(tái)積電40nm制程工藝的良率已經(jīng)提升至與現(xiàn)有65nm制程相同的水平，他并表示公司已經(jīng)完美解決了先前造成40nm制程良率不佳的工藝腔匹配(Chamber matching)問題.   　　臺(tái)積電19日舉辦了一場(chǎng)慶祝Phase5新廠房完工的慶典儀式，這間廠房隸屬于新竹科技園區(qū)的臺(tái)積電Fab12工廠.據(jù)悉新完工的Phase5廠房將于今年第三季度起開始批量投產(chǎn)28nm制程產(chǎn)品。 　　另據(jù)劉德音表示，臺(tái)積電正在計(jì)劃興建Fab12 Phas
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傳40nm制程代工廠良率普遍低于70%

  • 　　據(jù)業(yè)者透露，包括臺(tái)積電在內(nèi)的各家芯片生產(chǎn)公司目前的40nm制程良率均無法突破70%大關(guān)。這種局面恐將對(duì)下一代顯卡和FPGA芯片等產(chǎn)品的市場(chǎng)供貨造成一 定的影響。臺(tái)積電不久前在股東會(huì)上曾透露40nm制程產(chǎn)線遭遇工藝腔匹配問題，由此造成40nm產(chǎn)品良率不佳，不過目前他們?nèi)ツ甑姿坪跻呀?jīng)解決了這個(gè)問 題。 　　另外，聯(lián)電目前也正在其12英寸廠房中實(shí)施40nm制程芯片的量產(chǎn)。據(jù)業(yè)內(nèi)人士透露，目前提供40nm制程FPGA芯片代工服務(wù)的Xilinx公司也出于保險(xiǎn)起見開始推行多品種經(jīng)營(yíng)策略，以免受到40nm制程良率
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臺(tái)積電40nm制程工藝良率已恢復(fù)至正常穩(wěn)定水平

  • 　　據(jù)AMD官方確認(rèn)，臺(tái)積電公司40nm制程工藝的良率已趨于穩(wěn)定，而盡管AMD/ATI公司的HD5800系列顯卡的價(jià)格仍保持在較高的水平，但其供貨量已經(jīng)恢復(fù)到了正常的水平。 　　今年十月份左右的時(shí)段，臺(tái)積電公司40nm制程工藝的良率曾一度僅達(dá)到40%左右，導(dǎo)致臺(tái)積電的兩個(gè)主要客戶AMD/ATI以及Nvidia兩家公司的相關(guān)顯卡產(chǎn)品出現(xiàn)了較為嚴(yán)重的缺貨現(xiàn)象，不過臺(tái)積電高層曾承諾稱其40nm制程良率會(huì)在年底回復(fù)正常水平，看起來他們這次的承諾算是兌現(xiàn)了。 　　今日新蛋網(wǎng)店上的HD5800系列顯卡上貨率也恢復(fù)
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爾必達(dá)宣布40nm制程2Gb DDR3內(nèi)存芯片已投入量產(chǎn)

  • 　　爾必達(dá)公司近日宣布其位于廣島的芯片廠已經(jīng)開始量產(chǎn)40nm制程2Gb DDR3內(nèi)存芯片產(chǎn)品，爾必達(dá)公司今年10月份剛剛完成40nm制程2Gb DDR3內(nèi)存芯片技術(shù)的開發(fā)工作，而他們只用了兩個(gè)月的時(shí)間便將這項(xiàng)技術(shù)投入了量產(chǎn)。 ? 　　比較現(xiàn)有的50nm制程技術(shù)，40nm制程能在每片晶圓上多產(chǎn)出44%的DDR3內(nèi)存芯片，而且新制程用于生產(chǎn)1.6Gbps規(guī)格的DDR3內(nèi)存芯片時(shí)的良率可達(dá)100%。芯片工作電壓方面，40nm制程的DDR3芯片也比50nm制程的產(chǎn)品的1.5V降低了2/3左右，達(dá)到1
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Hynix宣布開發(fā)出首款40nm制程2Gb GDDR5顯存芯片

  • 　　Hynix公司近日宣布成功開發(fā)出了業(yè)內(nèi)首款面向PC機(jī)和游戲機(jī)的40nm制程2Gb GDDR5顯存顆粒產(chǎn)品。Hynix稱這款新開發(fā)出來的GDDR5顯存運(yùn)行頻率可達(dá)7GHz，在芯片位寬為32位的條件下，芯片的傳輸帶寬可達(dá) 28GB/s.這款GDDR5芯片的工作電壓為1.35V，比Hynix公司原有基于50nm制程的GDDR5產(chǎn)品能耗可下降20%左右。 ? 　　Hynix公司計(jì)劃于明年下半年開始量產(chǎn)這種40nm制程2Gb GDDR5芯片。
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傳臺(tái)積電取消32nm工藝

  • 　　據(jù)稱，全球第一大半導(dǎo)體代工廠臺(tái)積電已經(jīng)完全取消了下一代32nm工藝，算上一直不順利的40nm工藝真可謂是屋漏偏逢連夜雨了。 　　臺(tái)積電方面尚未就此發(fā)表官方評(píng)論，不過已經(jīng)有多個(gè)消息來源確認(rèn)了這一點(diǎn)。 　　不過這并不意味著臺(tái)積電的新工藝研發(fā)就走進(jìn)了死胡同。 　　事實(shí)上，臺(tái)積電在今年八月底就已經(jīng)在全球首家成功使用28nm工藝試制了64Mb SRAM單元，并在三種不同工藝版本上實(shí)現(xiàn)了相同的良品率。 　　按照規(guī)劃，臺(tái)積電將在明年前三個(gè)季度分別開始試產(chǎn)28nm高性能高K金屬柵極(28HP)、28nm低功耗
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Hynix40nm 2Gb DDR3內(nèi)存芯片通過Intel驗(yàn)證

  • 　　韓國Hynix公司宣布其40nm制程2Gb DDR3內(nèi)存芯片產(chǎn)品通過了Intel的認(rèn)證，Hynix并稱將開始批量生產(chǎn)這種芯片產(chǎn)品，另外他們還宣稱面向服務(wù)器應(yīng)用的Registered DIMM產(chǎn)品的驗(yàn)證工作也將于年底前順利完成。 　　這次通過驗(yàn)證的Hynix產(chǎn)品有2Gb DDR3 SDRAM內(nèi)存芯片，4GB DDR3 SO-DIMM(筆記本內(nèi)存條)以及2GB DDR3 unbuffered DIMM(即普通家用型內(nèi)存條)，驗(yàn)證時(shí)的運(yùn)行頻率為1333MHz，芯片電壓為1.5V。 　　Hynix宣稱
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內(nèi)存廠商積極轉(zhuǎn)向新制程，明年芯片生產(chǎn)成本將大幅下降

  • 　　據(jù)臺(tái)灣內(nèi)存業(yè)者透露，由于越來越多的內(nèi)存芯片廠商都在積極轉(zhuǎn)向下一代制程技術(shù)，因此這種彼此間的良性制程競(jìng)賽將令內(nèi)存芯片的生產(chǎn)成本在明年之內(nèi)將出現(xiàn)較大幅度的下降。 　　目前，韓國三星電子的內(nèi)存芯片產(chǎn)品已經(jīng)有50%比例在采用56nm制程制作，而第四季度，部分DDR3芯片已經(jīng)開始小批導(dǎo)入40nm制程。預(yù)計(jì)到明年下半年，40nm制程將成為三星的主力制程，三星也將由此再一次占據(jù)業(yè)內(nèi)領(lǐng)先的地位。 　　日本爾必達(dá)公司則很快會(huì)開始啟用其改進(jìn)版65nm制程，爾必達(dá)將這種制程稱為Extra 65nm。并將隨后于明年轉(zhuǎn)移到
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