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瑞薩聯(lián)袂臺積電 外包40nm閃存工藝
- 正如預(yù)期,瑞薩電子和臺積電周一(5月28日)宣布增進在微控制器領(lǐng)域的合作,而微控制器領(lǐng)域可謂是瑞薩的地盤。 這兩家公司周一宣布,在將MCU技術(shù)的合作擴展到40nm嵌入式閃存處理技術(shù),這樣,臺積電將有能力為其客戶提供MONOS(金屬氧化氮氧化硅)嵌入式閃存工藝平臺。 這件事似乎還只是瑞薩整個大修整中的一部分。媒體發(fā)布會上并未提及向臺積電轉(zhuǎn)讓Yamagata 的芯片廠等事宜。 瑞薩已經(jīng)將90nm閃存處理技術(shù)外包給臺積電。如今,臺積電又取得了瑞薩40nm及未來技術(shù)的外包權(quán)。通過建立MONO
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瑞薩聯(lián)袂臺積電 外包40nm閃存工藝
- 正如預(yù)期,瑞薩電子和臺積電周一宣布增進在微控制器領(lǐng)域的合作,而微控制器領(lǐng)域可謂是瑞薩的地盤。 這兩家公司周一宣布,在將MCU技術(shù)的合作擴展到40nm嵌入式閃存處理技術(shù),這樣,臺積電將有能力為其客戶提供MONOS(金屬氧化氮氧化硅)嵌入式閃存工藝平臺。 這件事似乎還只是瑞薩整個大修整中的一部分。媒體發(fā)布會上并未提及向臺積電轉(zhuǎn)讓Yamagata 的芯片廠等事宜。 瑞薩已經(jīng)將90nm閃存處理技術(shù)外包給臺積電。如今,臺積電又取得了瑞薩40nm及未來技術(shù)的外包權(quán)。通過建立MONOS處理平臺,瑞
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40nm噩夢重演:AMD 28nm GPU明年初才能出貨
- 雖然AMD在季度財報中確認今年底就會出貨下一代28nm GPU并獲得收入,但最新消息稱,南方群島今年的出貨規(guī)模將會非常有限,明年初才會開始批量投放。AMD趕在2011年正式發(fā)布Radeon HD 7000系列顯卡的可能性非常大(12月6日?),不過即便強行發(fā)布,能夠上市的產(chǎn)品數(shù)量也會非常少,只有進入2012年才會形成規(guī)模。 至于背后原因,很簡單,就是臺積電的28nm新工藝。雖然臺積電日前宣布28nm工藝已經(jīng)正式開始量產(chǎn),但來自權(quán)威渠道的消息稱,良品率、缺陷密度仍然嚴重困擾著臺積電,這也不由得讓人
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燦芯半導(dǎo)體第一顆40nm芯片驗證成功
- 燦芯半導(dǎo)體(上海)有限公司與中芯國際集成電路制造有限公司(簡稱“中芯國際”,紐約證交所股票代碼:SMI,香港聯(lián)合交易所股票代碼:HK0981)共同宣布燦芯半導(dǎo)體第一顆 40nm 芯片在中芯國際一次性流片驗證成功。
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燦芯半導(dǎo)體第一顆40nm芯片驗證成功
- 燦芯半導(dǎo)體(上海)有限公司與中芯國際集成電路制造有限公司(簡稱“中芯國際”,紐約證交所股票代碼:SMI,香港聯(lián)合交易所股票代碼:HK0981)今天共同宣布燦芯半導(dǎo)體第一顆 40nm 芯片在中芯國際一次性流片驗證成功。
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新思科技助力英飛凌實現(xiàn)40納米3G基帶處理器芯片設(shè)計成功
- 新思科技有限公司日前宣布:英飛凌科技(西安)有限公司通過采用新思完整的、基于統(tǒng)一功率格式(UPF)的低功耗綜合、物理實現(xiàn)和驗證流程,完成了國內(nèi)首款采用40nm工藝技術(shù)的3G智能手機基帶處理器設(shè)計,并按照時間計劃成功實現(xiàn)一次流片成功。 為了達到芯片設(shè)計目標,英飛凌確定了在設(shè)計過程中采用了Synopsys全套實施流程,包括Design Compiler編譯器、ICC布局工具等,同時引入新思的知識產(chǎn)權(quán)(IP)和支持服務(wù)。同時,還結(jié)合了英飛凌在移動通信基帶芯片領(lǐng)域里豐富的經(jīng)驗和工程師的創(chuàng)新能力。
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