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X-FAB新一代光電二極管顯著提升傳感靈敏度

  • 全球公認(rèn)的卓越的模擬/混合信號(hào)晶圓代工廠X-FAB Silicon Foundries（“X-FAB”）近日宣布，在其現(xiàn)有為光學(xué)傳感器而特別優(yōu)化的180nm CMOS半導(dǎo)體工藝平臺(tái)——XS018上，現(xiàn)推出四款新型高性能光電二極管。豐富了光電傳感器的產(chǎn)品選擇，強(qiáng)化了X-FAB廣泛的產(chǎn)品組合。2×2光電二極管排列布局示例圖此次推出的四款新產(chǎn)品中，兩款為響應(yīng)增強(qiáng)型光電二極管doafe和dobfpe，其靈敏度在紫外、可見(jiàn)光和紅外波長(zhǎng)（全光譜）上均有所提升；另外還有兩款先進(jìn)的紫外線專(zhuān)用光電二極管dosuv和dosu
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Intel出售愛(ài)爾蘭工廠49%股份：獲110億美元緩解財(cái)務(wù)壓力

  • 6月6日消息，據(jù)媒體報(bào)道，英特爾近期宣布，已同意以110億美元的價(jià)格將其位于愛(ài)爾蘭的Fab 34芯片工廠49%的股份出售給阿波羅全球管理公司。這一舉措旨在為英特爾的大規(guī)模擴(kuò)張計(jì)劃引入更多外部資金，同時(shí)緩解公司的財(cái)務(wù)壓力。根據(jù)英特爾的聲明，通過(guò)此次交易，英特爾將出售Fab 34芯片工廠相關(guān)實(shí)體中49%的股份，而保留51%的股份，保持對(duì)工廠的控股權(quán)。Fab 34工廠是英特爾在歐洲唯一一家使用極紫外線（EUV）光刻技術(shù)的芯片制造工廠，對(duì)采用Intel 4和Intel 3制程的晶圓提供支持，迄今為止，英特爾已在該
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X-Fab增強(qiáng)其180納米車(chē)規(guī)級(jí)高壓CMOS代工解決方案

  • Source:Yulia Shaihudinova/iStock/Getty Images Plus via Getty Images模擬/混合信號(hào)和專(zhuān)業(yè)晶圓代工廠X-Fab Silicon Foundries SE（X-Fab）日前推出了其XP018高壓互補(bǔ)型金屬氧化物半導(dǎo)體（CMOS）制造平臺(tái)的更新。5月16日發(fā)布的一篇新聞稿表示，該平臺(tái)現(xiàn)在包括全新的40 V和60 V高壓基礎(chǔ)器件，可提供可擴(kuò)展的安全工作區(qū)（安全工作區(qū)）以提高運(yùn)行穩(wěn)健性。這些第二代器件在RDSon數(shù)據(jù)上也有顯著降低，與此前版本相比降低
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聯(lián)電新加坡Fab 12i P3新廠首批設(shè)備到廠

  • 據(jù)聯(lián)電（UMC）官網(wǎng)消息，5月21日，聯(lián)電在新加坡Fab 12i舉行第三期擴(kuò)建新廠的上機(jī)典禮，首批設(shè)備到廠，象征公司擴(kuò)產(chǎn)計(jì)劃建立新廠的重要里程碑。據(jù)悉，聯(lián)電曾表示新加坡Fab12i P3旨在成為新加坡最先進(jìn)半導(dǎo)體晶圓代工廠之一，提供22/28nm制程，以支持5G、物聯(lián)網(wǎng)和車(chē)用電子等領(lǐng)域需求，總投資金額為50億美元。據(jù)了解，聯(lián)電早在2022年2月宣布了在新加坡Fab 12i P3廠的擴(kuò)建計(jì)劃。當(dāng)時(shí)消息稱(chēng)，新廠第一期月產(chǎn)能規(guī)劃30,000片晶圓，2024年底開(kāi)始量產(chǎn)，后又在2022年底稱(chēng)，在過(guò)程中因缺工缺料及
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X-FAB增強(qiáng)其180納米車(chē)規(guī)級(jí)高壓CMOS代工解決方案

  • 全球公認(rèn)的卓越的模擬/混合信號(hào)晶圓代工廠X-FAB Silicon Foundries（“X-FAB”）近日宣布，更新其XP018高壓CMOS半導(dǎo)體制造平臺(tái)，增加全新40V和60V高壓基礎(chǔ)器件——這些器件具有可擴(kuò)展SOA，提高運(yùn)行穩(wěn)健性。與上一代平臺(tái)相比，此次更新的第二代高壓基礎(chǔ)器件的RDSon阻值降低高達(dá)50%，為某些關(guān)鍵應(yīng)用提供更好的選擇——特別適合應(yīng)用在需要縮小器件尺寸并降低單位成本的系統(tǒng)中。XP018平臺(tái)作為一款模塊化180納米高壓EPI技術(shù)解決方案，基于低掩模數(shù)5V單柵極核心模塊，支持-40°C
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X-FAB引入圖像傳感器背照技術(shù)增強(qiáng)CMOS傳感器性能

  • 全球公認(rèn)的卓越的模擬/混合信號(hào)晶圓代工廠X-FAB Silicon Foundries（“X-FAB”）近日宣布，其光學(xué)傳感器產(chǎn)品平臺(tái)再添新成員——為滿足新一代圖像傳感器性能的要求，X-FAB現(xiàn)已在其備受歡迎的CMOS傳感器工藝平臺(tái)XS018（180納米）上開(kāi)放了背照（BSI）功能。BSI工藝截面示意圖通過(guò)BSI工藝，成像感光像素性能將得到大幅增強(qiáng)。這一技術(shù)使得每個(gè)像素點(diǎn)接收到的入射光不會(huì)再被后端工藝的金屬層所遮擋，從而大幅提升傳感器的填充比，最高可達(dá)100%。由于其能夠獲得更高的像素感光靈敏度，因而在暗
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格科微發(fā)布系列5000萬(wàn)像素圖像傳感器

  • 12月22日，科創(chuàng)板上市公司格科微（688728.sh）成功舉辦以“Fab-Lite新模式·引領(lǐng)中國(guó)芯未來(lái)”為主題的20周年慶典暨臨港工廠投產(chǎn)儀式，及2023年產(chǎn)品推介會(huì)暨CEO交流會(huì)。圖1 格科微20周年慶典暨臨港工廠投產(chǎn)儀式.JPG以讓世界看見(jiàn)中國(guó)的創(chuàng)新為使命，格科微經(jīng)過(guò)二十年的發(fā)展，成功實(shí)現(xiàn)了從Fabless到Fab-Lite的戰(zhàn)略轉(zhuǎn)型，迎來(lái)了歷史最佳的經(jīng)營(yíng)局面。值此良機(jī)，格科微高端產(chǎn)品再傳佳訊，公司推出三款全新單芯片高階產(chǎn)品，為未來(lái)加速核心技術(shù)產(chǎn)品化，邁向嶄新的發(fā)展階段奠定了基礎(chǔ)。整個(gè)活動(dòng)，政府領(lǐng)
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總投資573億元！中芯國(guó)際12英寸晶圓代工生產(chǎn)線新進(jìn)展

  • 據(jù)臨港新片區(qū)管委會(huì)官網(wǎng)披露文件顯示，日前，中芯國(guó)際臨港12英寸晶圓代工生產(chǎn)線項(xiàng)目城鎮(zhèn)污水排入排水管網(wǎng)許可順利獲批。據(jù)悉，中芯國(guó)際臨港12英寸晶圓代工生產(chǎn)線項(xiàng)目由中芯國(guó)際和中國(guó)（上海）自由貿(mào)易試驗(yàn)區(qū)臨港新片區(qū)管理委員會(huì)合作規(guī)劃建設(shè)。根據(jù)協(xié)議，雙方共同成立合資公司，規(guī)劃建設(shè)產(chǎn)能為10萬(wàn)片/月的12英寸晶圓代工生產(chǎn)線項(xiàng)目，聚焦于提供28納米及以上技術(shù)節(jié)點(diǎn)的集成電路晶圓代工與技術(shù)服務(wù)。據(jù)中芯國(guó)際發(fā)布的公告顯示，該項(xiàng)目計(jì)劃投資約88.7億美元（折合人民幣約573億元），這也是中芯國(guó)際在上海的第一個(gè)按照Twin Fa
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X-FAB推出針對(duì)近紅外應(yīng)用的新一代增強(qiáng)性能SPAD器件

  • 全球公認(rèn)的卓越的模擬/混合信號(hào)晶圓代工廠X-FAB Silicon Foundries（“X-FAB”）近日宣布，推出專(zhuān)用近紅外版本的單光子雪崩二極管（SPAD）器件組合。與2021年發(fā)布的前一代SPAD保持同步，新版本也是基于X-FAB 180納米工藝的XH018平臺(tái)。得益于在制造過(guò)程中增加的額外工藝流程，在保持同樣低的本底噪聲水平的同時(shí)，顯著增強(qiáng)信號(hào)，而且不會(huì)對(duì)暗計(jì)數(shù)率、后脈沖和擊穿電壓等參數(shù)產(chǎn)生負(fù)面影響。X-FAB通過(guò)推出這一最新版本的產(chǎn)品，成功豐富了其SPAD產(chǎn)品的選擇范圍，提升了解決眾多視近紅外
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X-FAB在制造工藝上的突破為電隔離解決方案增加CMOS集成選項(xiàng)

  • 全球公認(rèn)的卓越的模擬/混合信號(hào)晶圓代工廠X-FAB Silicon Foundries（“X-FAB”）近日宣布，在電隔離技術(shù)領(lǐng)域取得重大進(jìn)展——X-FAB在2018年基于其先進(jìn)工藝XA035推出針對(duì)穩(wěn)健的分立電容或電感耦合器優(yōu)化之后，現(xiàn)又在此平臺(tái)上實(shí)現(xiàn)了將電隔離元件與有源電路的直接集成。這是X-FAB對(duì)半導(dǎo)體制造工藝上的又一重大突破。這一集成方法使隔離產(chǎn)品的設(shè)計(jì)更加靈活，從而應(yīng)對(duì)可再生能源、EV動(dòng)力系統(tǒng)、工廠自動(dòng)化和工業(yè)電源領(lǐng)域的新興機(jī)遇。XA035基于350納米工藝節(jié)點(diǎn)，非常適合制造車(chē)用傳感器和高壓工
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X-FAB最新的無(wú)源器件集成技術(shù)擁有改變通信行業(yè)游戲規(guī)則的能力

  • 全球公認(rèn)的卓越的模擬/混合信號(hào)晶圓代工廠X-FAB Silicon Foundries（“X-FAB”）近日宣布，新增集成無(wú)源器件（IPD）制造能力，進(jìn)一步增強(qiáng)其在射頻（RF）領(lǐng)域的廣泛實(shí)力。公司在歐洲微波展（9月17至22日，柏林）舉辦前夕推出XIPD工藝；參加此次活動(dòng)的人員可與X-FAB技術(shù)人員（位于438C展位）就這一創(chuàng)新進(jìn)行交流。X-FAB XIPD晶圓上的電感器測(cè)試結(jié)構(gòu)XIPD源自廣受歡迎的X-FAB XR013 130nm RF SOI工藝——該技術(shù)利用工程基底和厚銅金屬化層，讓客戶能夠在其器
  • 關(guān)鍵字： X-FAB  無(wú)源器件  晶圓代工廠  

X-FAB領(lǐng)導(dǎo)歐資聯(lián)盟助力歐洲硅光電子價(jià)值鏈產(chǎn)業(yè)化

  • 中國(guó)北京，2023年6月15日——全球公認(rèn)的卓越的模擬/混合信號(hào)晶圓代工廠X-FAB Silicon Foundries（“X-FAB”）今日宣布，正在開(kāi)展photonixFAB項(xiàng)目---該項(xiàng)目旨在為中小企業(yè)和大型實(shí)體機(jī)構(gòu)在光電子領(lǐng)域的創(chuàng)新賦能，使其能夠輕松獲得具有磷化銦（InP）和鈮酸鋰（LNO）異質(zhì)集成能力的低損耗氮化硅（SiN）與絕緣體上硅（SOI）光電子平臺(tái)。在此過(guò)程中，模擬/混合信號(hào)晶圓代工領(lǐng)域的先進(jìn)廠商X-FAB Silicon Foundries（“X-FAB”）牽頭發(fā)起一項(xiàng)戰(zhàn)略倡議，旨在推
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X-FAB率先向市場(chǎng)推出110納米BCD-on-SOI代工解決方案

  • 中國(guó)北京，2023年6月2日——全球公認(rèn)的卓越的模擬/混合信號(hào)晶圓代工廠X-FAB Silicon Foundries（“X-FAB”）今日宣布，X-FAB成為業(yè)界首家推出110納米BCD-on-SOI解決方案的代工廠，由此加強(qiáng)了其在BCD-on-SOI技術(shù)領(lǐng)域的突出地位。全新XT011 BCD-on-SOI平臺(tái)反映了模擬應(yīng)用中對(duì)更高數(shù)字集成和處理能力日益增長(zhǎng)的需求。其將SOI和DTI極具吸引力的特性結(jié)合在一起，因此與傳統(tǒng)Bulk BCD工藝相比，高密度數(shù)字邏輯和模擬功能可以更容易地集成至單個(gè)芯片。X-F
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碳化硅擴(kuò)產(chǎn)、量產(chǎn)消息不斷，瑞薩、X-FAB跟進(jìn)

  • 近期，一眾國(guó)內(nèi)廠商擴(kuò)產(chǎn)、量產(chǎn)碳化硅的消息頻繁發(fā)布。如博世收購(gòu)了美國(guó)半導(dǎo)體代工廠TSI以在2030年底之前擴(kuò)大自己的SiC產(chǎn)品組合；安森美半導(dǎo)體考慮投資20億美元擴(kuò)產(chǎn)碳化硅芯片；SK集團(tuán)宣布，旗下SK powertech位于釜山的新工廠結(jié)束試運(yùn)行，將正式量產(chǎn)碳化硅，產(chǎn)能將擴(kuò)大近3倍。除此之外，據(jù)外媒報(bào)道，日本半導(dǎo)體巨頭瑞薩和德國(guó)晶圓代工廠X-FAB也于近日宣布了擴(kuò)產(chǎn)碳化硅的計(jì)劃。其中，瑞薩電子將于2025年開(kāi)始生產(chǎn)使用碳化硅 (SiC）來(lái)降低損耗的下一代功率半導(dǎo)體產(chǎn)品。報(bào)道指出，按照計(jì)劃，瑞薩電子擬在目
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X-FAB與萊布尼茨IHP研究所達(dá)成許可協(xié)議

  • 全球公認(rèn)的卓越的模擬/混合信號(hào)晶圓代工廠X-FAB Silicon Foundries（“X-FAB”）與萊布尼茨IHP研究所今日共同宣布，將推出創(chuàng)新的130納米SiGe BiCMOS平臺(tái)，進(jìn)一步擴(kuò)大與萊布尼茨高性能微電子研究所（IHP）的長(zhǎng)期合作關(guān)系。作為新協(xié)議的一部分，X-FAB將獲得IHP的尖端SiGe技術(shù)授權(quán)，將這一技術(shù)的性能優(yōu)勢(shì)帶給大批量市場(chǎng)的客戶群體。130納米SiGe BiCMOS平臺(tái)新創(chuàng)建的130納米平臺(tái)顯著加強(qiáng)了X-FAB的技術(shù)組合，提供了獨(dú)特的解決方案，達(dá)到滿足下一代通信要求所需的更高
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