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場效應(yīng)管工作原理- -場效應(yīng)管工作原理也瘋狂

  • 一、場效應(yīng)管的工作原理- -概念 　　場效應(yīng)管(FET)是場效應(yīng)晶體管(field-effect transistor)的簡稱，由于它僅靠半導(dǎo)體中的多數(shù)載流子導(dǎo)電，也稱為單極性場效應(yīng)管，是一種常見的利用輸入回路的電場效應(yīng)來控制輸出回路電流的一種電壓控制性半導(dǎo)體器件，場效應(yīng)管不但具有雙極性晶體管體積小、重量輕、壽命長等優(yōu)點，而且輸入回路的內(nèi)阻高達107~1012Ω，噪聲低，熱穩(wěn)定性好，抗輻射能力強，且比后者耗電省，這些優(yōu)點使之從20世紀60年代誕生起就廣泛地應(yīng)用于各種電子電路之中。 二、
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高增益高線性度CMOS偶次諧波混頻器設(shè)計

  • 　　混頻器是無線收發(fā)機中的核心模塊， 對整個系統(tǒng)的性能具有很大影響。線性度、轉(zhuǎn)換增益是衡量一個混頻器性能的重要指標。 　　在接收機中， 混頻器具有一定的轉(zhuǎn)換增益可以降低混頻器后面各級模塊設(shè)計的難度， 有利于提高系統(tǒng)噪聲性能和靈敏度。線性度決定了混頻器能處理的最大信號強度。隨著現(xiàn)代通訊系統(tǒng)對性能要求越來越高， 無論是應(yīng)用于接收機系統(tǒng)的下變頻器(本文指的混頻器) ， 還是應(yīng)用于發(fā)射機系統(tǒng)中的上變頻器都要求具有較高的線性度。因此設(shè)計具有高增益和高線性度的混頻器就成為業(yè)界一直研究的熱點。 　　在CMOS電路設(shè)
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你造嗎？ 四大MOSFET實用技巧

  • 　　MOSFET是一個時代產(chǎn)物,隨著MOSFET技術(shù)的進展，特別是大電流、小封裝、低功耗的單芯片MOSFET出現(xiàn)，它的開關(guān)速度快/輸入阻抗大/熱穩(wěn)定性好等等優(yōu)點,已經(jīng)成為工程師們的首選。 　　在EEPW論壇呆久了，看了好多網(wǎng)友問起MOS管的事情，有很多童靴對MOS管的使用不是很熟悉，今天有空給大家說幾個關(guān)于MOSFET的技巧的幾個實用技巧的事情。 　　為了把問題說的明白些，還是有必要把MOS管的身世先介紹一下。 　　MOSFET管是FET的一種(另一種是JFET)，可以被制造成增強型或耗盡型，P溝道
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分立器件的創(chuàng)新這樣體現(xiàn)在性能、效率、成本和交貨的完美契合

  • 　　在人們的印象中，東芝NAND Flash(閃存)享譽世界。其實，東芝的分立器件也在市場上占有重要位置。 　　
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CMOS電路ESD保護結(jié)構(gòu)設(shè)計

  • 　　1　引　言 　　靜電放電會給電子器件帶來破壞性的后果，它是造成集成電路失效的主要原因之一。隨著集成電路工藝不斷發(fā)展， CMOS電路的特征尺寸不斷縮小，管子的柵氧厚度越來越薄，芯片的面積規(guī)模越來越大，MOS管能承受的電流和電壓也越來越小，而外圍的使用環(huán)境并未改變，因此要進一步優(yōu)化電路的抗ESD性能，如何使全芯片有效面積盡可能小、ESD性能可靠性滿足要求且不需要增加額外的工藝步驟成為IC設(shè)計者主要考慮的問題。 　　2　ESD保護原理 　　ESD保護電路的設(shè)計目的就是要避免工作電路成為ESD的放電通路
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LED驅(qū)動設(shè)計小Tips：不可不知的5大關(guān)鍵點

  • 　　1、芯片發(fā)熱 　　這主要針對內(nèi)置電源調(diào)制器的高壓驅(qū)動芯片。假如芯片消耗的電流為2mA，300V的電壓加在芯片上面，芯片的功耗為0.6W，當然會引起芯片的發(fā)熱。驅(qū)動芯片的最大電流來自于驅(qū)動功率MOS管的消耗，簡單的計算公式為I=cvf(考慮充電的電阻效益，實際I=2cvf，其中c為功率MOS管的cgs電容，v為功率管導(dǎo)通時的gate電壓，所以為了降低芯片的功耗，必須想辦法降低c、v和f.如果c、v和f不能改變，那么請想辦法將芯片的功耗分到芯片外的器件，注意不要引入額外的功耗。再簡單一點，就是考慮更好的
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基于場效應(yīng)管的功率放大器設(shè)計

  • 摘要：用場效應(yīng)晶體管設(shè)計出有膽味的音頻功率放大器。前級采用單管、甲類，后級采用甲乙類推挽放大技術(shù)。實驗證明差分放大器使用的對管的一致性與整機的失真程度密切相關(guān)。從聽音效果來看，末級電流200mA是理想值。 前后級間耦合電容對聽音影響較大，要求質(zhì)量高些。 對于音頻功率放大器而言，最好聽的莫過于甲類放大器。根據(jù)頻率分析的結(jié)果，由集成運算放大器構(gòu)成的前級聲音單薄、缺乏活力。所以，可不可以前級采用單管甲類放大器，后級采用甲乙類功率放大器?這樣既兼顧聽音需要，又兼顧效率的需要。目前，電子管音頻功率放大器仍然占據(jù)
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一種低電壓、低功耗模擬電路設(shè)計簡介

  • 因為MOS晶體管的襯底或者與源極相連，或者連接到VDD或VSS,所以經(jīng)常被用作一個三端設(shè)備。由于未來CMOS技術(shù)的閾值電壓并不會遠低于現(xiàn)有標準，于是采用襯底驅(qū)動技術(shù)進行模擬電路設(shè)計就成為較好的解決方案[1].襯底驅(qū)動技術(shù)的原理是：在柵極和源極之間加上足夠大的固定電壓，以形成反型層，輸入信號加在襯底和源極之間，這樣閾值電壓就可以減小或從信號通路上得以避開。襯底驅(qū)動MOS晶體管的原理類似于結(jié)型場效應(yīng)晶體管，也就是一個耗盡型器件，它可以工作在負、零、甚至略微正偏壓條件下[2].由于襯底電壓影響與反型層(即導(dǎo)電溝
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用于汽車啟停的低耗能電源設(shè)計的幾種方法

  • 隨著城市快節(jié)奏的發(fā)展，大多數(shù)人擁有自己的車，這也使得交通變得擁堵，而汽車在高峰期的走走停停會耗掉很多的能源，不僅浪費還污染環(huán)境。故而引進了汽車系統(tǒng)中的“啟停”功能，但是這種系統(tǒng)也給汽車電子帶來了一些獨特的工程技術(shù)挑戰(zhàn)，汽車啟停系統(tǒng)中電源設(shè)計是一大難題。本文就為大家介紹一種用于汽車啟停的低耗能電源設(shè)計。 為了控制燃油消耗，許多汽車制造商在下一代汽車中實現(xiàn)了“啟停”功能，而且為數(shù)眾多的這種汽車已經(jīng)開始上路。這些系統(tǒng)會在汽車停下來時關(guān)閉發(fā)動機，當腳從剎車踏板移動
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一種可程控調(diào)制脈沖電源模塊的研制

  • 脈沖電源是脈沖制式供電方式裝備必不可少的供電電源。本文對脈沖電源特點及主要參數(shù)的影響原因進行分析，給出了一種脈沖電源的電路方案。重點分析輸出脈沖電壓跌落幅度產(chǎn)生原因及解決方法，總結(jié)了實用的脈沖電源工程設(shè)計方法。
  • 關(guān)鍵字： 電源  MOS  脈沖電壓  跌落幅度  脈沖電源  201405  

一種抗機載80V浪涌、高效恒流源電路解決方案

  • 　　為了解決現(xiàn)有浪涌保護電路可靠性差、專用模塊體積龐大以及效率低的問題，提出一種抗機載80V浪涌、高效恒流源電路解決方案。其設(shè)計思路從以下幾個方面考慮：(1)能夠承受航空供電系統(tǒng)中80V/50ms過壓浪涌且能正常工作;(2)外圍電路較為簡單，通過分離元器件可實現(xiàn)抗浪涌功能;(3)構(gòu)建的電路占用體積僅為專用模塊的50%～60%左右;(4)正常工作時，電路轉(zhuǎn)換效率能達到90%以上;80V/50ms的高壓浪涌電壓時，電路轉(zhuǎn)換效率能達到80%以上
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新電源模塊如何解決關(guān)鍵設(shè)計問題

  • 新型靈活應(yīng)用的高密度電源模塊現(xiàn)在能夠以易于使用的集成封裝提供先進的電熱性能。系統(tǒng)性能的提升促進了對更高功率電源的要求，以及由于需要快速實現(xiàn)收入的壓力迫使設(shè)計人員縮短開發(fā)周期，從而對全功能、快速實現(xiàn)電源解決方案的需要呈激增之勢。電源模塊可以解決這些問題，并提供系統(tǒng)設(shè)計人員所需的靈活性和性能，幫助他們從最小的空間獲得最大的功率
  • 關(guān)鍵字： 新電源  FET  ISL8225  

移動電源方案技術(shù)深度剖析連載一：小米10400

  • 　　引言：　　鑒于目前網(wǎng)絡(luò)上移動電源方案知識甚少，而移動電源最核心的技術(shù)恰恰就在方案，從今開始特在移動電源網(wǎng)開設(shè)移動電源方案技術(shù)篇連載，對目前市面主流品牌，暢銷產(chǎn)品等移動電源方案一一深度剖析，與移動電源設(shè)計師和技術(shù)迷們一起分享!我們首款產(chǎn)品就選目前最熱門的小米10400mAh移動電源吧?！　≌模骸　∫苿与娫淳W(wǎng)獨家撰稿，轉(zhuǎn)載請保留出處鏈接。　　大家好!我是來福，移動電源資深技術(shù)愛好者，鑒于目前網(wǎng)絡(luò)上移動電源方案知識甚少，而移動電源最核心的技術(shù)恰恰就在方案，從今開始特在移動電源網(wǎng)開設(shè)移動電源方案技術(shù)篇連載，
  • 關(guān)鍵字： 小米  10400  BQ24195  ABOV  MOS  

Silego公司推出體積小一倍電流為4.5A的雙通道全功能負載開關(guān)

  • 　　2014年3月17日Silego于美國加州圣克拉拉推出一款基于Silego亞微米銅制程電源FET技術(shù)的16?mΩ雙通道GreenFET3?負載開關(guān)產(chǎn)品即SLG59M1527V。該款負載開關(guān)每條通道最高電流可達到?4.5A?、總電流高達9.0A。并且引用Silego?CuFETTM?技術(shù)來實現(xiàn)低導(dǎo)通電阻、外形尺寸最小同時可靠性提高?！　LG59M1527V是一款以14?pin腳、尺寸為1.0?x?3.0?
  • 關(guān)鍵字： Silego  FET  SLG59M1527V  

從4004到core i7——處理器的進化史-CPU構(gòu)成零件-2

  • 在上一個帖子當中我們見到了MOS管。下面我們來看一看用它完成的一個最簡單的設(shè)計。
  • 關(guān)鍵字： MOS  CMOS  反相器  電路  NMOS  
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