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連接與電源:新Qorvo為行業(yè)提供更全面的解決方案
- 3月下旬,全球領(lǐng)先的連接和電源解決方案供應(yīng)商 Qorvo? 在京召開了以“連接與電源——新主題、新Qorvo”的媒體活動。通過此次活動,Qorvo旨在向業(yè)內(nèi)介紹Qorvo在自身移動產(chǎn)品和基礎(chǔ)設(shè)施應(yīng)用上的射頻領(lǐng)導(dǎo)地位進(jìn)面向電源、物聯(lián)網(wǎng)和汽車等領(lǐng)域的最新進(jìn)展。Matter出世,化解萬物互聯(lián)生態(tài)壁壘物聯(lián)網(wǎng)讓我們曾經(jīng)暢想的萬物互聯(lián)生活逐漸成為現(xiàn)實(shí),但要將數(shù)以百億計(jì)的設(shè)備進(jìn)行有效的互聯(lián)還面臨巨大壁壘,Matter 標(biāo)準(zhǔn)的出現(xiàn)打破了這個局面。作為Matter的積極參與者,Qorvo 率先打造符合 Matter 標(biāo)準(zhǔn)的
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世平基于安森美半導(dǎo)體 NCP51820 650V Hi-Low Side GaN MOS Driver 應(yīng)用于小型化工業(yè)電源供應(yīng)器方案
- 安森美GAN_Fet驅(qū)動方案(NCP51820)。 數(shù)十年來,硅來料一直統(tǒng)治著電晶體世界。但這個狀況在發(fā)現(xiàn)了砷化鎵(GaAs)和砷化鎵、磷(GaAsP)等不同特性的材料后,已經(jīng)逐漸開始改變。由開發(fā)了由兩種或三種材料制成的化合物半導(dǎo)體,它們具有獨(dú)特的優(yōu)勢和優(yōu)越的特性。但問題在于化合物半導(dǎo)體更難制造且更昂貴。雖然它們比硅具有明顯的優(yōu)勢。作為解決方案出現(xiàn)的兩個化合物半導(dǎo)體器件是氮化鎵(GaN)和碳化硅(SiC)功率電晶體。這些器件可與壽命長的硅功率LDMOS MOSFET和超結(jié)MOSFET競爭。GaN和SiC器
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放大器設(shè)計(jì):晶體管BJT的工作原理以及MOS和BJT晶體管的區(qū)別
- 晶體管是一個簡單的組件,可以使用它來構(gòu)建許多有趣的電路。在本文中,將帶你了解晶體管是如何工作的,以便你可以在后面的電路設(shè)計(jì)中使用它們。 一旦你了解了晶體管的基本知識,這其實(shí)是相當(dāng)容易的。我們將集中討論兩個最常見的晶體管:BJT和MOSFET。 晶體管的工作原理就像電子開關(guān),它可以打開和關(guān)閉電流。一個簡單的思考方法就是把晶體管看作沒有任何動作部件的開關(guān),晶體管類似于繼電器,因?yàn)槟憧梢杂盟鼇泶蜷_或關(guān)閉一些東西。當(dāng)然了晶體管也可以部分打開,這對于放大器的設(shè)計(jì)很有用。晶體管是一個簡單的組件,可以使用它來構(gòu)建許多有
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RS瑞森半導(dǎo)體高壓MOS在開關(guān)電源中的應(yīng)用
- 開關(guān)電源(Switch Mode Power Supply,簡稱SMPS),又稱交換式電源、開關(guān)變換器,是電源供應(yīng)器的一種高頻化電能轉(zhuǎn)換裝置,也是一種以半導(dǎo)體功率器件為開關(guān)管,控制其關(guān)斷開啟時間比率,來保證穩(wěn)定輸出直流電壓的電源。開關(guān)電源(Switch Mode Power Supply,簡稱SMPS),又稱交換式電源、開關(guān)變換器,是電源供應(yīng)器的一種高頻化電能轉(zhuǎn)換裝置,也是一種以半導(dǎo)體功率器件為開關(guān)管,控制其關(guān)斷開啟時間比率,來保證穩(wěn)定輸出直流電壓的電源。在目前電子產(chǎn)品的飛速增長中,開關(guān)電源憑借其70%~
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基于英飛凌數(shù)位半橋返馳式(XDPS2201)+賽普拉斯通訊協(xié)議(CYPD3174) 之 65W PD充電器方案
- 隨著USB PD產(chǎn)品的廣泛應(yīng)用與普及化,Infineon推出全新數(shù)位共振返馳式PWM電源控制芯片,此一架構(gòu)除較現(xiàn)行客戶常使用之ACF架構(gòu)更具競爭力,在電路設(shè)計(jì)上相對容易,還可減少元件數(shù)量,且數(shù)位化的設(shè)計(jì)界面可滿足不同輸出瓦數(shù)的產(chǎn)品應(yīng)用,提高在設(shè)計(jì)上的靈活度與可靠性。同時搭配Cypress PD控制芯片,借由數(shù)位控制與參數(shù)設(shè)定功能來改變輸出電壓,藉以符合各種不同產(chǎn)品的應(yīng)用。同時Infineon共振返馳式電源芯片在與Cypress PD控制芯片,可大幅度提高效率與功率密度的表現(xiàn),更可以減少客戶的產(chǎn)品設(shè)計(jì)與開發(fā)
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MOS管的Miller 效應(yīng)
- 本文對于 MOS 管工作在開關(guān)狀態(tài)下的 Miller 效應(yīng)的原因與現(xiàn)象進(jìn)行了分析。巧妙的應(yīng)用 Miller 效應(yīng)可以實(shí)現(xiàn)電源的緩啟動。01 Miller效應(yīng)一、簡介MOS管的米勒效應(yīng)會在高頻開關(guān)電路中,延長開關(guān)頻率、增加功耗、降低系統(tǒng)穩(wěn)定性,可謂是臭名昭著,各大廠商都在不遺余力的減少米勒電容。下面波形是在博文 ZVS振蕩電路工作原理分析[1] 中觀察到振蕩 MOS 管柵極電壓與漏極電壓波形??梢钥吹綎艠O電壓在上升階段具有一個平坦的小臺階。這就是彌勒效應(yīng)所帶來的 MOS 管驅(qū)動電壓波
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貿(mào)澤開售采用D2PAK-7L 封裝的工業(yè)用 UnitedSiC 750V UJ4C/SC SiC FET
- 2022年9月23日 – 提供超豐富半導(dǎo)體和電子元器件?的業(yè)界知名新品引入 (NPI) 分銷商貿(mào)澤電子 (Mouser Electronics) 即日起備貨采用行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)D2PAK-7L表面貼裝封裝的UnitedSiC(現(xiàn)已被 Qorvo?收購)UJ4C/SC FET。UJ4C/SC系列器件是750 V碳化硅場效應(yīng)晶體管 (SiC FET),借助D2PAK-7L封裝選項(xiàng)提供低開關(guān)損耗、在更高速度下提升效率,同時提高系統(tǒng)功率密度。這些FET經(jīng)優(yōu)化適合車載充電器、軟開關(guān)DC/DC
- 關(guān)鍵字: 貿(mào)澤 D2PAK-7L UnitedSiC SiC FET
UnitedSiC(現(xiàn)已被 Qorvo收購)為功率設(shè)計(jì)擴(kuò)展高性能且高效的750V SiC FET產(chǎn)品組合
- 移動應(yīng)用、基礎(chǔ)設(shè)施與航空航天、國防應(yīng)用中 RF 解決方案的領(lǐng)先供應(yīng)商 Qorvo?, Inc.(納斯達(dá)克代碼:QRVO)今日宣布推出 7 款采用表貼 D2PAK-7L 封裝的 750V 碳化硅 (SiC) FET。憑借該封裝方案,Qorvo 的 SiC FET 針對快速增長的車載充電器、軟開關(guān) DC/DC 轉(zhuǎn)換器、電池充電(快速 DC 和工業(yè))和 IT/服務(wù)器電源應(yīng)用實(shí)現(xiàn)量身定制。它們采用熱性能增強(qiáng)型封裝,為需求最大效率、低傳導(dǎo)損失和高性價比的高功耗應(yīng)用提供理想解決方案。在 650/750V 狀態(tài)下,第四
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UnitedSiC(現(xiàn)為 Qorvo)針對電源設(shè)計(jì)擴(kuò)展更高性能和效率的750V SiC FET 產(chǎn)品組合
- Qorvo?今天宣布推出采用表面貼裝 D2PAK-7L 封裝的七款 750V 碳化硅 (SiC) FET,借助此封裝選項(xiàng),Qorvo 的 SiC FET可為車載充電器、軟開關(guān) DC/DC 轉(zhuǎn)換器、電池充電(快速 DC 和工業(yè))以及IT/服務(wù)器電源等快速增長的應(yīng)用量身定制,能夠?yàn)樵跓嵩鰪?qiáng)型封裝中實(shí)現(xiàn)更高效率、低傳導(dǎo)損耗和卓越成本效益的高功率應(yīng)用提供更佳解決方案。Qorvo 的第四代 UJ4C/SC 系列在 650/750V 時具有9mΩ的業(yè)界更低 RDS(on),其額定值分別為 9、11、18、23、33、
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GaN是否具有可靠性?或者說我們能否如此提問?
- 鑒于氮化鎵 (GaN) 場效應(yīng)晶體管 (FET) 能夠提高效率并縮小電源尺寸,其采用率正在迅速提高。但在投資這項(xiàng)技術(shù)之前,您可能仍然會好奇GaN是否具有可靠性。令我驚訝的是,沒有人詢問硅是否具有可靠性。畢竟仍然有新的硅產(chǎn)品不斷問世,電源設(shè)計(jì)人員對硅功率器件的可靠性也很關(guān)心。事實(shí)上,GaN行業(yè)已經(jīng)在可靠性方面投入了大量精力和時間。而人們對于硅可靠性方面的問題措辭則不同,比如“這是否通過了鑒定?”盡管GaN器件也通過了硅鑒定,但電源制造商仍不相信采用硅方法可以確保GaN FET的可靠性。這是一個合理的觀點(diǎn),因
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貿(mào)澤備貨UnitedSiC UF4C/SC 1200V第四代SiC FET,為各類電源應(yīng)用提供更好的支持
- 提供超豐富半導(dǎo)體和電子元器件?的業(yè)界知名新品引入 (NPI) 分銷商貿(mào)澤電子 (Mouser Electronics) 即日起開始分銷UnitedSiC(現(xiàn)已被Qorvo?收購)的UF4C和UF4SC 1200V碳化硅 (SiC) FET。作為廣泛的高性能SiC FET系列產(chǎn)品,此第四代器件具有出色的導(dǎo)通電阻特性,適用于主流800V總線架構(gòu)中的電源解決方案,如電動汽車車載充電器、工業(yè)電池充電器、工業(yè)電源、DC-DC太陽能逆變器等應(yīng)用。?貿(mào)澤電子分銷的UF4C/SC SiC FET為設(shè)計(jì)人員提供了
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UnitedSiC(現(xiàn)已被Qorvo收購)宣布推出行業(yè)先進(jìn)的高性能1200V第四代SiC FET
- 移動應(yīng)用、基礎(chǔ)設(shè)施與航空航天、國防應(yīng)用中 RF 解決方案的領(lǐng)先供應(yīng)商 Qorvo?近日宣布推出新一代 1200V 碳化硅 (SiC) 場效應(yīng)晶體管 (FET) 系列,該系列具有出色的導(dǎo)通電阻特性。全新 UF4C/SC 系列 1200V 第四代 SiC FET 非常適用于主流的 800V 總線架構(gòu),這種架構(gòu)常見于電動汽車車載充電器、工業(yè)電池充電器、工業(yè)電源、DC/DC 太陽能逆變器、焊接機(jī)、不間斷電源和感應(yīng)加熱等應(yīng)用。UnitedSiC/Qorvo 功率器件總工程師 Anup Bhalla 表示:“我們通過
- 關(guān)鍵字: Mentor P Qorvo SiC FET
UnitedSiC(現(xiàn)已被 Qorvo收購)宣布推出行業(yè)先進(jìn)的高性能 1200 V第四代SiC FET
- 移動應(yīng)用、基礎(chǔ)設(shè)施與航空航天、國防應(yīng)用中 RF 解決方案的領(lǐng)先供應(yīng)商 Qorvo?近日宣布推出新一代 1200V 碳化硅 (SiC) 場效應(yīng)晶體管 (FET) 系列,該系列具有出色的導(dǎo)通電阻特性。全新 UF4C/SC 系列 1200V 第四代 SiC FET 非常適用于主流的 800V 總線架構(gòu),這種架構(gòu)常見于電動汽車車載充電器、工業(yè)電池充電器、工業(yè)電源、DC/DC 太陽能逆變器、焊接機(jī)、不間斷電源和感應(yīng)加熱等應(yīng)用。UnitedSiC/Qorvo 功率器件總工程師 Anup Bhalla 表示:“我們通過
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場效應(yīng)管常用的三大作用:放大作用、恒流輸出、開關(guān)導(dǎo)通
- 1、放大電路場效應(yīng)管具有輸入阻抗高、低噪聲等特點(diǎn),因此經(jīng)常作為多級放大電流的輸入級,與三極管一樣,根據(jù)輸入、輸出回路公共端選擇不同,將場效應(yīng)管放電電路分為共源、公漏、共柵三種狀態(tài),如下圖是場效應(yīng)管共源放大電路,其中:Rg是柵極電阻,將Rs壓降加至柵極;Rd是漏極電阻,將漏極電流轉(zhuǎn)換成漏極電壓,并影響放大倍數(shù)Au;Rs是源極電阻,為柵極提供偏壓;C3是旁路電容,消除Rs對交流信號的衰減。2、電流源電路恒流源在計(jì)量測試應(yīng)用很廣泛,如下圖是主要是由場效應(yīng)管組成的恒流源電路,這是可作為磁電式儀表調(diào)標(biāo)尺工序。由于場
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