首頁　 資訊　 商機 　 下載　 拆解 　 高校　 招聘 　 雜志　 會展　 EETV　 百科 　 問答　 電路圖　 工程師手冊 　 Datasheet　 100例 　 活動中心　 E周刊閱讀 　 樣片申請
EEPW首頁 >> 主題列表 >> x-gan

Nexperia的AC/DC反激式控制器可實現(xiàn)更高功率密度的基于GaN的反激式轉(zhuǎn)換器

  • Nexperia今天推出了一系列新的AC/DC反激式控制器，進一步壯大其不斷擴展的電源IC產(chǎn)品組合。NEX806/8xx和NEX8180x專為基于GaN的反激式轉(zhuǎn)換器而設計，用于PD(Power Delivery)快速充電器、適配器、壁式插座、條形插座、工業(yè)電源和輔助電源等設備以及其他需要高功率密度的AC/DC轉(zhuǎn)換應用。?NEX806xx/NEX808xx是準諧振/多模反激式控制器，可在寬VCC范圍(10-83V)下工作，而NEX81801/NEX81802是自適應同步整流控制器。這些IC可與N
  • 關鍵字： Nexperia  AC/DC反激式控制器  GaN  反激式轉(zhuǎn)換器  

如何在設計中輕松搭載GaN器件？答案內(nèi)詳~~

  • 如今，圍繞第三代半導體的研發(fā)和應用日趨火熱。由于具有更大的禁帶寬度、高耐壓、高熱導率、更高的電子飽和速度等特點，第三代半導體材料能夠滿足未來電子產(chǎn)品在高溫、高功率、高壓、高頻等方面更高的要求，被認為是突破傳統(tǒng)硅（Si）器件性能天花板的必由之路。氮化鎵（GaN）和碳化硅（SiC）并稱為第三代半導體界的“雙雄”。其中，SiC在高耐壓和大電流應用方面優(yōu)勢突出，近年來在新能源汽車、可再生能源等功率電子領域風頭無兩；而GaN則憑借出色的擊穿場強特性和電子飽和速度，提供出色的低導通電阻和高速開關（高頻率工作）性能，在
  • 關鍵字： Mouser  GaN  

德州儀器擴大氮化鎵（GaN）半導體自有制造規(guī)模，產(chǎn)能提升至原來的四倍

  • 新聞亮點：●? ?德州儀器增加了GaN制造投入，將兩個工廠的GaN半導體自有制造產(chǎn)能提升至原來的四倍?！? ?德州儀器基于GaN的半導體現(xiàn)已投產(chǎn)上市?！? ?憑借德州儀器品類齊全的GaN集成功率半導體，能打造出高能效、高功率密度且可靠的終端產(chǎn)品?！? ?德州儀器已成功開展在12英寸晶圓上應用GaN制造工藝的試點項目。德州儀器 (TI)近日宣布，公司基于氮化鎵 (GaN) 的功率半導體已在日本會津工廠開始投產(chǎn)。隨著會津工廠投產(chǎn)，
  • 關鍵字： 德州儀器  氮化鎵  GaN  

X-FAB新一代光電二極管顯著提升傳感靈敏度

  • 全球公認的卓越的模擬/混合信號晶圓代工廠X-FAB Silicon Foundries（“X-FAB”）近日宣布，在其現(xiàn)有為光學傳感器而特別優(yōu)化的180nm CMOS半導體工藝平臺——XS018上，現(xiàn)推出四款新型高性能光電二極管。豐富了光電傳感器的產(chǎn)品選擇，強化了X-FAB廣泛的產(chǎn)品組合。2×2光電二極管排列布局示例圖此次推出的四款新產(chǎn)品中，兩款為響應增強型光電二極管doafe和dobfpe，其靈敏度在紫外、可見光和紅外波長（全光譜）上均有所提升；另外還有兩款先進的紫外線專用光電二極管dosuv和dosu
  • 關鍵字： X-FAB  光電二極管  傳感靈敏度  

三相集成GaN技術如何更大限度地提高電機驅(qū)動器的性能

  • 在應對消費類電器、樓宇暖通空調(diào)(HVAC)系統(tǒng)和工業(yè)驅(qū)動裝置的能耗挑戰(zhàn)中，業(yè)界積極響應，通過實施諸如季節(jié)性能效比(SEER)、最低能效標準(MEPS)、Energy Star 和Top Runner等項目推進建立系統(tǒng)能效評級體系。變頻驅(qū)動器(VFD) 可為加熱和冷卻系統(tǒng)提供出色的系統(tǒng)效率，特別是在這些系統(tǒng)具有范圍非常寬的精確速度控制的情況下。VFD使用逆變器控制電機轉(zhuǎn)速，并進行高頻脈寬調(diào)制(PWM)開關，可獲得真正的可變速度控制。雖然這些逆變器目前是使用絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)和金屬氧化物半導體場效
  • 關鍵字： 202409  三相集成GaN  電機驅(qū)動器  GaN  

瑞薩三合一驅(qū)動單元方案，助力電動車輕盈啟航

  • 如今，電動汽車驅(qū)動器正在從傳統(tǒng)的分布式系統(tǒng)過渡到集中式架構。在傳統(tǒng)的電動汽車設計中，逆變器、車載充電器、DC/DC轉(zhuǎn)換器等關鍵部件往往采用分布式布局，各自獨立工作，通過復雜的線束相互連接。這種設計方式不僅繁雜笨重，且維護起來也異常復雜。在這種情況下，X-in-1技術應用而生。X-in-1技術是一種動力傳動系統(tǒng)的集成技術，?旨在將多個動力傳動組件集成到單一的系統(tǒng)中，?以提高整體性能、?減少體積和重量。?基于X-in-1技術，瑞薩推出三合一電動汽車單元解決方案，該方案將多個分布式系統(tǒng)集成到一個實體中，包括車載
  • 關鍵字： 驅(qū)動器  電動汽車  X-in-1  

Qualcomm Snapdragon X 芯片快照揭示巨大緩存大量 CPU 內(nèi)核

  • 一個名叫 Piglin 的人在中國百度平臺上發(fā)布了一張據(jù)稱是高通驍龍 X 處理器的帶注釋的模具。該圖像顯示了大量的 CPU 內(nèi)核、中等大小的 GPU 和巨大的緩存。不幸的是，芯片沒有透露 45 TOPS 神經(jīng)處理單元 （NPU），高通認為該部件是該片上系統(tǒng)的主要賣點。芯片拍攝的泄密者表明，12 核 Snapdragon X Elite 的芯片尺寸為 169.6 mm^2。這比 Apple 的 10 核 M4 大一點，后者為 165.9 毫米^2。然而，應該注意的是，高通的驍龍 X Elite 是采用臺積電
  • 關鍵字： Qualcomm  Snapdragon X  芯片快照  CPU 內(nèi)核  

ST更新軟件包, X-CUBE-MATTER支持 Matter 1.3

  • ST 高興地宣布X-CUBE-MATTER現(xiàn)已支持 Matter 1.3。幾個月前，我們發(fā)布了這個軟件包的公開版，確保更多開發(fā)者能夠使用這個軟件包。隨著今天新版本的發(fā)布，我們成為現(xiàn)在首批支持該標準最新版本的芯片廠商之一。在Matter 1.3新增的眾多功能中，值得一提的是能耗報告。顧名思義，這個功能可以讓設備更容易報告電能消耗情況，從而幫助用戶實時監(jiān)測能耗。另一個主要功能是間歇性連接設備，簡稱ICD。簡而言之，ICD功能可以讓 Matter 設備在特定間隔自動打開網(wǎng)絡連接，與其他設備通信，當客戶端設備不可
  • 關鍵字： 軟件包  X-CUBE-MATTER  

新潔能SiC/GaN功率器件及封測研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化項目延期

  • 8月13日，新潔能發(fā)布公告稱，擬將此前募投項目中的“第三代半導體 SiC/GaN 功率器件及封測的研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化”項目達到預定可使用狀態(tài)日期延期至2025年8月。此次延期是受宏觀環(huán)境等不可控因素的影響，項目的工程建設、設備采購及人員安排等相關工作進度均受到一定程度的影響，無法在計劃時間內(nèi)完成。據(jù)悉，此次延期項目屬新潔能二廠區(qū)擴建項目，項目總投資約2.23億元，2022年開建，原計劃2024年建設完成。項目建成后，將實現(xiàn)年產(chǎn) SiC/GaN 功率器件2640萬只。新潔能稱，本次募投項目延期僅涉及項目進度的
  • 關鍵字： 新潔能  SiC  GaN  功率器件  封測  

CAGR達49%，2030全球GaN功率元件市場規(guī)?；蛏?3.76億美元

  • 根據(jù)TrendForce集邦咨詢最新報告《2024全球GaN Power Device市場分析》顯示，隨著英飛凌、德州儀器對GaN技術傾注更多資源，功率GaN產(chǎn)業(yè)的發(fā)展將再次提速。2023年全球GaN功率元件市場規(guī)模約2.71億美元，至2030年有望上升至43.76億美元，CAGR（復合年增長率）高達49%。其中非消費類應用比例預計會從2023年的23%上升至2030年的48%，汽車、數(shù)據(jù)中心和電機驅(qū)動等場景為核心。AI應用普及，GaN有望成為減熱增效的幕后英雄AI技術的演進，帶動算力需求持續(xù)攀升，C
  • 關鍵字： CAGR  GaN  功率元件  

TrendForce：預計2030年全球GaN功率元件市場規(guī)模上升至43.76億美元

  • 8月15日消息，根據(jù)TrendForce集邦咨詢最新報告顯示，隨著英飛凌、德州儀器對GaN技術傾注更多資源，功率GaN產(chǎn)業(yè)的發(fā)展將再次提速。2023年全球GaN功率元件市場規(guī)模約2.71億美元，至2030年有望上升至43.76億美元，CAGR（復合年增長率）高達49%。報告顯示，非消費類應用比例預計會從2023年的23%上升至2030年的48%，汽車、數(shù)據(jù)中心和電機驅(qū)動等場景為核心。
  • 關鍵字： 英飛凌  德州儀器  GaN  功率元件  

TrendForce：預計 2030 年全球 GaN 功率元件市場規(guī)模 43.76 億美元，復合年均增長率達 49%

  • IT之家 8 月 14 日消息，TrendForce 最新報告顯示，隨著英飛凌、德州儀器等對 GaN（氮化鎵）技術傾注更多資源，功率 GaN 產(chǎn)業(yè)的發(fā)展將再次提速。2023 年全球 GaN 功率元件市場規(guī)模約 2.71 億美元（IT之家備注：當前約 19.39 億元人民幣），到 2030 年有望上升至 43.76 億美元（當前約 313.14 億元人民幣），CAGR（復合年均增長率）達 49%。據(jù)介紹，消費電子是功率 GaN 產(chǎn)業(yè)的主戰(zhàn)場，并由快速充電器迅速延伸至家電、智能手
  • 關鍵字： 功率器件  GaN  

萊迪思Avant-X：捍衛(wèi)數(shù)字前沿

  • 現(xiàn)場可編程門陣列（FPGA）在當今的眾多技術中發(fā)揮著重要作用。從航空航天和國防到消費電子產(chǎn)品，再到關鍵基礎設施和汽車行業(yè)，F(xiàn)PGA在我們生活中不斷普及。與此同時對FPGA器件的威脅也在不斷增長。想要開發(fā)在FPGA上運行（固件）的IP需要花費大量資源，受這些FPGA保護的技術也是如此。這使得FPGA成為IP盜竊或破壞的潛在目標。防止IP盜竊、客戶數(shù)據(jù)泄露和系統(tǒng)整體完整性所需的安全功能已經(jīng)不可或缺。它們是許多FPGA應用的基礎，在某些地區(qū)有相應法律要求（例如，歐盟的GDPR、美國的HIPAA、英國的2018年
  • 關鍵字： 萊迪思  Avant-X  FPGA  

羅姆將亮相2024深圳國際電力元件、可再生能源管理展覽會

  • 全球知名半導體制造商羅姆（總部位于日本京都市）將于8月28日～30日參加在深圳國際會展中心（寶安新館）舉辦的2024深圳國際電力元件、可再生能源管理展覽會（以下簡稱PCIM Asia）（展位號：11號館D14）。屆時，將聚焦碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）等寬禁帶半導體，展示其面向工業(yè)設備和汽車領域的豐富產(chǎn)品陣容及解決方案。同時，羅姆工程師還將在現(xiàn)場舉辦的“寬禁帶半導體器件— 氮化鎵及碳化硅論壇”以及“電動汽車論壇”等同期論壇上發(fā)表演講，分享羅姆最新的功率電子技術成果。展位效果圖羅姆擁有世界先進的碳化硅
  • 關鍵字： 羅姆  SiC  氮化鎵  GaN  

第三代半導體，距離頂流差了什么

  • 潮流就是即便你放棄了我，也不妨礙我越來越火。距離特斯拉宣布放棄碳化硅已經(jīng)過去了一年，這個市場非但沒有被拋棄，反而以 GaN、SiC 為代表的第三代半導體發(fā)展備受關注：Yole 數(shù)據(jù)顯示，2026 年 GaN 市場規(guī)模預計可達 6.72 億美元。SiC 碳化硅 2027 年全球 SiC 功率半導體市場規(guī)模有望突破 60 億美元。預測是人算不如天算，第三代半導體優(yōu)勢已經(jīng)被講的翻來覆去了，市場的反饋是最真實和殘酷的—很火但不是主流。碳化硅與新能源車能不能齊飛？新能源是第三代半導體應用的重要驅(qū)動力。新能源車的最大
  • 關鍵字： GaN  SiC  
共493條 1/33 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 » ›|

x-gan介紹

您好，目前還沒有人創(chuàng)建詞條x-gan!
歡迎您創(chuàng)建該詞條，闡述對x-gan的理解，并與今后在此搜索x-gan的朋友們分享。    創(chuàng)建詞條

熱門主題

樹莓派    linux   
關于我們 - 廣告服務 - 企業(yè)會員服務 - 網(wǎng)站地圖 - 聯(lián)系我們 - 征稿 - 友情鏈接 - 手機EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權所有 北京東曉國際技術信息咨詢有限公司
備案 京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052    京公網(wǎng)安備11010802012473