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EEPW首頁 >> 主題列表 >> can sic

聚焦“寬禁帶”半導(dǎo)體——SiC與GaN的興起與未來

  • 隨著硅與化合物半導(dǎo)體材料在光電子、電力電子和射頻微波等領(lǐng)域器件性能的提升面臨瓶頸,不足以全面支撐新一代信息技術(shù)的可持續(xù)發(fā)展......
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UltraSoC和Canis Labs合作確保CAN總線的安全

  • ?UltraSoC?與?Canis Automotive Labs?日前宣布了一項合作,旨在解決汽車行業(yè)中最嚴(yán)重的信息安全漏洞之一:CAN總線內(nèi)部缺乏安全功能;而CAN總線通常用于連接諸如剎車、轉(zhuǎn)向、發(fā)動機、安全氣囊、門鎖和車頭燈等車載系統(tǒng)。兩家公司的合作將帶來基于硬件的入侵檢測和緩解技術(shù),以防控CAN總線上常見的攻擊,其中包括自動硬件防欺騙、防御位層級攻擊(諸如Bus-Off攻擊和位故障)、以及抵御拒絕服務(wù)(DoS)類型的攻擊等。雙方合作的重心是部署Canis L
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納芯微推出隔離CAN收發(fā)器,提升工業(yè)系統(tǒng)的集成度和可靠性

  • 國內(nèi)領(lǐng)先的信號鏈芯片及其解決方案提供商蘇州納芯微電子股份有限公司(以下簡稱“納芯微”)今日宣布推出隔離CAN收發(fā)器NSi1050,繼續(xù)擴充公司豐富的隔離產(chǎn)品線,滿足客戶對隔離產(chǎn)品的多樣化需求。該芯片集成了雙通道數(shù)字隔離器和高可靠性CAN收發(fā)器,高集成度方案有助于簡化系統(tǒng)設(shè)計,提升工業(yè)系統(tǒng)的可靠性。NSi1050隔離耐壓高,滿足增強隔離要求,并符合各種工業(yè)系統(tǒng)的安規(guī)需求,可廣泛應(yīng)用于工業(yè)自動化、電梯、電力、不間斷電源、儲能和其他工業(yè)接口卡等各類需要隔離CAN的工業(yè)通信系統(tǒng)中。NSi1050具有高隔離耐壓、高
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穿過隔離柵供電:認(rèn)識隔離式直流/ 直流偏置電源

  • 電子設(shè)計人員使用的工具箱日新月異。要找到適合工作的工具,不僅需要了解手頭上的任務(wù)和現(xiàn)有工具,還要知道如何充分利用這些工具。
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新能源汽車CAN總線干擾定位與干擾排除的幾個方法

  • CAN總線是當(dāng)今汽車各電控單元間通信的總線標(biāo)準(zhǔn),并廣泛應(yīng)用在新能源車中。新能源車的CAN總線故障和隱患將影響駕駛體驗甚至行車安全,如何進(jìn)行CAN總線故障定位及干擾排除呢?本文為設(shè)計師們提供幾點建議。
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碳化硅發(fā)展勢頭強 英飛凌650V CoolSiC MOSFET推高創(chuàng)新浪潮

  • 近期,多家公司發(fā)布了碳化硅(SiC)方面的新產(chǎn)品。作為新興的第三代半導(dǎo)體材料之一,碳化硅具備哪些優(yōu)勢,現(xiàn)在的發(fā)展程度如何?不久前,碳化硅的先驅(qū)英飛凌科技公司推出了650V的CoolSiC? MOSFET,值此機會,電子產(chǎn)品世界訪問了英飛凌電源管理及多元化市場事業(yè)部大中華區(qū)開關(guān)電源應(yīng)用高級市場經(jīng)理陳清源先生。英飛凌,電源管理及多元化市場事業(yè)部,大中華區(qū),開關(guān)電源應(yīng)用,高級市場經(jīng)理,陳清源碳化硅與氮化鎵、硅材料的關(guān)系碳化硅MOSFET是一種新器件,它的出現(xiàn)使一些以前硅材料很難被應(yīng)用的電源轉(zhuǎn)換結(jié)構(gòu),例如電流連續(xù)
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地鐵屏蔽門CAN總線故障排查流程

  • 地鐵是人們出行的重要交通工具,隨著地鐵線路全面鋪設(shè),人們對于地鐵的安全性能越來越關(guān)注,尤其是地鐵屏蔽門的可靠性,那么在復(fù)雜的地鐵控制系統(tǒng)中,如何進(jìn)行地鐵屏蔽門CAN總線故障排查呢?本文將做詳細(xì)介紹。
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ROHM的SiC功率元器件被應(yīng)用于UAES的電動汽車車載充電器

  • 全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM(總部位于日本京都市)的SiC功率元器件(SiC MOSFET*1)被應(yīng)用于中國汽車行業(yè)一級綜合性供應(yīng)商——聯(lián)合汽車電子有限公司(United Automotive Electronic Systems Co., Ltd. ,總部位于中國上海市,以下簡稱“UAES公司”)的電動汽車車載充電器(On Board Charger,以下簡稱“OBC”)。UAES公司預(yù)計將于2020年10月起向汽車制造商供應(yīng)該款OBC。與IGBT*2等Si(硅)功率元器件相比,SiC功率元器件是一種能
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安森美半導(dǎo)體推出新的900 V和 1200 V SiC MOSFET用于高要求的應(yīng)用

  • 近日,推動高能效創(chuàng)新的安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor,美國納斯達(dá)克上市代號:ON),推出另兩個碳化硅(SiC) MOSFET系列,擴展了其寬禁帶(WBG)器件系列。?這些新器件適用于各種高要求的高增長應(yīng)用,包括太陽能逆變器、電動汽車(EV)車載充電、不間斷電源(UPS)、服務(wù)器電源和EV充電樁,提供的性能水平是硅(Si)?MOSFET根本無法實現(xiàn)的。安森美半導(dǎo)體的新的1200伏(V)和900 V N溝道SiC MOSFET提供比硅更快的開關(guān)性能和更高的可靠性。快速本征二
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CISSOID宣布推出用于電動汽車的三相碳化硅(SiC)MOSFET智能功率模塊

  • 各行業(yè)所需高溫半導(dǎo)體解決方案的領(lǐng)導(dǎo)者CISSOID近日宣布,將繼續(xù)致力于應(yīng)對汽車和工業(yè)市場的挑戰(zhàn),并推出用于電動汽車的三相碳化硅(SiC)MOSFET智能功率模塊(IPM)平臺。這項新的智能功率模塊技術(shù)提供了一種一體化解決方案,即整合了內(nèi)置柵極驅(qū)動器的三相水冷式碳化硅MOSFET模塊。這個全新的可擴展平臺同時優(yōu)化了功率開關(guān)的電氣、機械和散熱設(shè)計及其臨界控制,對于電動汽車(EV)整車廠和愿意快速采用基于碳化硅的逆變器以實現(xiàn)更高效、更簡潔電機驅(qū)動的電動機制造商而言,該平臺可以幫助他們加快產(chǎn)品上市時間。該可擴展
  • 關(guān)鍵字: SiC  IPM  

如何解決CAN總線超強干擾?

  • CAN總線系統(tǒng)由一系列的網(wǎng)絡(luò)節(jié)點通過總線相互連接組成,在實際應(yīng)用中網(wǎng)絡(luò)節(jié)點既是干擾源又是被干擾對象,尤其在超強干擾的情況下,如何使系統(tǒng)可靠運行成為一大難題。
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為什么整車廠都把CAN數(shù)據(jù)上云?

  • CAN?總線偶發(fā)性故障常常令工程師和用戶們焦頭爛額,本文將繼續(xù)介紹CAN總線系列文章,針對性解決以下問題:整車廠CAN數(shù)據(jù)為什么要上云?ZWS-CAN智慧云是如何實現(xiàn)云端設(shè)備監(jiān)控的?
  • 關(guān)鍵字: CAN  智慧云  

德州儀器推出業(yè)界首款0級數(shù)字隔離器,可在超過125°C的HEV/EV系統(tǒng)中實現(xiàn)可靠通信和保護(hù)

  • 德州儀器(TI)近日推出了業(yè)界首款滿足美國汽車電子委員會(AEC)-Q100標(biāo)準(zhǔn)的0級工作環(huán)境溫度規(guī)范的數(shù)字隔離器。ISO7741E-Q1具有行業(yè)領(lǐng)先的1.5-kVRMS工作電壓,可支持高達(dá)150°C的0級更高溫度限值。新型隔離器使工程師能夠更好地保護(hù)低壓電路免受混合電動汽車(HEV)和電動汽車(EV)系統(tǒng)中高壓事件的影響,并無需在冷卻系統(tǒng)中進(jìn)行設(shè)計,以將溫度降低到125°C(1級合規(guī)集成電路(IC)支持的溫度)以下。此外,當(dāng)在系統(tǒng)設(shè)計中執(zhí)行控制器局域網(wǎng)絡(luò)靈活數(shù)據(jù)速率(CAN FD)通信時,工程師可以搭配
  • 關(guān)鍵字: CAN FD  IVN  

電機的應(yīng)用趨勢及控制解決方案

  • 顧偉俊? (羅姆半導(dǎo)體(上海)有限公司?技術(shù)中心?現(xiàn)場應(yīng)用工程師)摘? 要:介紹了電機的應(yīng)用趨勢,以及MCU、功率器件的產(chǎn)品動向。 關(guān)鍵詞:電機;BLDC;MCU;SiC;IPM1? 電機的應(yīng)用趨勢?隨著智能家居、工業(yè)自動化、物流自動化等概念的 普及深化,在與每個人息息相關(guān)的家電領(lǐng)域、車載領(lǐng) 域以及工業(yè)領(lǐng)域,各類電機在技術(shù)方面都出現(xiàn)了新的 需求。?在家電領(lǐng)域,電器的 智能化需要電器對人機交 流產(chǎn)生相應(yīng)的反饋。例如 掃地機器人需要掃描計算 空間,規(guī)劃路線,然后執(zhí) 行移動以及相應(yīng)
  • 關(guān)鍵字: 202003  電機  BLDC  MCU  SiC  IPM  

碳化硅(SiC)功率器件或在電動汽車領(lǐng)域一決勝負(fù)

  • 電力電子器件的發(fā)展歷史大致可以分為三個大階段:硅晶閘管(可控硅)、IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)和剛顯露頭角的碳化硅(SiC)系列大功率半導(dǎo)體器件。碳化硅屬于第三代半導(dǎo)體材料,與普通的硅材料相比,碳化硅的優(yōu)勢非常突出,它不僅克服了普通硅材料的某些缺點,在功耗上也有非常好的表現(xiàn),因而成為電力電子領(lǐng)域目前最具前景的半導(dǎo)體材料。正因為如此,已經(jīng)有越來越多的半導(dǎo)體企業(yè)開始進(jìn)入SiC市場。到2023年,SiC功率半導(dǎo)體市場預(yù)計將達(dá)到15億美元。SiC器件的供應(yīng)商包括Fuji、英飛凌、Littelfuse、三菱、安森
  • 關(guān)鍵字: 碳化硅、SiC、功率器件、電動汽車  
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