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Microchip推出集成式緊湊型CAN FD系統(tǒng)基礎(chǔ)芯片解決方案，專為空間受限應(yīng)用而設(shè)計

  • 汽車和工業(yè)市場中聯(lián)網(wǎng)應(yīng)用的增加推動了對帶寬更高、延遲更低和安全性更強(qiáng)的有線連接解決方案的需求?？煽俊踩耐ㄐ啪W(wǎng)絡(luò)解決方案對于按預(yù)期傳輸和處理數(shù)據(jù)至關(guān)重要。Microchip Technology Inc.（微芯科技公司）近日宣布推出ATA650x CAN FD系統(tǒng)基礎(chǔ)芯片（SBC）新系列產(chǎn)品。該系列產(chǎn)品完全集成了高速CAN FD收發(fā)器和5V低壓降穩(wěn)壓器（LDO），采用緊湊型8引腳、10引腳和14引腳封裝，節(jié)省了空間。ATA650x CAN FD SBC占用空間極?。篤DFN8 封裝為2 mm ×3mm，
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深度 | GaN還是SiC，電氣工程師該如何選擇？

  • /  編輯推薦 /氮化鎵晶體管和碳化硅MOSFET是近年來新興的功率半導(dǎo)體，相比于傳統(tǒng)的硅材料功率半導(dǎo)體，他們都具有許多非常優(yōu)異的特性：耐壓高，導(dǎo)通電阻小，寄生參數(shù)小等。他們也有各自與眾不同的特性：氮化鎵晶體管的極小寄生參數(shù)，極快開關(guān)速度使其特別適合高頻應(yīng)用。碳化硅MOSFET的易驅(qū)動，高可靠等特性使其適合于高性能開關(guān)電源中。本文基于英飛凌科技有限公司的氮化鎵晶體管和碳化硅MOSFET產(chǎn)品，對他們的結(jié)構(gòu)、特性、兩者的應(yīng)用差異等方面進(jìn)行了詳細(xì)的介紹。引 言作為第三代功率半導(dǎo)體的絕代雙驕，氮化鎵晶體
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安森美將收購碳化硅JFET技術(shù)，以增強(qiáng)其針對AI數(shù)據(jù)中心的電源產(chǎn)品組合

  • 安森美（onsemi）宣布已與Qorvo達(dá)成協(xié)議，以1.15億美元現(xiàn)金收購其碳化硅結(jié)型場效應(yīng)晶體管(SiC JFET) 技術(shù)業(yè)務(wù)及其子公司United Silicon Carbide。該收購將補(bǔ)足安森美廣泛的EliteSiC電源產(chǎn)品組合，使其能應(yīng)對人工智能（AI）數(shù)據(jù)中心電源AC-DC段對高能效和高功率密度的需求，還將加速安森美在電動汽車斷路器和固態(tài)斷路器(SSCB) 等新興市場的部署。SiC JFET的單位面積導(dǎo)通電阻超低，低于任何其他技術(shù)的一半。它們還支持使用硅基晶體管幾十年來常用的現(xiàn)成驅(qū)動器。綜合這
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安森美收購Qorvo旗下SiC JFET技術(shù)

  • 據(jù)安森美官微消息，近日，安森美（onsemi）宣布已與Qorvo達(dá)成協(xié)議，以1.15億美元現(xiàn)金收購其碳化硅結(jié)型場效應(yīng)晶體管(SiC JFET) 技術(shù)業(yè)務(wù)及其子公司 United Silicon Carbide。該交易需滿足慣例成交條件，預(yù)計將于2025年第一季度完成。據(jù)悉，該收購將補(bǔ)足安森美廣泛的EliteSiC電源產(chǎn)品組合，使其能應(yīng)對人工智能（AI）數(shù)據(jù)中心電源AC-DC段對高能效和高功率密度的需求，還將加速安森美在電動汽車斷路器和固態(tài)斷路器(SSCB)等新興市場的部署。安森美電源方案事業(yè)群總裁兼總經(jīng)理
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碳化硅可靠性驗(yàn)證要點(diǎn)

  • 從MOSFET 、二極管到功率模塊，功率半導(dǎo)體產(chǎn)品是我們生活中無數(shù)電子設(shè)備的核心。從醫(yī)療設(shè)備和可再生能源基礎(chǔ)設(shè)施，到個人電子產(chǎn)品和電動汽車(EV)，它們的性能和可靠性確保了各種設(shè)備的持續(xù)運(yùn)行。第三代寬禁帶（WBG）解決方案是半導(dǎo)體技術(shù)的前沿，如使用碳化硅（SiC）。與傳統(tǒng)的硅（Si）晶體管相比，SiC的優(yōu)異物理特性使基于SiC的系統(tǒng)能夠在更小的外形尺寸內(nèi)顯著減少損耗并加快開關(guān)速度。由于SiC在市場上相對較新，一些工程師在尚未確定該技術(shù)可靠性水平之前，對從Si到SiC的轉(zhuǎn)換猶豫不決。但是，等待本身也會帶來風(fēng)
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光伏逆變器市場狂飆，全SiC模組會成為主流嗎？

  • 隨著清潔能源的快速增長，作為光伏系統(tǒng)心臟的太陽能逆變器儼然已經(jīng)成為能源革命浪潮中的超級賽道。高效的光伏系統(tǒng)，離不開功率器件。全I(xiàn)GBT方案、混合SiC方案和全SiC方案以其在成本、性能、空間、可靠性等方面不同的優(yōu)勢，均在市場上有廣泛應(yīng)用。但隨著SiC成本下降，全SiC方案被越來越多的廠家采用。未來10年，光伏逆變器市場狂飆目前，風(fēng)能和太陽能的總發(fā)電量已經(jīng)超過了水力發(fā)電。預(yù)計到2028年，清潔能源的比重將達(dá)到42%。中國市場增長勢頭強(qiáng)勁，已成為全球清潔能源增長的主要驅(qū)動力。光伏逆變器承載著將太陽能光伏組件產(chǎn)
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第10講：SiC的加工工藝（2）柵極絕緣層

  • 柵極氧化層可靠性是SiC器件應(yīng)用的一個關(guān)注點(diǎn)。本節(jié)介紹SiC柵極絕緣層加工工藝，重點(diǎn)介紹其與Si的不同之處。SiC可以通過與Si類似的熱氧化過程，在晶圓表面形成優(yōu)質(zhì)的SiO2絕緣膜。這在制造SiC器件方面具有非常大的優(yōu)勢。在平面柵SiC MOSFET中，這種熱氧化形成的SiO2通常被用作柵極絕緣膜，并已實(shí)現(xiàn)產(chǎn)品化。然而，SiC的熱氧化與Si的熱氧化存在一些差異，在將熱氧化工藝應(yīng)用于SiC器件時必須考慮到這一點(diǎn)。首先，與Si相比，SiC的熱氧化速率低。因此，該過程需要很長時間，而且還需要高溫。在SiC的熱氧
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如何配置控制器局域網(wǎng)絡(luò)(CAN)位時序?qū)崿F(xiàn)系統(tǒng)性能優(yōu)化？

  • 控制器局域網(wǎng)絡(luò)(CAN)可在多個網(wǎng)絡(luò)站點(diǎn)之間提供強(qiáng)大的通信能力，支持多種數(shù)據(jù)速率和距離。CAN具有數(shù)據(jù)鏈路層仲裁、同步和錯誤處理等特性，廣泛用于工業(yè)、儀器儀表和汽車應(yīng)用之中。在ISO 11898標(biāo)準(zhǔn)的框架下，借助分布式多主機(jī)差分信令和內(nèi)置故障處理功能，DeviceNet、CANopen等多種協(xié)議針對物理層和數(shù)據(jù)鏈路層規(guī)定了相應(yīng)的實(shí)現(xiàn)方式。本文旨在描述如何針對給定應(yīng)用優(yōu)化設(shè)置，同時考慮控制器架構(gòu)、時鐘、收發(fā)器、邏輯接口隔離等硬件限制。文章將集中介紹網(wǎng)絡(luò)配置問題——包括數(shù)據(jù)速率和電纜長度——說明何時有必要對C
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第9講：SiC的加工工藝（1）離子注入

  • 離子注入是SiC器件制造的重要工藝之一。通過離子注入，可以實(shí)現(xiàn)對n型區(qū)域和p型區(qū)域?qū)щ娦钥刂啤１疚暮喴榻B離子注入工藝及其注意事項。SiC的雜質(zhì)原子擴(kuò)散系數(shù)非常小，因此無法利用熱擴(kuò)散工藝制造施主和受主等摻雜原子的器件結(jié)構(gòu)（形成pn結(jié)）。因此，SiC器件的制造采用了基于離子注入工藝的摻雜技術(shù)：在SiC中進(jìn)行離子注入時，對于n型區(qū)域通常使用氮（N）或磷（P），這是容易低電阻化的施主元素，而對于p型區(qū)域則通常使用鋁（Al）作為受主元素。另外，用于Al離子注入的原料通常是固體，要穩(wěn)定地進(jìn)行高濃度的Al離子注入，需
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全球 33 家 SiC 制造商進(jìn)展概覽

  • SiC 功率器件市場規(guī)模逐年擴(kuò)大，并將保持高速增長。
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意法半導(dǎo)體先進(jìn)的電隔離柵極驅(qū)動器STGAP3S為IGBT和SiC MOSFET提供靈活的保護(hù)功能

  • 意法半導(dǎo)體的STGAP3S系列碳化硅 (SiC) 和 IGBT功率開關(guān)柵極驅(qū)動器集成了意法半導(dǎo)體最新的穩(wěn)健的電隔離技術(shù)、優(yōu)化的去飽和保護(hù)功能和靈活的米勒鉗位架構(gòu)。STGAP3S 在柵極驅(qū)動通道與低壓控制和接口電路之間采用增強(qiáng)型電容隔離，瞬態(tài)隔離電壓 (VIOTM)耐壓9.6kV，共模瞬態(tài)抗擾度 (CMTI)達(dá)到 200V/ns。通過采用這種的先進(jìn)的電隔離技術(shù)，STGAP3S提高了空調(diào)、工廠自動化、家電等工業(yè)電機(jī)驅(qū)動裝置的可靠性。新驅(qū)動器還適合電源和能源應(yīng)用，包括充電站、儲能系統(tǒng)、功率因數(shù)校正 (PFC)、
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東芝推出具有低導(dǎo)通電阻和高可靠性的適用于車載牽引逆變器的最新款1200V SiC MOSFET

  • 東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）近日宣布，最新開發(fā)出一款用于車載牽引逆變器[1]的裸片[2]1200 V碳化硅（SiC）MOSFET“X5M007E120”，其創(chuàng)新的結(jié)構(gòu)可實(shí)現(xiàn)低導(dǎo)通電阻和高可靠性。X5M007E120現(xiàn)已開始提供測試樣品，供客戶評估。當(dāng)?shù)湫蚐iC MOSFET的體二極管在反向傳導(dǎo)操作[3]期間雙極通電時，其可靠性會因?qū)娮柙黾佣档?。東芝SiC MOSFET通過在MOSFET中嵌入SBD（肖特基勢壘二極管）以弱化體二極管工作的器件結(jié)構(gòu)來緩解上述問題，但如若將SBD布置在芯片上
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業(yè)界首款用于SiC MOSFET柵極保護(hù)的非對稱瞬態(tài)抑制二極管系列

  • Littelfuse公司是一家工業(yè)技術(shù)制造公司，致力于為可持續(xù)發(fā)展、互聯(lián)互通和更安全的世界提供動力。公司今日宣布推出SMFA非對稱系列表面貼裝瞬態(tài)抑制二極管，這是市場上首款非對稱瞬態(tài)抑制解決方案，專為保護(hù)碳化硅（SiC）MOSFET柵極免受過壓事件影響而設(shè)計。與傳統(tǒng)的硅MOSFET和IGBT相比，SiC MOSFET的開關(guān)速度更快、效率更高，因此越來越受到歡迎，對穩(wěn)健柵極保護(hù)的需求也越來越大。SMFA非對稱系列提供了一種創(chuàng)新的單元件解決方案，在簡化設(shè)計的同時顯著提高了電路的可靠性。SMFA非對稱系列是市場
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進(jìn)擊的中國碳化硅

  • 中國碳化硅廠商把價格打下來了。
  • 關(guān)鍵字： SiC  

全球有多少個8英寸碳化硅晶圓廠？

  • 全球 14 家 8 英寸 SiC 晶圓廠布局。
  • 關(guān)鍵字： SiC  
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